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公开(公告)号：CN117423785A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311441200.6
申请日：2023-11-01
Applicant: 季华实验室
IPC: H01L33/00 , H01L21/683 , B08B1/12 , B08B15/04
Abstract: 本申请公开了一种Micro‑LED晶圆修复装置，属于半导体技术领域，该晶圆修复装置通过在载盘座的第二内腔中设置滤网和清洁组件，在抽气过程中，清洁组件在气流推动下对滤网进行清洁以刮落滤网上的杂质，并由下方的收集框收集被刮落的杂质，从而实现在抽气的过程中清除杂质，当晶圆的修复工作完成后，气泵进行充气，使晶圆稍微悬浮便于取走，此时，由于滤网上的杂质已经被清除，充气气流不会携带杂质从吸附槽喷出，有效避免杂质对晶圆底面的损害，从而有利于晶圆的修复工作。
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公开(公告)号：CN116380339A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310669384.5
申请日：2023-06-07
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本申请涉及薄膜规真空计校准技术领域，公开了一种薄膜规真空计校准方法及相关设备，薄膜规真空计校准方法包括：调节所述测试腔体的压力以获取所述标准薄膜规真空计的第一测量数据和所述待测薄膜规真空计的第二测量数据，用于生成训练数据集；根据所述训练数据集，基于梯度下降算法训练增益系数模型；根据所述增益系数模型对所述待测薄膜规真空计实测的第三测量数据进行校准；可有效消除薄膜规真空计产生的误差，使薄膜规真空计测量数据更加准确可靠，且不需要人工校准，实现全自动校准，从而有利于提高校准效率。
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公开(公告)号：CN116306058A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310608061.5
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN115493744A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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公开(公告)号：CN115276456A
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202210426801.9
申请日：2022-04-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及摩擦发电领域，公开了一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法，包括以下步骤：利用激光在金刚石基材正面的表面或内部加工形成石墨电极；在所述金刚石基材的底面沉积金属薄膜电极；将导线与所述石墨电极焊接，将导线与所述金属薄膜电极进行焊接，形成所述金刚石摩擦发电器件。本申请金刚石摩擦发电器件采用金刚石作为摩擦发电主体材料，具有高化学稳定性、耐摩擦、高硬度等特点，使用寿命长，环境稳定性高；而且，使用激光在金刚石基材正面的表面或内部制备石墨电极，简单快捷、精准度高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114871941A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210443467.8
申请日：2022-04-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于化学机械抛光技术领域，公开一种抛光头及抛光机，抛光头包括用于安装待抛光工件的安装盘、用于安装安装盘的环形安装板、用于安装环形安装板的底板、用于驱动所述底板向下移动的移动驱动件、用于驱动底板转动的第一转动驱动件及用于驱动安装盘向下变形的电缸，环形安装板的两端分别连接安装盘及底板，移动驱动件的输出端连接底板的上表面，第一转动驱动件的输出端连接底板或移动驱动件，安装盘、环形安装板及底板形成安装空间，电缸设置在安装空间内，电缸的输出端连接有移动板，移动板抵接安装盘上表面的中心区域。本申请的抛光头及抛光机能够使得安装盘在电缸的驱动作用下产生向下的变形，从而改善待抛光工件的平坦度，提高抛光质量。
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公开(公告)号：CN118565697A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202411014423.9
申请日：2024-07-26
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于半导体加工的技术领域，公开了一种电容薄膜真空计传感器及其制作方法，该电容薄膜真空计传感器包括：核心陶瓷元件、密封腔体、压紧元件和顶盖组件，核心陶瓷元件包括从上到下依次叠置的下表面中部镀有上陶瓷片导电层的上陶瓷片、间隙垫圈和上表面中部镀有下陶瓷膜片导电层的下陶瓷膜片，下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层设置在间隙垫圈中间，且间隙垫圈的厚度大于下陶瓷膜片导电层和上陶瓷片导电层的厚度之和；密封腔体内壁设置有螺纹，螺纹与压紧元件对应；通过在密封腔体内部设置核心陶瓷元件和压紧元件，并在密封腔体顶部焊接顶盖组件，制作得到电容薄膜真空计传感器，提高了电容薄膜真空计传感器的使用效率。
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公开(公告)号：CN118296853B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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公开(公告)号：CN118412418A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410824622.X
申请日：2024-06-25
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及Micro‑LED巨量转移技术领域，本发明公开了一种用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，包括剥离机本体、暂态板、定位组件、主动激光扫描组件以及若干从动激光扫描组件，剥离机本体内设有剥离室；暂态板摆放在剥离室底部，暂态板上设有芯片板；定位组件设于暂态板上方，定位组件上设有基座；主动激光扫描组件设于基座底部，主动激光扫描组件上设有第一激光扫描头；从动激光扫描组件设于基座底部，从动激光扫描组件上设有第二激光扫描头，第一激光扫描头和第二激光扫描头的激光发射方向均位于同一水平面上。本发明提供的用于Micro‑LED晶圆的巨量转移设备及巨量转移方法，保证芯片板在牺牲层被激光扫描过程中的稳定性高，以及提高激光剥离效率。
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公开(公告)号：CN118296853A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410681168.7
申请日：2024-05-29
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G16C10/00 , G16C60/00 , G06F119/08
Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域，公开了一种半透明材料激光烧蚀模拟方法及相关设备，该方法包括：获取内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型，设置半透明相变材料模型的第一材料参数和杂质模型的第二材料参数，根据激光衰减特征以及半透明相变材料和杂质材料的传热特征和受热膨胀特征，设置耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，基于上述数据，对内部设置有杂质模型的半透明相变材料模型进行激光烧蚀模拟，得到激光烧蚀模拟分析结果，通过耦合比尔‑朗伯定律的固体传热物理场和设有热膨胀节点的固体力学物理场，对激光烧蚀过程进行模拟，提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。
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