公开(公告)号：CN102907181B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201180025294.8

申请日：2011-05-20

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  布赖恩·廖 ,  塞吉奥·秀吉 ,  达·D·源 ,  汉密第·诺巴卡施 ,  大卫·帕拉加斯维勒

IPC: H05H1/24 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: G05D23/19 ,  G05B15/02 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/32908 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/67248

Abstract: 公开了在等离子体处理腔室中控制温度的方法和系统，用于大范围设定温度及减少能量消耗。冷却液回路与热源之间的温度控制由控制算法协调，该控制算法由等离子体处理模块控制器实施。该控制算法可响应于指示实际温度低于设定温度的反馈信号，而完全停止冷却液流入温度受控组件。该控制算法还可在工艺配方执行期间至少部分基于前馈控制信号，该前馈控制信号源自输入到该处理腔室中的等离子体功率或等离子体功率变化。

公开(公告)号：CN102742365B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201080062730.4

申请日：2010-12-29

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米 ,  沃特·R·梅丽 ,  瑟乔伊·弗库达·秀吉 ,  张春雷 ,  亚莎斯维尼·帕特 ,  达·D·源 ,  蒂娜·琼 ,  沙恩·C·尼维尔 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  费纳多·M·斯李维亚 ,  巴德·L·梅斯 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  汉密第·诺巴卡施

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01J37/32009 ,  G05B6/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32935 ,  H01J2237/334 ,  H05H1/0081

Abstract: 用于利用减小的控制器响应时间和增加的稳定性来控制等离子体处理室中的温度的方法和设备。温度控制至少部分地基于从进入等离子体处理室的等离子体功率输入得到的前馈控制信号。对于归因于等离子体功率的温度干扰进行补偿的前馈控制信号可以与消除所测量的温度与期望温度之间的误差的反馈控制信号结合。

公开(公告)号：CN102106191B

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN200980128986.8

申请日：2009-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  沙希德·劳夫 ,  塙广二 ,  詹尼弗·Y·孙 ,  安德鲁·源 ,  托尔斯特恩·B·莱尔 ,  梅华·沈

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/38 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。

公开(公告)号：CN102106191A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200980128986.8

申请日：2009-07-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 肯尼思·S·柯林斯 ,  道格拉斯·A·小布什伯格 ,  卡尔蒂克·拉马斯瓦米 ,  沙希德·劳夫 ,  塙广二 ,  詹尼弗·Y·孙 ,  安德鲁·源 ,  托尔斯特恩·B·莱尔 ,  梅华·沈

IPC: H05H1/34 ,  H05H1/38 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01J37/32642 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32174 ,  H01J37/32623 ,  H01J2237/2001 ,  H01L21/6833

Abstract: 在静电夹盘中，RF偏压功率系分别被施加至工件和环绕工件的制程套组环。由系统控制器所控制的至少一个可变阻抗组件系调节工件和制程套组环之间的RF偏压功率分配，以允许在工件最边缘处的等离子体鞘电场的动态调整，由此例如在不同的等离子体条件下使电场均匀性最佳化。