公开(公告)号：CN101310379A

公开(公告)日：2008-11-19

申请号：CN200580052089.5

申请日：2005-11-17

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 埜本隆司 ,  爱场喜孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L21/6835 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49589 ,  H01L23/544 ,  H01L24/12 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83121 ,  H01L2224/83136 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/854 ,  H01L2224/85439 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。在粘接带(2)上配置至少一个半导体元件和多个外部连接用端子用导电部件(6)，电连接半导体元件的电极和导电部件(6)。在粘接带(2)上通过密封树脂(12)密封半导体元件和导电部件(6)，从半导体器件剥离粘接带(2)。导电部件(6)是分别形成的颗粒状的导电部件，从密封树脂(12)露出，作为外部连接用端子(安装用端子)发挥功能。即便半导体元件的种类不同，也可以不用专用的部件，而通过变更导电部件(6)的配置来制造不同的半导体装置。

公开(公告)号：CN100386875C

公开(公告)日：2008-05-07

申请号：CN200410085187.6

申请日：2004-09-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 爱场喜孝 ,  野本隆司

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01009 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供半导体器件。该半导体器件包括：半导体芯片；形成在半导体芯片上的布线层；在第一端处连接到布线层的柱状电极和形成在半导体芯片上的封装树脂。在该半导体器件中，柱状电极具有与第一端相对、从封装树脂突出的第二端，外部连接部件在第二端处连接到柱状电极，使得外部连接部件与封装树脂的表面分离。本发明可以防止在形成外部连接端子时和在安装半导体器件时相邻外部连接端子的短路(桥接)；此外，通过使外部连接端子和封装树脂彼此分离，可以使封装树脂变薄，并且可以减小半导体器件中存在的弯曲量。

公开(公告)号：CN1983573A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610071086.2

申请日：2006-03-31

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 野坂圭司 ,  爱场喜孝

IPC: H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L23/24 ,  H01L24/10 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/3025

Abstract: 本发明提供一种具有WLP结构且能够提高耐热性的半导体器件。在芯片的Si衬底和密封树脂之间形成围堰层，以围绕芯片的所有侧面，该围堰层分布在PI膜和Si衬底上。选择围堰层的材料，以在围堰层和Si衬底之间、围堰层和PI膜之间以及围堰层和密封树脂之间获得良好的附着性。从而，即使在加热环境中，在半导体器件的侧面上、Si衬底和密封树脂结合的部分处出现裂缝，该裂缝也不会延伸到围堰层中。因此，可避免密封树脂脱落或芯片内部出现脱落，并且保持半导体器件的性能。