公开(公告)号：CN103109357B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201180044541.9

申请日：2011-09-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： S·巴录佳 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  A·T·迪莫斯 ,  T·诺瓦克 ,  J·周

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/263

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/482 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67742 ,  Y10T137/0391

Abstract: 本发明的实施例通常提供用于控制处理腔室内的气流分布的装置及方法。在一个实施例中，处理工具包括：紫外线处理腔室，该紫外线处理腔室界定处理区域；基板支撑件；窗口，该窗口设置于UV辐射源与该基板支撑件之间；以及透明喷洒器，该透明喷洒器设置于该窗口与该基板支撑件间的处理区域内且该透明喷洒器具有介于上处理区域与下处理区域间的一或更多透明喷洒器通道。该处理工具还包括气体分配环，该气体分配环具有介于气体分配环内沟槽与该上处理区域间的一或更多气体分配环通道；及气体出口环，该气体出口环设置于该气体分配环的下方，该气体出口环具有介于该气体出口环内的气体出口环内沟槽与该下处理区域间的一或更多气体出口通道。

公开(公告)号：CN102187441B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200980142397.5

申请日：2009-10-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-H·杨 ,  T·A·恩古耶 ,  S·巴录佳 ,  A·卡祖巴 ,  J·C·罗查 ,  T·诺瓦克 ,  D·W·何

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/205

CPC classification number: G21K1/062 ,  B82Y10/00 ,  G21K2201/064 ,  G21K2201/065 ,  G21K2201/067

Abstract: 一种用于紫外线灯的反射器，该紫外线灯可在基材处理设备中使用。该反射器包含在该紫外线灯长度上延伸的纵向带。该纵向带具有一弯曲反射表面并且包含数个通孔以将冷却剂气体导向该紫外线灯。在此亦描述使用具有反射器的紫外线灯模块的腔室以及紫外线处理的方法。

公开(公告)号：CN102067279B

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN200980124391.5

申请日：2009-05-28

Applicant: 应用材料公司

Inventor： R·萨卡拉克利施纳 ,  D·杜鲍斯 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  K·杰纳基拉曼 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  V·斯瓦拉马克瑞希楠 ,  H·姆萨德

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23F4/00

CPC classification number: F16K31/0655 ,  B08B5/00 ,  B08B7/0021 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/45561 ,  F16K1/221 ,  F16K1/224 ,  F16K31/06 ,  F16K31/088 ,  Y10S438/905

Abstract: 本发明提出一种用以清洁工艺腔室的方法与设备。在一个实施例中，本发明提供一种工艺腔室，包括远程等离子源与工艺腔室，所述工艺腔室具有至少两个工艺区域。各工艺区域包括：基材支撑组件，设置在所述工艺区域中；气体散布系统，配置以提供气体到所述基材支撑组件上方的所述工艺区域内；以及气体通道，配置以提供气体到所述基材支撑组件下方的所述工艺区域内。第一气体导管是配置以将清洁试剂从所述远程等离子源经由所述气体散布组件流入各所述工艺区域，而第二气体导管是配置以将来自所述第一气体导管的所述清洁试剂的一部分转向到各所述工艺区域的所述气体通道。

公开(公告)号：CN102906304A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201180026221.0

申请日：2011-06-03

Applicant: 应用材料公司

Inventor： Y-W·李 ,  V·佐泊考伏 ,  石美仪 ,  夏立群 ,  P·艾文加 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  T·诺瓦克 ,  D·R·威蒂

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/44 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/402 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/76898

Abstract: 使用包含有BDEAS及诸如臭氧之类的含氧气体的工艺气体将二氧化硅层沉积在衬底上。二氧化硅层可为包含有抗蚀剂层的抗蚀刻叠层的一部分。在另一方面中，将二氧化硅层沉积到穿孔中以形成用于硅通孔的氧化物衬垫。

公开(公告)号：CN102498558A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201080035135.1

申请日：2010-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  L·亚普 ,  J·周 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/6875

Abstract: 本发明提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。

公开(公告)号：CN102498558B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201080035135.1

申请日：2010-07-26

Applicant: 应用材料公司

Inventor： D·R·杜鲍斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  G·巴拉苏布拉马尼恩 ,  L·亚普 ,  J·周 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68 ,  C23C16/4585 ,  H01J37/32091 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68728 ,  H01L21/6875

Abstract: 本文提供加热腔室中的基板的方法与设备。一实施例中，该设备包括基板支撑组件，该基板支撑组件具有适以接收基板的支撑表面；及多个向心件，多个向心件用以在平行于支撑表面且相隔一距离处支撑该基板，并相对于实质垂直于支撑表面的参照轴让基板朝向中心。多个向心件沿着支撑表面周边而被可移动地放置，且多个向心件各自包括第一末端部分，该第一末端部分用以接触或支撑该基板的周围边缘。

公开(公告)号：CN103608898A

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN201280027958.9

申请日：2012-05-14

Applicant: 应用材料公司

Inventor： K·S·伊姆 ,  T·诺瓦克 ,  B·谢 ,  A·T·迪莫斯

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本发明提供了用于修复损坏的低k膜的方法。低k膜的损坏发生在处理膜期间，诸如在蚀刻、灰化和平坦化期间。处理低k膜导致水储存在膜的孔隙中，并且处理低k膜进一步导致亲水性化合物在低k膜结构中形成。结合紫外线（UV）辐射与含碳化合物的修复工艺从孔隙移除水，并且所述修复工艺进一步从低k膜结构中移除亲水性化合物。

公开(公告)号：CN103493185A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280017230.8

申请日：2012-04-05

Applicant: 应用材料公司

Inventor： A·班塞尔 ,  D·R·杜鲍斯 ,  J·C·罗查-阿尔瓦雷斯 ,  S·巴录佳 ,  S·A·亨德里克森 ,  T·诺瓦克

IPC: H01L21/31

CPC classification number: C23C16/56 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/4404 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/54

Abstract: 本发明的实施例提供用于在相同腔室中执行UV处理与化学处理和/或沉积的设备与方法。本发明的一个实施例提供一种处理腔室，所述处理腔室包括：可透过UV光的气体分配喷头，所述可透过UV光的气体分配喷头设置在基板支撑件上方，所述基板支撑件位于所述处理腔室的内部空间中；可透过UV光的窗口，所述可透过UV光的窗口设置在所述可透过UV光的气体分配喷头上方；及UV单元，所述UV单元设置在所述内部空间外面。所述UV单元配置为将UV光朝向所述基板支撑件而引导通过所述可透过UV光的窗口与所述可透过UV光的气体分配喷头。

公开(公告)号：CN103430291A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201280012115.1

申请日：2012-04-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 谢波 ,  A·T·迪莫斯 ,  K·S·伊姆 ,  T·诺瓦克 ,  陈劲文

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 提供了用于修复受损的低介电常数薄膜的方法。对低介电常数薄膜的损坏发生在处理薄膜期间，诸如，在蚀刻、灰化及平坦化期间。对低介电常数薄膜的处理使水储存在薄膜的孔中且进一步使亲水性化合物形成在低介电常数薄膜结构中。结合紫外线（UV）辐射及硅烷化化合物的修复工艺自孔移除水且进一步自低介电常数薄膜结构移除亲水性化合物。

公开(公告)号：CN103348461A

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201180066914.2

申请日：2011-12-09

Applicant: 应用材料公司

Inventor： N·拉贾戈帕兰 ,  朴智爱 ,  R·雅玛西 ,  S·帕特尔 ,  T·诺瓦克 ,  L-Q·夏 ,  金秉宪 ,  R·丁 ,  J·巴尔迪诺 ,  M·奈克 ,  S·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/045 ,  H01L23/055

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/68792 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76898 ,  H01L24/11 ,  H01L24/742 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/742 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种直通硅穿孔制造方法包括：在硅板中蚀刻多个直通孔。将氧化物衬垫沉积在硅板的表面上并且沉积在直通孔的侧壁及底壁上。然后，在直通孔中沉积金属导体。在可与氧化物衬垫同时使用的另一方案中，将氮化硅钝化层沉积在基板的硅板的暴露后表面上。