-
公开(公告)号：CN1047894A
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：CN90100791.9
申请日：1990-02-17
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分。内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
-
-
公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
-
公开(公告)号：CN1048900A
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔在隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
-
公开(公告)号：CN1042954A
公开(公告)日：1990-06-13
申请号：CN89109188.2
申请日：1989-11-11
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 一种硅单晶的制取设备，其中在旋转石英坩埚内配置具有至少一个穿过其下部的小孔的成形挡板，使其环绕着大圆柱形硅单晶，该硅单晶被旋转并被拉出。挡板的全部或一部份由泡沫石英玻璃制成，该泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)为0.01-15％，或者小于0.01％，但此时通过用于熔化硅原料的热量使其增加到0.01-15％。因此，防止了与挡板内侧接触的熔融物料温度的降低，并且防止了熔融物料在此部位的凝固。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1018851B
公开(公告)日：1992-10-28
申请号：CN90100791.9
申请日：1990-02-17
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分，内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
-
公开(公告)号：CN1018001B
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔的隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
-
公开(公告)号：CN1051595A
公开(公告)日：1991-05-22
申请号：CN90109125.1
申请日：1990-10-16
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 按照旋转式切克劳斯基(CZ)单晶生长法制造大直径硅单晶的装置，该装置可以提高原料利用率和生产效率。通常引起原料利用率和生产效率恶化的一个重要原因是在隔离元件的近旁点发生熔体凝固，为防止此问题，在熔体弯液面位置的对面设置一个具有特定位置及特定遮蔽宽度的热遮蔽体，借此遮挡来自弯液面位置的热辐射。
-
公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
-
公开(公告)号：CN1019031B
公开(公告)日：1992-11-11
申请号：CN89109188.2
申请日：1989-11-11
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056 , Y10T117/1068
Abstract: 一种硅单晶的制取设备，其中一个在其下部形成有至少一个贯穿小孔的分离构件设置在一个旋转石英坩锅内使之包围住一个旋转拉出的大圆柱形硅单晶。分隔构件的全部或一部分由泡沫石英玻璃制成。这种泡沫石英玻璃的气泡含量(体积百分比)在0.01%与15%之间，或者是小于0.01%、但通过用于熔化硅原料的热提高到0.01%至15%。因此，防止跟分隔构件内侧接触的熔融物料降低温度，并防止熔融物料在此部位上凝固。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.019 seconds)
