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公开(公告)号：CN103026478B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201180036342.3
申请日：2011-06-18
Applicant: 恩特格里斯公司
CPC classification number: F17D3/01 , F17D3/00 , G05D7/0635 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/30466 , H01L21/67017 , H01L21/67253 , Y10T137/0324 , Y10T137/86389
Abstract: 用于确定流体供应容器的终点的装置和方法，其中当建立流体流动时采用一个静态流动限制设备和一个选择性可致动阀元件，控制流体流动通过位于所述流体供应容器的内部容积中的流动通道。终点确定可用于终止来自所述流体供应容器的流体供应和/或从一个流体耗尽供应容器切换至一个新容器，以继续或更新流体供应操作。所述装置和方法适用于与例如离子植入器的流体利用装置一同使用。
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公开(公告)号：CN111492458B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN201880081071.5
申请日：2018-11-14
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/08 , H01J3/04 , H01L21/265
Abstract: 本发明描述一种用于将包括惰性气体和含氟气体的气体递送至等离子体浸没枪的气体供应组件，其中所述组件被配置成将体积不超过所述含氟气体和所述惰性气体的总体积的10％的所述含氟气体递送至所述浸没枪。所述含氟气体可自所述等离子体浸没枪中的材料沉积物产生挥发性反应产物气体，且从而引起所述等离子体浸没枪中等离子体生成细丝的再金属化。与所述气体量组合，所述组件和所述方法可使用气体流动速率以使清理效果优化且减少使用期间细丝材料自所述等离子体浸没枪的损失。
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公开(公告)号：CN114709121A
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202210352677.6
申请日：2019-09-11
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/317 , H01L21/265
Abstract: 本申请实施例涉及使用镓的离子植入工艺及设备。本发明描述一种用于离子植入的离子源设备，其包含：离子源腔；及可消耗结构，其在所述离子源腔中或与所述离子源腔相关联，其中所述可消耗结构包含固体掺杂剂源材料，所述固体掺杂剂源材料易于与反应气体反应以将掺杂剂以气态形式释放到所述离子源腔，其中所述固体掺杂剂源材料包括氮化镓、氧化镓或其组合，其中的任一者可关于镓同位素富含同位素。
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公开(公告)号：CN109196617B
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106237934B
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201610643193.1
申请日：2011-08-28
Applicant: 恩特格里斯公司
Abstract: 描述了一种设备，包括反应区，用于反应物气体与反应性固体在有效形成中间产物的条件下接触，和开口，用于使气体试剂未反应部分和中间产物离开反应区。本设备可有利地用于形成作为中间产物与反应物气体的反应产物的最终产物。反应物气体与反应性固体的反应可在第一反应区进行，而反应物气体与中间产物的反应在第二反应区进行。在具体实施中，反应物气体与中间产物的反应是可逆的，且反应物气体和中间产物以受控速率或以受控方式流入第二反应区，从而抑制形成反应性固体的逆反应。
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公开(公告)号：CN110010433A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910160534.3
申请日：2015-10-27
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/08 , H01J37/317 , H01J27/16 , H01J27/20 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及离子植入工艺及设备。本发明涉及一种离子源设备，其以使得能够采用低蒸气压掺杂剂源材料的方式生成掺杂剂物种。所述离子源设备(10)包括：离子源腔室(12)；及在所述离子源腔室(12)中或与所述离子源腔室(12)相关联的可消耗结构，所述可消耗结构包括固体掺杂剂源材料，其易于与反应性气体发生反应以将气态形式的掺杂剂释放到所述离子源腔室。举例来说，所述可消耗结构是掺杂剂气体馈送管线(14)，其包括具有由固体掺杂剂源材料形成的内部层的管道或导管。
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公开(公告)号：CN109196617A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201780028783.6
申请日：2017-05-10
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01J37/02 , H01J37/317
Abstract: 本发明描述用于实施氮离子植入的组合物、方法和设备，其在所述氮离子植入后进行易于发生故障的另一离子植入操作，例如植入砷和/或磷离子物种时避免发生严重故障。所述氮离子植入操作有利地利用引入离子植入系统的离子源室或在所述离子源室中形成的氮离子植入组合物实施，其中所述氮离子植入组合物包括氮(N2)掺杂剂气体和故障抑制气体，所述故障抑制气体包括选自由以下组成的群组中的一或多种：NF3、N2F4、F2、SiF4、WF6、PF3、PF5、AsF3、AsF5、CF4和CxFy(x≥1，y≥1)通式的其它氟化烃、SF6、HF、COF2、OF2、BF3、B2F4、GeF4、XeF2、O2、N2O、NO、NO2、N2O4和O3，以及任选地含氢气体，例如包括选自由以下组成的群组的一或多种的含氢气体：H2、NH3、N2H4、B2H6、AsH3、PH3、SiH4、Si2H6、H2S、H2Se、CH4和CxHy(x≥1，y≥1)通式的其它烃和GeH4。
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公开(公告)号：CN103329252B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201180065637.3
申请日：2011-11-26
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: H01L21/265 , H01J37/30
CPC classification number: C23C14/48 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , Y10T137/8593
Abstract: 描述了掺杂剂源气体供应布置和方法，其中一个或多个掺杂剂源气体供应容器被包含在离子注入系统的外封罩之内，例如在上述封罩内的一个气体箱之内。在一个实施方式中，掺杂剂源气体供应容器相对于离子注入系统的气体箱以远程关系定位，以及一个掺杂剂源气体本地容器被定位在所述气体箱之内，以及供应线以供应关系将掺杂剂源气体供应容器互连到掺杂剂源气体本地容器，其中所述供应线被适配为仅当离子注入系统处于非运行状态时才使掺杂剂源气体从供应容器流动到本地容器，且所述供应线被适配为当离子注入系统处于运行状态时被抽空或是填充以惰性加压气体。
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公开(公告)号：CN105645423A
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201610004212.6
申请日：2011-08-16
Applicant: 恩特格里斯公司
IPC: C01B35/06
CPC classification number: C01B35/061 , C01P2006/88 , H01J2237/006 , H01J2237/08 , H01J2237/31701 , Y02P20/134
Abstract: 本文涉及同位素富集的含硼化合物，含有两个或以上的硼原子和至少一个氟原子，其中至少一个硼原子含有所需的硼同位素，所述同位素的浓度或比例高于其天然丰度的浓度或比例。所述化合物可以具有化学式B2F4。本文描述了合成这些化合物的方法和使用这些化合物的离子注入方法，以及描述了贮存和分配容器，其中有利地含有所述同位素富集的含硼化合物用于随后的分配应用。
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