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公开(公告)号：CN102321915A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110295405.9
申请日：2011-10-08
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种Mn掺杂AlN单晶纳米棒的制备方法，属于纳米材料及其制备的技术领域。本发明采用化学气相沉积法，在陶瓷和Si衬底上生长Mn掺杂AIN单晶纳米棒。高纯Al粉、无水AlCl3，高纯Mn粉和NH3气分别作为Al源，Mn源和N源置于陶瓷舟中，经过去离子水和无水乙醇超声清洗的多晶Al2O3基片作为衬底扣置在陶瓷舟上。陶瓷舟置于中央加热区处，密封水平管式炉，炉内真空度抽至9×10-3Pa，通入流量为200sccm的氩气，并对管式炉进行加热。温度达到1400℃时，通入流量为30sccm的氨气并保持1h。然后，停止加热，关掉氨气，并保持氩气流量不变。自然冷却到室温，关掉氩气，取出衬底，得到样品。本发明的特点是：方法简单，成本低，产率高，产物均匀性好，可控性好，对环境危害小，易于推广。
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公开(公告)号：CN101549889B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910113270.2
申请日：2009-03-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到乙二醇溶液中，然后倒入聚四氟乙烯内衬套上钢套，置于温度160～200℃的热源保温16～24小时.④自然或用冷水冷却到室温，收集母液后，反复清洗沉淀物，用永磁体收集到黑色四氧化三铁磁性粉体。母液可重复利用。本发明直接利用赤铁矿原矿湿法制备出高纯超微四氧化三铁磁性黑色粉体，产物具有颗粒均匀、分散性好、结晶度好高、黑度好等优点，可以广泛应用于涂料、建筑、塑料着色、油墨、印刷材料，密封、锂电池材料等相关行业；原料价格低廉，且工艺简单，易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101823769A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168154.3
申请日：2010-05-11
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明公开了一种水热合成三元FexCo1-xS2粉末的方法，是通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1∶19∶40-3∶17∶40将分析纯的FeCl2·4H2O、CoCl2·6H2O和Na2S2O3·5H2O溶入35ml去离子水中，经磁子搅拌器搅拌15min使得反应物充分溶解且均匀混合。将混合液移入50ml反应釜中，密闭反应釜后置于140℃恒温箱中，反应时间为24h，取出反应釜后自然冷却至室温。滤出釜底沉淀物，用无水乙醇(CH3CH2OH)和去离子水清洗数次，并用二硫化碳(CS2)洗去产物中S杂质，最后在60℃下真空干燥6小时。本发明制备出的三元FexCo1-xS2粉末为具黄铁矿结构的微米颗粒。本发明方法简单，成本低，污染少，适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN101514482A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910113235.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发法生长单晶II－VI族半导体化合物ZnS单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnS粉和金属Bi粉或Sn粉按摩尔比为1∶0.005－1∶0.057的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米－3.5厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉腔体达到2×10－2－7×10－3Pa，加热舟电流为120A－140A保持5－15分钟沉积。本发明制备出的硫化锌纳米线为单晶态的六方相结构的ZnS。本发明所得的硫化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN104860356A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510209362.6
申请日：2015-04-29
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/00
Abstract: 本发明公开了一种水热法合成CuFeO2粉体的制备方法：按照化学计量比（Cu/Fe=1:1的摩尔比）分别称取10mmoL的Cu(NO3)2·3H2O(99.99%)和Fe(NO3)3·9H2O(99.9%)作为Cu源和Fe源，用60mL的去离子水将其溶解在烧杯中；再向其中加入0.3g的葡萄糖（分析纯），混合均匀后，再向其中加入质量为8g的NaOH（分析纯）；搅拌1小时后倒入100mL的水热釜里恒温200℃，保持48小时，反应结束后自然冷却至室温；合成的产物中可能含有少量的Cu2O、Cu、CuO等杂相，这些杂质可以依次通过稀释的硝酸、氨水、去离子水分别清洗3到5遍去除；然后用无水乙醇清洗并在烘箱中60℃干燥12小时并将样品封存备用。
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公开(公告)号：CN101967681B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201010532027.7
申请日：2010-11-04
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnTe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.05-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米至1.2厘米处放置ITO玻璃衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到7×10-3-8×10-3Pa，加热舟电流为120A-125A保持10分钟沉积，可得到ZnTe六次对称多分枝分级纳米结构。本发明制备出的碲化锌纳米线为立方相结构的ZnTe。本发明的特点是：所得的碲化锌六次对称多分枝分级纳米结构形貌新颖，且制备方法简单，易于推广。
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公开(公告)号：CN102912300A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210439190.8
申请日：2012-11-07
Applicant: 新疆大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种无催化剂辅助真空热蒸发制备SnS纳米片的方法，是通过以下工艺过程实现的：将S粉和金属Sn屑按1mol∶1mol的比例配制，先后置于钼片制成的电阻加热舟中作为蒸发源，并在舟上方0.9厘米-1.1厘米处放置ITO玻璃衬底，密闭蒸发炉，当真空蒸发炉内真空度达到1.8×10-2Pa～2.0×10-2Pa，加热电流达到130A，保持15分钟，即可得到SnS纳米片。本发明的特点是：所得的SnS纳米片形貌均一、产量大、无催化剂、制备方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101693550B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910113485.4
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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