公开(公告)号：CN118621300A

公开(公告)日：2024-09-10

申请号：CN202410710630.1

申请日：2024-06-04

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  郑昌冉

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L33/50

Abstract: 本发明属于光电材料技术领域，具体为一种等离子辅助原子层沉积氧化硅包覆荧光粉的制备方法。该方法选取荧光粉基材，先将其置于等离子体发生器中；随后通入氩气和六甲基二硅氧烷，利用等离子体的能量在荧光粉表面成功沉积一层均匀且连续的二氧化硅薄膜；该沉积过程为1~3个周期进行，期间通过气流和旋转向心力确保粉体的充分混匀，保证粒子均匀包覆；最终将所得荧光粉经过研磨处理，制得表面沉积二氧化硅的荧光粉。本发明简化生产流程，降低生产难度，同时确保所制备的荧光粉在稳定性和耐用性方面相较于传统产品有显著提升，而其荧光特性保持不变，耐水、耐湿性得到了显著提升，可广泛用于LED显示、照明等光电器件的封装材料。

公开(公告)号：CN118294244A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410318411.9

申请日：2024-03-20

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  陈威

IPC: G01N1/32 ,  G01N21/27 ,  G01N21/55 ,  G01N23/2273

Abstract: 本发明属于电子封装中铜材料检测技术领域，具体为一种电子封装中铜材料腐蚀失效过程的检测方法。本发明检测方法，通过腐蚀与高光谱实验，获得烧结铜和块体铜样品表面元素含量与高光谱数据的关系；具体使用高光谱相机采集待检测烧结铜表面的高光谱数据，由此推测样品表面元素含量变化，具体步骤包括：光谱数据处理；光谱特征参数与腐蚀产物中元素含量的关系拟合，具体使用线性函数来拟合特征参数相对于铜和氧原子含量的变化：使用指数函数来表示硫元素的原子含量与特征参数之间的相关性：最后拟合公式检测计算样品腐蚀产物中的元素含量。本发明方法简单快捷效率高，并可以进行现场检测。

公开(公告)号：CN117094129A

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN202310882308.2

申请日：2023-07-18

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  刘敏讷 ,  李雯钰

IPC: G06F30/20 ,  G06F111/10 ,  G06F119/08

Abstract: 本发明属于光学测量技术领域，具体为一种白光LED阵列的结温和光通量预测方法。本发明通过对LED阵列热耦合传热过程分析，将结温预测模型与光通量预测模型相结合，构建光‑热‑电预测模型；模型考虑LED阵列内部的热耦合效应，分别通过TCM矩阵模型和数值算法模型进行结温预测；其中，将单颗LED的光通量模型拓展至LED阵列；通过输入驱动电流、热功率以及温度，预测出在不同点亮方式下的LED阵列光学和热学参数。本发明拓展了电流变化范围；提高了结温条件下的预测精度。

公开(公告)号：CN116796537A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310752080.5

申请日：2023-06-25

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: G06F30/20 ,  G06F17/14 ,  G06F119/08 ,  G06F119/06 ,  G06F111/10 ,  G06F113/08

Abstract: 本发明属于功率半导体技术领域，具体为一种双面散热型SiC功率模块的热分布计算方法。本发明是针对FOPLP的快速数值求解方法，数值算法是基于热传导傅里叶公式的，可以计算热量在封装传导过程中的横向传递；FOPLP中芯片位于结构中央，散热路径分别为上层重新排布层和上层散热器以及下层的基板；在数值求解过程中将模型简化为长方体块结构，作为双面散热的基础模型；模块中芯片作为热源，主要向上下两个方向传热；本发明通过推算功率模块内的固体传热和对流传热规律，构建FOPLP结构的数值温度分布；数值求解由稳态热传导拉普拉斯方程出发，通过分离变量法求解，结合边界条件，确定FOPLP结构双面散热的解析解，实现对该模块温度分布的快速评估。

公开(公告)号：CN113035724B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110195619.2

申请日：2021-02-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 江京 ,  樊嘉杰 ,  张国旗

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/50 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/367 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明公开了一种多芯片封装结构及其制作方法。本发明经过铜基板图形化、固晶及导电层连接、制作电介质材料或顶部导电层、介质图形化及开孔、孔金属化、介质上金属图形化、制作中间介质层、整体孔加工、孔金属化或填充电介质、上/下面金属图形化等工艺流程完成多芯模块封装；本发明整个工艺过程完全与PCB设备及工艺兼容，得到的多芯模块结构简单，电气路径短、散热路径短、具有优异的低阻特性和散热效果，可以实现小型化、轻薄化的效果。

公开(公告)号：CN113987922A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111178559.X

申请日：2021-10-10

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  袁唯一 ,  王珏

IPC: G06F30/27 ,  G06F17/12 ,  G06N3/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明属于数学建模及力学技术领域，具体为一种微型LED阵列/液晶弹性体系统的力学性能预测方法。本发明将微型LED阵列/液晶弹性体系统简化为液晶弹性体/柔性基板二维层合结构，首先建立简支层合结构的精确解析模型，其中机械载荷用多阶多项式函数描述，可模拟任意形式的机械载荷函数；然后建立温度场下层合结构机械载荷函数系数和位移之间的神经网络训练数据集；应用BP神经网络建立变形与机械载荷系数间的关系，预测结构在热‑机械载荷共同作用下的力学解，即预测温度场下层合结构在机械载荷作用下的弹性变形和引起特定变形的机械载荷。本发明通过建立层合结构的变形与机械荷载的关系，摆脱繁琐的计算，可方便、快捷地获得层合结构的力学解。

公开(公告)号：CN113158601A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110312986.6

申请日：2021-03-24

Applicant: 复旦大学 ,  常州佳讯光电产业发展有限公司

Inventor： 樊嘉杰 ,  钱弈晨 ,  侯峰泽 ,  刘盼 ,  吕全亚 ,  张国旗

IPC: G06F30/3308 ,  G06F30/27 ,  G06N3/00 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14

Abstract: 本发明公开了一种高可靠板级扇出型SiC MOSFET封装结构优化方法。本发明首先采用有限元仿真模拟计算出SiC MOSFET中重布线层（RDL）在稳态散热中的最大散热温度和温度循环作用下的最大应力，然后在此基础上对仿真进行优化设计与分析，构建芯片的分布与散热温度和最大应力之间的神经网络训练数据集；接着利用蚁群算法进行迭代计算得到适应度值的进化曲线，其中适应度值由神经网络算法预测得到。从而找出散热与热应力最优情况下的芯片分布方式，以达到优化目的。本发明主要应用于功率模块封装可靠性优化场合，通过改善结构，降低SiC芯片结温和热应力，提高模块的可靠性。

公开(公告)号：CN119418786A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411398962.7

申请日：2024-10-09

Applicant: 复旦大学宁波研究院

Inventor： 左元慧 ,  樊嘉杰 ,  马宏平 ,  李世丹 ,  刘佳祥

IPC: G16C10/00 ,  G16C60/00 ,  G16C20/80

Abstract: 本发明提供了一种基于分子动力学方法预测离子注入4H‑SiC过程中晶体缺陷率和应力的方法，包括1）建立离子注入4H‑SiC理论模型，得到结构的data文件；2）构建包含模拟参数和势函数的输入文件，即input文件；3）采用分子动力学方法进行离子注入模拟，并输出原子坐标和应力数据；4）根据原子轨迹绘制缺陷率随注入剂量的变化曲线；5）由应力数据计算不同注入剂量下各原子的时间平均的原子应力，导出应力分布图。本发明对离子注入4H‑SiC表面的过程进行分子动力学模拟，能够预测离子注入4H‑SiC过程中晶体材料的缺陷和原子应力变化，进而得出离子注入下4H‑SiC晶体中缺陷和原子应力的演变机理，为离子注入条件的选择提供理论指导。

公开(公告)号：CN118315365A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410363506.2

申请日：2024-03-28

Applicant: 复旦大学

Inventor： 樊嘉杰 ,  李雯钰

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L23/367 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种低热阻板级半桥功率模块封装结构及制备方法。封装结构包括顶部散热器、上基板、正装芯片区和反装芯片区；上基板设置于顶部散热器下，正装芯片区和反装芯片区并列设置于上基板下；反装芯片区从上而下依次为RDL重新布线层、SiC MOSFET芯片、下基板和焊盘；正装芯片区从上而下依次为焊料层、SiC MOSFET芯片、RDL重新布线层、下基板和焊盘；两焊盘电极相反，分别作为封装器件的直流正负电极；本发明中的两芯片朝向相反，结合了面朝上和下两种形式，减小了RDL层的布线距离，解耦了两颗芯片的散热路径；该封装结构杂感和应力大小没有显著差异，热阻降低50％以上，表现出了良好的热特性。

公开(公告)号：CN118278338A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410426444.5

申请日：2024-04-10

Applicant: 复旦大学 ,  常州银河世纪微电子股份有限公司

Inventor： 樊嘉杰 ,  闫旭阳 ,  庄建军 ,  徐晓艳

IPC: G06F30/337 ,  G06F30/398 ,  G06N3/126 ,  G06F113/18 ,  G06F119/08 ,  G06F119/14 ,  G06F111/06

Abstract: 本发明涉及一种SiC MOSFET板级封装优化设计方法，包括以下步骤：构建SiC MOSFET FOPLP的寄生电感、模块热阻与等效累计塑性功解析物理模型；构建SiC MOSFET FOPLP的多目标优化模型，以寄生电感、模块热阻与累计塑性功作为优化目标函数，以封装结构尺寸参数作为优化变量，以制造工艺作为约束条件；基于多目标粒子群算法对多目标优化模型进行求解，得到目标空间的帕累托解集；基于应用场景，使用优劣解距离法对帕累托解集中的解进行排序与挑选，得到SiC MOSFET FOPLP不同封装结构的最优几何参数组合。与现有技术相比，本发明具有考虑了电学、热学与力学特性的耦合关系，设计效率高等优点。