公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN103843056A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201280048662.5

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2310/0281 ,  G09G2310/0286 ,  G09G2310/08 ,  G09G2330/021 ,  G09G2370/08

Abstract: 本发明提供一种减少功耗、显示部和视频信号线驱动电路形成为一体的显示装置。源极驱动器（300）包括移位寄存器（310）和采样电路（320）。采样电路（320）包括采样块（40（1）～40（k））。各采样块包括3个薄膜晶体管。移位寄存器基于源极时钟信号（SCK2）输出选择信号（SEL（1）～SEL（k））。选择信号（SEL（1）～SEL（k））被提供给采样块（40（1）～40（k））。在扫描期间（T1）之后设有中止期间（T2）。在中止期间（T2）中，移位寄存器（310）基于中止期间频率（fck2）的源极时钟信号（SCK）而进行动作。中止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN103250202A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201280004022.4

申请日：2012-07-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山本薰 ,  金子诚二 ,  小川康行 ,  田中耕平 ,  内田诚一 ,  高丸泰 ,  森重恭

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/20

CPC classification number: G09G3/36 ,  G09G3/3614 ,  G09G3/3688 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2310/0213 ,  G09G2310/0218 ,  G09G2310/0297 ,  G09G2320/0219 ,  G09G2330/023

Abstract: 提供降低功耗的SSD方式的显示装置。选择电路（400）包括k个选择块（410（1）～410（k））。各选择块包括3个薄膜晶体管。对这3个薄膜晶体管的栅极端子分别提供3相的选择控制信号（CT）。在扫描期间（T1）之后设置停止期间（T2）。在停止期间（T2），根据停止期间频率（fck2）的选择控制信号（CT），各选择块中的3个薄膜晶体管成为导通状态。停止期间频率（fck2）比扫描期间频率（fck1）低。

公开(公告)号：CN101803031B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200880107582.6

申请日：2008-05-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 木村知洋 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/127 ,  H01L21/26513 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1237 ,  H01L29/105

Abstract: 本发明提供一种能够抑制泄露电流的产生的半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明是具有在基板的一方主面侧按顺序层叠了半导体层、绝缘膜以及栅极电极的构造的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括添加工序，在该添加工序中，对半导体层的至少与栅极电极相对的区域添加杂质，使得半导体层的端部的与栅极电极相对的区域的杂质浓度大于半导体层的端部以外的与栅极电极相对的区域的杂质浓度。

公开(公告)号：CN108140946B

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201680059376.7

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  中野文树 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  H01P11/00 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q19/06

Abstract: 扫描天线(1000B)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，扫描天线(1000B)具有多个扫描天线部分(1000Ba)～(1000Bd)贴合的拼接结构，多个扫描天线部分的每一个具有TFT基板部分及插槽基板部分，多个扫描天线部分在与相邻的扫描天线部分接合的边处，包含具有TFT基板部分比插槽基板部分突出的边的扫描天线部分和具有插槽基板部分比TFT基板部分突出的边的扫描天线部分。

公开(公告)号：CN108140945A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201680058659.X

申请日：2016-10-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  箕浦洁 ,  森重恭 ,  中泽淳 ,  大类贵俊

IPC: H01Q3/34 ,  G02F1/13 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22

Abstract: 扫描天线(1000)是排列有天线单元U的扫描天线，包括：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、TFT、栅极总线、源极总线、及贴片电极(15)；插槽基板(201)，其具有第二电介质基板(51)、及形成于第二电介质基板的第一主面上的插槽电极(55)；液晶层LC，其设置于TFT基板与插槽基板之间；以及反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)而与第二电介质基板(51)的与第一主面为相反侧的第二主面相对的方式配置；插槽电极具有分别对应于贴片电极而配置的插槽，贴片电极分别连接于对应的TFT的漏极，在由从对应的TFT的栅极总线供给的扫描信号所选择的期间内，从对应的源极总线供给数据信号，施加到贴片电极的电压的极性反转的频率为300Hz以上。

公开(公告)号：CN104247031B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化

公开(公告)号：CN105765729A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480064634.1

申请日：2014-08-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  金子诚二 ,  神崎庸辅 ,  高丸泰 ,  井手启介 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  松木园广志

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 半导体装置(100)在基板上包括：多个氧化物半导体TFT，该氧化物半导体TFT具有第一栅极电极(12)、与第一栅极电极接触的第一绝缘层(20)、以隔着第一绝缘层与第一栅极电极相对的方式配置的氧化物半导体层(16)以及与氧化物半导体层连接的源极电极(14)和漏极电极(15)；和仅覆盖多个氧化物半导体TFT中的一部分的氧化物半导体TFT的有机绝缘层(24)，多个氧化物半导体TFT包括被有机绝缘层覆盖的第一TFT(5A)和没有被有机绝缘层覆盖的第二TFT(5B)，第二TFT包括以隔着第二绝缘层(22)与氧化物半导体层相对的方式配置的第二栅极电极(17)，该第二栅极电极(17)配置成在从基板法线方向看时隔着氧化物半导体层与第一栅极电极的至少一部分重叠。

公开(公告)号：CN104103668A

公开(公告)日：2014-10-15

申请号：CN201410144456.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  片山雅博 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1248 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

公开(公告)号：CN104094409A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380007460.0

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。