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公开(公告)号：CN113529031A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202010286376.9
申请日：2020-04-13
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp2碳键和sp3碳键的相对含量。本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
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公开(公告)号：CN111884607A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010597111.0
申请日：2020-06-28
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开全桥D类放大电路、级联功率模块及大功率射频电源。该全桥D类放大电路包括：左侧半桥，包括左上MOS管和左下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；右侧半桥，包括右上MOS管和右下MOS管，其具有居中点，其两端分别与电源节点和地节点耦合；变压器，所述变压器的原边的两端分别耦合于所述左侧半桥的居中点和右侧半桥的居中点。该电路使得从电源节点与地节点之间引入的电能被转换为方波电压波形后经变压器的副边输出，其中，所述方波电压波形具有预先设定的射频频率。该全桥D类放大电路的反向电压低，效率高，可靠性高。
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公开(公告)号：CN111162743A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN201911382855.4
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请提供一种误差放大器及开关电源，所述误差放大器包括：一偏置电路；一第一级放大电路，其与所述偏置电路连接以获取第一偏置电流，其两个输入端输入差分信号，其输出端输出误差电压信号；一第二级放大电路，其包括第四PMOS管、第七PMOS管以及第一电容、第七NMOS管，所述第七PMOS管的栅极与偏置电路连接以获取预设偏置电压使得所述第七PMOS管处于线性区，第七PMOS管的源极与所述第一级放大电路的输出端连接以获取所述误差电压信号，第七PMOS管的漏极与所述第一电容的一端连接，所述第一电容的另一端与所述第七NMOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极连接于第一公共节点并以第一公共节点作为所述第二级放大电路的输出端；保证了系统稳定性且降低了功耗。
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公开(公告)号：CN111615286B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910131747.3
申请日：2019-02-22
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及电源冷却技术领域，具体涉及一种微波电源冷却系统。其包括：箱体、冷却装置、第一散热部、第二散热部和第三散热部。该系统一方面采用直冷式一体化铝材冷却水路，使得冷却水和铝材管路可以直接进行热交换，最大限度提高热交换的效率和速度，替代冷却水在铜管里循环，再经过铝板散热的方案；另一方面，该系统采用三个散热部形成一个完整的、稳定的空气气流循环回路，提高冷却效果；此外，该系统还采用了导流管控制冷却后的空气气流集中流向需要冷却的位置，增加冷却效率，使微波电源上的电子器件温度最大可以降低3～5℃。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111778484B
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202010513293.9
申请日：2020-06-08
Applicant: 季华实验室
IPC: C23C14/32
Abstract: 本申请实施例提供了一种变径磁过滤等离子体引出装置及真空离子束镀膜设备。该变径磁过滤等离子体引出装置，包括：一管体，所述管体包括第一端和第二端，所述管体在所述第一端与所述第二端之间的横截面的尺寸按照预设规律变化；一导电线，其沿着所述管体的外侧壁逐圈缠绕，以在所述管体的外壁上形成与所述管体外壁轮廓对应的导电螺线管。本申请实施例通过该管体的变化设置及导电线的提供的磁场，可以解决现有过滤阴极过滤管道及磁路设计困难，大颗粒杂质过滤效果差，沉积端离子束光斑不可变等问题，同时可以提高等离子体的利用效率，可以提高沉积形成的膜层的质量以及均匀性。
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公开(公告)号：CN114340100B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210251587.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B47/10
Abstract: 本申请涉及微波磁控管技术领域，公开了一种磁控管灯丝电源控制系统，用于控制磁控管灯丝的工作，包括主功率模块、采样控制模块、监控保护模块和电流模式PWM控制器，主功率模块包括功率开关管；采样控制模块分别和监控保护模块的输入端、电流模式PWM控制器以及主功率模块电性连接，监控保护模块的输出端和所述电流模式PWM控制器电性连接；监控保护模块不仅用于判断采样到的电压信号或者采样到的电流信号是否超过预设阈值，若超过，则控制电流模式PWM控制器停止输出，从而使主功率模块停止工作，还用于根据采样到的电压电流信号来实时调整电流模式PWM控制器的输出脉宽信号大小。本发明具有输出稳定、实时监控保护的效果。
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公开(公告)号：CN114340100A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210251587.8
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
IPC: H05B47/10
Abstract: 本申请涉及微波磁控管技术领域，公开了一种磁控管灯丝电源控制系统，用于控制磁控管灯丝的工作，包括主功率模块、采样控制模块、监控保护模块和电流模式PWM控制器，主功率模块包括功率开关管；采样控制模块分别和监控保护模块的输入端、电流模式PWM控制器以及主功率模块电性连接，监控保护模块的输出端和所述电流模式PWM控制器电性连接；监控保护模块不仅用于判断采样到的电压信号或者采样到的电流信号是否超过预设阈值，若超过，则控制电流模式PWM控制器停止输出，从而使主功率模块停止工作，还用于根据采样到的电压电流信号来实时调整电流模式PWM控制器的输出脉宽信号大小。本发明具有输出稳定、实时监控保护的效果。
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公开(公告)号：CN111074342B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201911379924.6
申请日：2019-12-27
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提供了一种利用碳化硅外延生长设备制备载盘涂层的方法，包括步骤：A.把石墨载盘放入碳化硅外延生长设备的外延生长室；B.把石墨载盘升温至第一预设温度，保持外延生长室压力为第一预设压力，以氢气为载气通入硅源和碳源，使之在石墨载盘上发生化合反应并沉积形成SiC涂层；第一预设温度为1550℃～1750℃，第一预设压力为150托～250托；C.保持通入氢气并关闭硅源和碳源，将温度降低至第二预设温度，该第二预设温度为600℃～800℃；D.重复预设次数的步骤B、C；E.将温度降至第二预设温度以下时关闭氢气，继续降温至室温；F.取出石墨载盘。该方法可降低涂层的制备成本并提高石墨载盘的使用寿命。
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公开(公告)号：CN111313722A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010114298.4
申请日：2020-02-24
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明提出的一种电源、电源故障控制方法及电源控制方法，所述电源设置有主控模块以及多个可单独工作的功率单元；所述主控模块分别与每个功率单元连接。由于功率单元采用分立设置，使得在某一功率单元出现故障时，不会对其它功率单元造成影响，同时也能够单独对故障功率单元进行脱离操作，以防止故障功率单元对整个电源造成影响，并保证电源的正常运行。
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