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公开(公告)号：CN102881331A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201110199497.0
申请日：2011-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C16/26
Abstract: 本发明提供一种灵敏放大器的控制电路及包括其的DRAM，属于DRAM技术领域。该灵敏放大器的控制电路包括用于生成所述灵敏放大器的上拉信号的上拉延迟电路，用于生成所述灵敏放大器的下拉信号的下拉延迟电路，其中，所述上拉延迟电路的延迟与所述下拉延迟电路的延迟相匹配。本发明的技术效果是，通过使用相同级数的逻辑门提供延迟匹配的高、低信号，显著降低了工艺波动对该延迟匹配的不利影响，从而，提高了灵敏放大器的上拉信号和下拉信号的匹配程度，并使得所述灵敏放大器具有稳定的开启速度。
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公开(公告)号：CN111145115A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911324961.7
申请日：2019-12-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G06T5/00
Abstract: 本发明提供一种基于场景适应的非均匀校正方法及其硬件实现装置，方法包括：采集原始红外图像，得像元数据，并统计帧数；初始化原始红外图像的校正参数，得到初始增益校正系数和初始偏置校正系数；进入初始校正模式，并确定当前校正模式，根据帧数逐帧进行非均匀校正，并判断是否更新初始增益校正系数和初始偏置校正系数，当判断为不进行更新时，得校正后的像元数据，当判断为进行更新时，得更新的校正参数及校正后的像元数据，校正后的像元数据即校正后的红外图像；缓存校正后的红外图像及更新的校正参数后存储至外部数据存储模块；装置包括：输入缓存模块、非均匀校正模块、偏移量累积计算模块、参数更新模块、输出缓存模块和外部数据存储模块。
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公开(公告)号：CN110427171A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201910734087.8
申请日：2019-08-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F7/544
Abstract: 本发明提供一种基于存储单元的、可扩展的、用于定点数矩阵乘加运算的存内计算结构，其特征在于，包括：数据调度模块，用于将输入的多比特定点数矩阵转换为多个单比特脉冲信号；运算阵列，由M行M列的存储单元构成；辅助运算模块，至少包括低比特模数转换模块、移位加法模块以及数字减法器；列译码器；以及控制模块，存储有配置信息，用于根据配置信息向数据调度模块、列译码器以及辅助运算模块发送配置信号从而适应不同位宽的数据运算。
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公开(公告)号：CN104615953B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510070478.6
申请日：2015-02-10
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F21/76
Abstract: 本发明属于可编程逻辑器技术领域，具体为一种配置数据流安全性高的可编程逻辑器。该可编程逻辑器包括基于SRAM配置层的可编程逻辑阵列、非挥发片上存储器、安全机制控制电路、配置控制电路，接口模块，还可以包括其它模块；非挥发片上存储器可以包括多个分区，存储不同类别的数据，例如配置数据流存储、密钥存储、认证标签存储等；所述的非挥发片上存储器还包括写保护电路，写保护电路可以针对非挥发片上存储器的不同分区提供不同的写保护控制策略；所述的非挥发片上存储器特别包含电阻式随机存储器等可以跟逻辑工艺兼容的非挥发存储器。本发明可编程逻辑器可以提供配置数据流在存储和传递过程防止窃取、防止恶意加载等安全特征。
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公开(公告)号：CN103021451B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201110284656.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/406
Abstract: 本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种基于阈值电压调节的多级温度控制自刷新方法，本存储设备，包括振荡器、分频器、温度传感器，第一选择器，所述的温度传感器和第一选择器连接，振荡器连接到分频器，分频器和第一选择器连接，第一选择器和DRAM阵列相连接，该存储设备还包括n个衬底电压稳定模块和第二选择器，所述n个衬底电压稳定模块产生DRAM保持期间的衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，第二选择器在温度传感器产生的温度电压信号Vtemp控制下从衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压上。本发明克服了现有技术存在的，如每级的频率对应的温度范围大，阈值电压变化范围大，可能出现低效率或者不可靠问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035281B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110298531.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402 , G11C29/08
Abstract: 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。
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公开(公告)号：CN103035281A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110298531.X
申请日：2011-09-29
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/402 , G11C29/08
Abstract: 一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新存储设备，包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)，选择器(300)，冗余单元(501)，检测电路(502)，脉冲产生器(503)和DRAM阵列，还包括多个衬底电压稳定模块(201、202、……20n)产生DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB1、VBB2、……VBBn，选择器(300)在选择信号Sel的控制下从VBB1、VBB2、……VBBn中选择一个输出到DRAM阵列的晶体管衬底电压VBB上，同时也输出到冗余单元(501)的晶体管衬底电压上。本发明还提出一种基于单元漏电检测的温度控制自刷新方法。
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公开(公告)号：CN102682827A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110060556.6
申请日：2011-03-14
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C7/06 , G11C11/4063
Abstract: 本发明属于DRAM技术领域，具体为一种DRAM的读出放大器的控制电路及包括其的DRAM。本发明的读出放大器的控制电路包括控制信号生成电路，与所述DRAM（动态随机存取存储器）的存储单元相应的冗余单元，以及冗余字线驱动模块；其中，所述冗余单元的位线延迟与所述存储单元的位线延迟相匹配。本发明的DRAM包括存储阵列、所述存储阵列中的存储单元的读通路；所述存储阵列中还包括冗余单元，所述DRAM还包括所述读出放大器的控制电路。该DRAM的读操作速度大为提高。
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公开(公告)号：CN102081962A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910199380.5
申请日：2009-11-26
Applicant: 复旦大学
IPC: G11C11/401 , G11C11/409
Abstract: 本发明属于动态随机存储器技术领域，具体为一种增益单元eDRAM单元、存储器及其操作方法。本发明提供的增益单元eDRAM单元是在写MOS晶体管、读MOS晶体管、写字线、写位线、读字线、读位线、等效寄生电容的基础上，增加耦合互补MOS晶体管和接到固定电压的公共位线而获得，使该增益单元eDRAM单元具有数据保持时间长、刷新频率低的特点，由该增益单元eDRAM单元形成的存储器具有读取速度快、功耗低的特点。
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公开(公告)号：CN113704139B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202110974491.X
申请日：2021-08-24
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F12/02
Abstract: 本发明提供一种用于存内计算的数据编码方法和存内计算方法，由于采用了用于存内计算的数据编码方法分别对存储器内的原始数据以及输入的原始数据进行了针对存内计算的编码，得到编码后的存储数据以及输入数据，因此，明显降低了存内计算数据二进制表示中1的个数，从而降低了存内计算功耗；还由于采用了三角形排列方法将编码后的存储数据存储到存储器的单元矩阵中，因此，将编码后的输入数据直接作用到该单元矩阵上，在单元矩阵的列方向上产生的电流或电荷积累即为存储数据和输入数据乘加的计算结果，从而能够以这样的方式快速直接地得到存内模拟计算结果，提高了计算效率。
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