制造硅单晶的设备
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1018002B

    公开(公告)日:1992-08-26

    申请号:CN90102476.7

    申请日:1990-03-30

    CPC classification number: C30B15/02

    Abstract: 引上法制造硅单晶的设备,包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体,箱体内部安装一个转筒,转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件,在转筒上方装量一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径,且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。

    制造硅单晶的设备
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1046360A

    公开(公告)日:1990-10-24

    申请号:CN90102476.7

    申请日:1990-03-30

    CPC classification number: C30B15/02

    Abstract: 引上法制造硅单晶的设备,包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体,箱体内部安装一个转筒,转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件,在转筒上方装置一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径,且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。

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