公开(公告)号：CN111052510B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201980004079.6

申请日：2019-02-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 丸山力宏 ,  宫越仁隆 ,  早乙女全纪 ,  安达和哉 ,  横山岳

IPC: H01R4/02 ,  B23K1/00 ,  B23K1/20 ,  H01L23/12 ,  H01L23/48 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

Abstract: 能够防止接合构件在接触部件的中空孔中爬升。半导体装置(10)具有层叠基板(14)和接触部件(17)，层叠基板(14)具备电路板(13a)和形成有电路板(13a)的绝缘板(11)，接触部件(17)在内部形成有筒状的中空孔(17f)且其开口端部(17f2)介由接合构件(19)而与电路板(13a)的正面的接合区(A2)接合。而且，在这样的半导体装置(10)中，接触部件(17)的与接合构件(19)的接触区(A1)的对接合构件(19)的润湿性与电路板(13a)的至少接合区(A2)的对接合构件(19)的润湿性大致相等。因此，能够抑制因将接触部件(17)与电路板(13a)接合时的加热导致的接合构件(19)在接触部件(17)的中空孔(17f)中的爬升。

公开(公告)号：CN107431053A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680012709.0

申请日：2016-09-12

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 横山岳 ,  齐藤隆

IPC: H01L23/40 ,  H05K7/20

Abstract: 防止对半导体芯片的损伤而抑制半导体装置的散热性下降。具有：准备散热基座的工序(步骤S101)；对散热基座的背面进行喷丸处理的工序(步骤S102)；利用金属材料对散热基座的正面和背面进行镀覆的镀覆处理工序(步骤S103)；通过加热将进行了喷丸处理的散热基座、隔着焊料配置在散热基座的正面且具有绝缘板和设置在绝缘板的正面的电路板的层叠基板、以及隔着焊料配置在电路板上的半导体芯片进行焊料接合的工序。由此，能够在将半导体芯片、层叠基板、散热基座组装之前，通过喷丸处理对散热基座施加初始翘曲(向下凸起)，因此，不会对半导体芯片、焊料带来损伤。

公开(公告)号：CN104247012B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201380019722.5

申请日：2013-08-21

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 横山岳 ,  落合正晃 ,  丸山笃 ,  关知则 ,  松永慎一郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够减少键合引线的根数的半导体装置及其制造方法。半导体装置(30)具备两个以上的在第一主面和第二主面具有电极的半导体元件(4)。另外，该半导体装置(30)具备：电极板(6)，一侧的面经由第一接合材料层(10)与半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)接合且搭载于两个以上的半导体元件(4)的第一主面上的电极(41)；导电板(1)，具有经由第二接合材料层(11)与半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)接合且连接于两个以上的半导体元件(4)的第二主面上的电极(42)的半导体元件接合部(2)以及第一引线端子(3)。并且，用根据需要的粗细和/或根数的键合引线(5)连接电极板(6)的另一侧的面与第二引线端子(3a、3b)。

公开(公告)号：CN101110293B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200710112545.1

申请日：2007-06-20

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 横山岳 ,  臼井吉清

IPC: H01F27/28 ,  H01F27/32 ,  H01F27/24 ,  H01F41/14 ,  H01F41/32 ,  H01F30/00 ,  H01L25/04 ,  H01L23/12 ,  H02M3/00

CPC classification number: H01F27/2804 ,  H01F2017/002 ,  H01L23/49805 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  Y10T29/49075 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种实现通过减少通过外部电极和第二连接导体外侧的磁通量来降低噪声，并且不损害模制树脂的固定性、在耐湿性方面卓越的超小型电力变换装置及其制造方法。通过线圈基板(100)的第二连接导体(9)在铁氧体基板1的端部的侧壁露出下半部分，由铁氧体基板(1)围住第一外部电极(7)的外周部，能够减少通过第二连接导体外侧的磁通量，提高模制树脂(14)的固定性，达到提高耐湿性的目的。

公开(公告)号：CN217444349U

公开(公告)日：2022-09-16

申请号：CN202220895813.1

申请日：2022-04-18

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 佐野真二 ,  泷泽直树 ,  关知则 ,  横山岳 ,  宫泽阳介

IPC: H01L21/677 ,  H01L21/67 ,  B23K37/00

Abstract: 本实用新型提供一种输送托盘及半导体装置的制造装置，抑制使用输送托盘而制造的产品组的品质的不均一。输送托盘包括单片托盘组和框。各单片托盘具有托盘部以及下端处于比托盘部的背面高的位置的耳部。框具有上表面和下表面、以及在托盘部配置于开口部的内部的状态下能够与耳部的下端抵接的抵接部。框的从下表面起算到抵接部为止的高度比从托盘部的背面起算到耳部的下端为止的高度低。即使在框的下表面与冷却板的设置面之间存在间隙，托盘部也进行位移，且背面与设置面接触。抑制搭载于输送托盘的处理对象组的接合层、的焊料的冷却速度的不均一、缩孔的产生，并抑制得到的产品组的品质的不均一。