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公开(公告)号:CN102154627A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110023303.1
申请日:2011-01-21
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种制备独立自支撑透明氮化铝纳米晶薄膜的方法,是通过以下工艺过程实现的:将装有一定量无水AlCl3(纯度为质量百分比98%-99%)粉末的陶瓷舟置于长度为100cm的水平管式炉气流方向上游距管口6cm-9cm处,在距陶瓷舟20cm-25cm处放置石英管、陶瓷片等作为产物收集器,密闭管式炉抽真空到2×10-2-10-3Pa,Ar气保护下加热水平管式炉到760℃-900℃后,通入200sccm-300sccm的NH3气反应四小时,Ar气保护下自然冷却到室温,在收集器上得到独立自支撑透明氮化铝薄膜。本发明所制备薄膜为纤锌矿结构氮化铝,其特点是:在微观上为纳米晶阵列,在宏观上为独立、自支撑、透明的氮化铝薄膜。
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公开(公告)号:CN101693528B
公开(公告)日:2011-04-20
申请号:CN200910113486.9
申请日:2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法,是通过以下工艺过程实现的:将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa,加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是:所得的硒化锌单晶纳米线适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号:CN101693550A
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:CN200910113485.4
申请日:2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法,是通过以下工艺过程实现的:将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料,置于钼片为材料制成的电阻加热舟中,并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉,当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后,电阻加热舟通电流为110-180A,保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点;本发明的方法简单,易于推广,适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号:CN107058950A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201710238625.5
申请日:2017-04-13
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: C23C14/0623 , C23C14/24
Abstract: 本发明公开一种螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜及其制备方法,是通过以下工艺过程实现的:在高真空热蒸发镀膜机坩埚中,加入一定量的高纯Bi2Te3粉末,放置于加热区域。调整衬底样品台到蒸发源的距离至10cm,在衬底样品台上放置清洗过的氟晶云母。开启复合分子泵机组抽真空至5*10‑5Pa,衬底加热至380℃‑400℃,热蒸发源温度加热至340℃‑360℃,开始镀膜。在此温度下反应5‑120min,通过控制面板调节蒸发源和衬底温度至0℃,等待仪器自然降温后,获得产物。本发明的特点在于:此方法可直接制备出螺旋结构的碲化铋纳米片薄膜;产物形貌螺旋生长,台阶清晰可见;无其他产物,对环境污染小。
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公开(公告)号:CN102912300B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201210439190.8
申请日:2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法,是通过以下工艺过程实现的:将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制,先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源,并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底,密闭蒸发炉,当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa~2.0×10-2Pa,加热电流达到130A,保持15分钟,即可得到SnS纳米片。本发明的特点是:所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号:CN103145192A
公开(公告)日:2013-06-12
申请号:CN201310105217.4
申请日:2013-03-28
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00 , C04B35/26 , C04B35/624
Abstract: 本发明公开了一种锰、镍共掺杂铁酸铋薄膜材料的制备方法。该方法是将原料硝酸铁、硝酸铋、乙酸锰和乙酸镍按配方通式BiFe1-2xMnxNixO3(0.0125≤x≤0.05)进行称量,在80℃条件下加入冰乙酸搅拌30min,然后在室温下加入乙二醇甲醚搅拌180min配成浓度为0.1-0.2mol/L的前驱液。利用旋涂法在氧化锡铟/玻璃或铂金衬底上制备出湿膜,随后预退火,最后将薄膜退火,重复预退火-薄膜退火过程10-20次得到最终的样品。本发明的特点在于:可以有效抑制铁酸铋中杂相生成;减小晶粒尺寸和薄膜表面的方均根粗糙度;提高样品的绝缘、铁电、铁磁和光性能;生产工艺简单,重现性好,成本低廉。
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公开(公告)号:CN102071467A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010545858.8
申请日:2010-11-16
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明的目的在于提供一种铜掺杂控制ZnS纳米材料形貌和物相的方法。其是通过以下工艺过程实现的:以PVP作为表面活性剂,水合肼作为溶剂,分析纯的Zn(CH3COO)2·2H2O,(NH2)CS和Cu粉作为反应材料。0.3gPVP和40ml水合肼(约占内衬总体积的80%)置于清洗干净的反应釜中,放入磁子充分搅拌形成透明溶液。然后按摩尔比将分别为1∶4∶1和1∶4∶0.6将Zn(CH3COO)2·2H2O,(NH2)CS和Cu粉放入准备好的两个反应釜里,继续搅拌5~10分钟。最后将反应釜置于160℃环境中反应24h。反应结束后将反应釜自然冷却至室温,用去离子水和无水乙醇多次清洗去除过量的硫脲和其余副产物。最后在60℃的真空干燥箱中干燥6h以收集产物。所得产物即为六方结构和立方结构的ZnS纳米材料。本发明的方法简单,易于推广,适合于大规模的工业生产。
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公开(公告)号:CN102040201A
公开(公告)日:2011-05-04
申请号:CN201010532909.3
申请日:2010-11-05
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种溶剂热可控制备ZnSe和ZnTe纳米材料的方法,是通过以下工艺过程实现的:将分析纯的Se源或Te源放入聚四氟乙烯内衬,加入乙醇胺溶剂使溶液体积占聚四氟乙烯内衬总体积的80%。磁搅拌数分钟,再加入分析纯的Zn源,磁搅拌均匀后密封反应釜,置于200℃烘箱中反应24小时,反应完成后清洗得到产物。本发明成功地用简单溶剂热方法在温和的条件下,通过改变Se源或Te源,首次在同一体系中一步可控合成具有闪锌矿或纤锌矿结构的ZnSe和ZnTe纳米材料。本发明的特点是:方法简单,成本低,产率高,产物均匀性好,可控性好,对环境危害小,易于推广且适合大规模生产。
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公开(公告)号:CN101328615B
公开(公告)日:2010-10-13
申请号:CN200810072867.2
申请日:2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备II-VI族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂,以CdTe粉末为原料,在真空度为2×10-2×10-3Pa的真空环境下,热蒸发原料,在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行,无需载气,具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号:CN101851781A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010137608.0
申请日:2010-04-01
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助化学气相沉积法生长III-V族半导体化合物AlN单晶纳米带和纳米分支结构的方法,是通过以下工艺过程实现的:将0.2g纯度为99.99%的Al粉放入陶瓷舟中,并将经过用酒精和去离子水超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置于源的正上方5mm处,将陶瓷舟置于管式炉的正中央区域。密闭好容器后开始抽真空,当刚玉管系统真空度达到1×10-2帕时将流量为200cm3/min(sccm)的氩气通入系统中。接着,对系统进行加热,当炉温达到1400℃时通入流量为30sccm的氨气,保持一小时。最后,停止加热系统当温度下降至800℃时关掉氨气,在氩气的保护气氛下自然冷却到室温。本发明制备出的纳米带和纳米分支结构为单晶态的AlN。本发明所得的氮化铝纳米带和纳米分支结构具有形貌较均匀、沉积面积较大的特点;本发明不使用任何催化剂,方法简单,易于推广。
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