金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856A

    公开(公告)日:2022-11-25

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114935976A

    公开(公告)日:2022-08-23

    申请号:CN202210711264.2

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域,具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质,应用在分区显示系统中,分区显示系统包括视觉相机和显示屏,视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息,分区显示方法包括以下步骤:根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息;根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息;根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息;根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域;控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息;该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。

    远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备

    公开(公告)号:CN119293887A

    公开(公告)日:2025-01-10

    申请号:CN202411800778.0

    申请日:2024-12-09

    Abstract: 本申请属于等离子源技术领域,公开了一种远程等离子源变截面石英管结构优化设计方法及相关设备,通过对微波远程等离子源进行二维建模、网格划分、设置材料参数和物理场、仿真模拟以及优化求解,实现了对石英管内表面形状的精确优化设计,解决了传统圆柱形石英管无法精细调控等离子体流动和分布的问题,具有提高电子密度分布均匀性、提高等离子体出口通量和提高功率利用率的优点;而且通过仿真分析进行优化设计,与采用实物试验的方式相比设计周期更短、设计成本更低。

    一种远程等离子源腔体
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119255467A

    公开(公告)日:2025-01-03

    申请号:CN202411519066.1

    申请日:2024-10-29

    Abstract: 本申请属于等离子产成设备技术领域,公开了一种远程等离子源腔体,包括环形真空腔、进气口、出气口、磁芯组件和点火线圈;所述环形真空腔包括多个依次首尾连接形成闭环流道的直线腔道,至少一个所述直线腔道上缠绕有所述磁芯组件,所述进气口和所述出气口分别连接在两个不同的所述直线腔道上;任意相邻的两个所述直线腔道的连接处均设置有调节电极对,所述调节电极对用于产生偏转电场,以驱使气流中的带电粒子转向以避免所述带电粒子与所述环形真空腔的周向侧壁接触;能够延长腔体使用寿命、提高等离子体纯度、改善等离子体均匀性和稳定性。

    相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118095141B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202410464351.1

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种相变材料激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取表面设置有镀层模型的相变材料模型,设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数,根据激光烧蚀过程的传热特征、相变特征、液体和气体的流动特征以及物质蒸发特征,设置流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场,通过等效热容法,对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过流体传热物理场、层流物理场和基于气液界面流动而改进的水平集物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN114935976B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202210711264.2

    申请日:2022-06-22

    Abstract: 本申请涉及屏幕显示技术领域,具体提供了一种分区显示方法、系统、电子设备及存储介质,应用在分区显示系统中,分区显示系统包括视觉相机和显示屏,视觉相机用于生成采集显示屏前的图像信息,分区显示方法包括以下步骤:根据图像信息获取任一人眼的第一人眼尺寸信息;根据第一人眼尺寸信息获取人眼到显示屏的第一距离信息;根据图像信息获取第一人眼尺寸信息对应人眼的第一偏移信息和瞳孔在该人眼中的第二偏移信息;根据第一距离信息、第一偏移信息和第二偏移信息获取对应人眼在显示屏上的注视区域;控制显示屏在注视区域内显示高刷新率画面信息;该分区显示方法使显示屏能够同时实现高刷新率显示和降低功耗。

    水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN118070564A

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202410464333.3

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本申请属于激光烧蚀的技术领域,公开了一种水平集法激光烧蚀模拟方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取表面设置有镀层模型的相变材料模型,设置镀层模型的第一材料参数和相变材料模型的第二材料参数,根据激光烧蚀过程的传热特征、物质蒸发特征和相变特征,设置固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,基于第一材料参数、第二材料参数、固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,对表面设置有镀层模型的相变材料模型进行激光烧蚀模拟,得到激光烧蚀模拟分析结果,通过固体传热物理场和基于两相体积分数的水平集物理场,对激光烧蚀过程进行模拟,提高了相变材料的激光烧蚀过程的分析效率。

    金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法

    公开(公告)号:CN115386856B

    公开(公告)日:2023-06-02

    申请号:CN202211279601.1

    申请日:2022-10-19

    Abstract: 本发明公开了一种金刚石薄膜电容及其制造方法、真空计及其制造方法,属于真空计领域,金刚石薄膜电容制造方法包括以下步骤:在两片衬底的正面沉积金刚石;其中一片衬底直接沉积得到第一部件,另一片衬底用金属环包围外沿后沉积得到第二部件;取下金属环,并去除第一部件和第二部件背面的衬底;在第二部件一面的中央和第一部件背面的中央沉积金属层;在金属层上焊上导线,且在第一部件或在第二部件上开设导线通孔;将第一部件和第二部件金属层相对且不接触地盖合;在第二部件朝上的状态下沉积金刚石,得到高精度、耐腐蚀的金刚石薄膜电容,用于真空计中可以有效降低弹性后效和弹性滞后引起的测量精度不高的问题。

    一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN115276456A

    公开(公告)日:2022-11-01

    申请号:CN202210426801.9

    申请日:2022-04-22

    Abstract: 本申请涉及摩擦发电领域,公开了一种金刚石摩擦发电器件及其制备方法,包括以下步骤:利用激光在金刚石基材正面的表面或内部加工形成石墨电极;在所述金刚石基材的底面沉积金属薄膜电极;将导线与所述石墨电极焊接,将导线与所述金属薄膜电极进行焊接,形成所述金刚石摩擦发电器件。本申请金刚石摩擦发电器件采用金刚石作为摩擦发电主体材料,具有高化学稳定性、耐摩擦、高硬度等特点,使用寿命长,环境稳定性高;而且,使用激光在金刚石基材正面的表面或内部制备石墨电极,简单快捷、精准度高。

    ICP反应器设计方法、装置、电子设备及存储介质

    公开(公告)号:CN119720670A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202411840005.5

    申请日:2024-12-13

    Abstract: 本申请属于ICP反应器设计的技术领域,公开了一种ICP反应器设计方法、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:获取ICP反应器对应的ICP反应器模型,用三次贝塞尔曲线表示ICP反应器的反应室形状,在ICP反应器模型的壁面中添加材料并设置对应的材料参数,设置物理场,并配置对应的优化求解器,根据材料参数和物理场,利用优化求解器求解三次贝塞尔曲线,计算得到反应室形状的最优参数组合,使ICP反应器模型在反应室出口处的电子密度达到最大值;通过有限元方法,根据材料参数和物理场,利用优化求解器求解三次贝塞尔曲线,计算得到最优参数组合,使反应室出口处的电子密度达到最大值,以对ICP反应器进行优化设计,提高了ICP反应器的设计效率。

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