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公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1034400A
公开(公告)日：1989-08-02
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
IPC: C30B15/00
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板复盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1016973B
公开(公告)日：1992-06-10
申请号：CN89102980.X
申请日：1989-04-28
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 本发明是关于用切克劳斯基法(Czochralskimethod)制备硅单晶的方法和设备，其中包括步骤：分隔盛熔融硅的坩埚为单晶生长区和外加料区以使熔融硅运动缓慢，以及一面给加料区连续地加入硅原料一面从单晶生长区拉出硅单晶，其中改进包括加料区和熔融硅的温度保持在高于硅的熔点至少12℃以上。
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公开(公告)号：CN1051207A
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN90102209.8
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为3mm或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热板包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
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