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公开(公告)号：CN103222037B
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201180055568.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78633
Abstract: TFT(20)包括：由氧化物半导体构成的半导体层(12sl)；在半导体层(12sl)上相互分离地设置的源极电极(13sd)和漏极电极(13dd)；覆盖源极电极(13sd)与漏极电极(13dd)之间的半导体层部分的栅极绝缘膜(15)；和隔着栅极绝缘膜(15)与半导体层(12sl)重叠的栅极电极(18gd)，其中，源极电极(13sd)与源极配线(13sl)形成为一体，栅极电极(18gd)与栅极配线(18gl)形成为一体，半导体层(12sl)还延伸至源极配线(13sl)的下层，源极配线(13sl)和源极电极(13sd)以及漏极电极(13dd)整体配置在半导体层(12sl)上。
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公开(公告)号：CN103222037A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201180055568.8
申请日：2011-11-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/66742 , H01L29/78633
Abstract: TFT(20)包括：由氧化物半导体构成的半导体层(12sl)；在半导体层(12sl)上相互分离地设置的源极电极(13sd)和漏极电极(13dd)；覆盖源极电极(13sd)与漏极电极(13dd)之间的半导体层部分的栅极绝缘膜(15)；和隔着栅极绝缘膜(15)与半导体层(12sl)重叠的栅极电极(18gd)，其中，源极电极(13sd)与源极配线(13sl)形成为一体，栅极电极(18gd)与栅极配线(18gl)形成为一体，半导体层(12sl)还延伸至源极配线(13sl)的下层，源极配线(13sl)和源极电极(13sd)以及漏极电极(13dd)整体配置在半导体层(12sl)上。
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公开(公告)号：CN101855703B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880115929.1
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。
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公开(公告)号：CN101855703A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200880115929.1
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L27/1251 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置的制造方法，上述制造方法包括：第一热处理工序，以不足650℃对上述单晶半导体薄膜进行热处理，上述单晶半导体薄膜掺杂有杂质，形成上述多个单晶半导体元件的至少一部分，并且与上述绝缘基板接合；和第二热处理工序，在上述第一热处理工序之后，以比上述第一热处理工序的热处理时间短的时间，在650℃以上对上述单晶半导体薄膜进行热处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110392927A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201880016980.0
申请日：2018-03-15
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/144 , H01L29/786 , H04N5/32 , H04N5/369
Abstract: 本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。
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公开(公告)号：CN110098209A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910093472.9
申请日：2019-01-30
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供一种能够抑制水分向用于X射线摄像装置的有源矩阵基板侵入的有源矩阵基板及包括该基板的X射线摄像面板。有源矩阵基板(1)在各像素(P1)中包括：光电转换元件(12)，其具有一对电极和设置于该一对电极之间的半导体层；第一平坦化膜(106)，其覆盖光电转换元件(12)，并由有机类树脂膜构成；以及第一无机绝缘膜(107)，其覆盖第一平坦化膜(106)。第一平坦化膜(106)和第一无机绝缘膜(107)设置至像素区域的外侧。在像素区域的外侧，为了不露出第一平坦化膜(106)，第一平坦化膜(106)被第一无机绝缘膜(107)覆盖。
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公开(公告)号：CN102738216A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210185646.2
申请日：2008-10-22
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1229 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/665 , H01L29/66772
Abstract: 本发明提供在包含转印至耐热性差的绝缘基板上的单晶半导体薄膜的单晶半导体元件中，能够提高晶体管特性和减小配线电阻的半导体装置、带有单晶半导体薄膜的基板和它们的制造方法。本发明为在绝缘基板上具备包含单晶半导体薄膜的多个单晶半导体元件的半导体装置，该半导体装置的特征在于：该绝缘基板的耐热温度为600℃以下，该多个单晶半导体元件为MOS晶体管，该MOS晶体管层叠有：第一栅极电极和侧壁；栅极绝缘膜；和该单晶半导体薄膜，该第一栅极电极与该单晶半导体薄膜的沟道自匹配，该侧壁与该单晶半导体薄膜的LDD区域自匹配，该第一栅极电极和该侧壁与该单晶半导体薄膜相比配置在上层。
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公开(公告)号：CN101874294B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200880117658.3
申请日：2008-11-14
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置的制造方法、半导体装置及显示装置。该半导体装置的制造方法包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序，在该第一工序中形成包括器件部的基体层，该器件部具有栅极电极以及覆盖该栅极电极而形成的平坦的层间绝缘膜，在该第二工序中，利用离子注入法向基体层注入剥离用物质，来形成剥离层，在该第三工序中，将基体层贴在基板上，在该第四工序中，沿剥离层分离并除去基体层的一部分，栅极电极及层间绝缘膜的剥离用物质的注入射程实质上相等。
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公开(公告)号：CN102687269A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201080059548.3
申请日：2010-12-02
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/1266 , C09J7/387 , G02F1/13454 , H01L25/0655 , H01L27/1229 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置(130)，其具备：被接合基板(100)；薄膜元件(80)，其形成于被接合基板(100)上；以及半导体元件(90a)，其接合到被接合基板(100)上，是在半导体元件主体(50)的被接合基板(100)侧层叠多个基底层(51～54)而形成的，多个基底层(51～54)分别具有绝缘层和层叠于该绝缘层的电路图案，最靠被接合基板(100)侧的基底层(54)具有电路图案被引出到薄膜元件(80)侧而形成的延设部(E)，在薄膜元件(80)与半导体元件(90a)之间设有树脂层(120)，薄膜元件(80)和半导体元件主体(50)通过设于树脂层(120)上的连接配线(121a)、延设部(E)以及各电路图案而相互连接。
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