公开(公告)号：CN102130011B

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201010613768.8

申请日：2010-12-30

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  罗军 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7839 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66848

Abstract: 一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：提供半导体衬底；在半导体衬底表面形成堆叠栅；在半导体衬底表面形成绝缘层；在绝缘层表面形成消耗层；刻蚀绝缘层和消耗层；在半导体衬底表面形成金属层；热退火；除去金属层。本发明的优点在于，所采用的侧墙的上部外侧部分是由能够与金属层发生反应的材料构成的，因此能够在退火过程中吸收侧墙两侧金属层，避免其向半导体层中扩散，保证能够形成纵向超薄、均匀且横向生长可控且受到抑制的肖特基结。

公开(公告)号：CN102201343A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110106317.X

申请日：2011-04-26

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  胡成 ,  朱伦 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L21/28518 ,  H01L21/28097 ,  H01L21/2815 ,  H01L21/28255 ,  H01L21/28264 ,  H01L21/32053 ,  H01L29/04 ,  H01L29/413 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种纳米MOS器件的制备方法，其制备的栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能；并且该方法是通过在多晶半导体层两侧的侧壁表面沉积金属薄膜，所述金属薄膜中的金属向所述多晶半导体层的侧壁表面扩散，经过退火后，在所述多晶半导体层的侧壁表面形成金属半导体化合物纳米线(即金属栅)，而不需要利用高分辨率的光刻技术来形成金属半导体化合物纳米线，因而大大节约了成本；同时，还公开了一种纳米MOS器件，其栅极为金属栅，因而可避免多晶栅极的耗尽效应，提高MOS器件的性能。

公开(公告)号：CN102184946A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN201110063882.2

申请日：2011-03-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  张世理 ,  朱志炜 ,  张卫

IPC: H01L29/43 ,  H01L27/108 ,  H01L21/283 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8242

Abstract: 本发明公开了一种金属半导体化合物薄膜，形成于半导体层与多晶半导体层之间，其厚度为2～5nm，从而改善所述半导体层与多晶半导体层之间的接触；还公开了一种DRAM存储单元，该存储单元中的MOS晶体管的漏区与多晶半导体缓冲层之间加入金属半导体化合物薄膜，且其厚度为2～5nm，从而可在提高晶体管的读写速度的同时，避免所述漏区与硅衬底之间的漏电流过度增大；同时，还公开了一种DRAM存储单元的制备方法，该方法形成的DRAM存储单元，其MOS晶体管器件的漏区与多晶半导体缓冲层之间形成有金属半导体化合物薄膜，且所述金属半导体化合物薄膜的厚度控制在2～5nm，从而可提高DRAM存储单元的性能。

公开(公告)号：CN102104006A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN201110009523.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 复旦大学

Inventor： 吴东平 ,  朴颖华 ,  朱志炜 ,  张世理 ,  张卫

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管的制备方法，该方法包括如下步骤：提供第一型体衬底，利用光刻和刻蚀的方法形成浅槽，并在浅槽内生长形成二氧化硅浅槽隔离结构；在衬底与浅槽隔离结构的上面进行淀积形成高K栅介质层以及金属栅电极层；利用光刻或腐蚀等工艺形成栅极结构；进行第二型体杂质离子注入，形成源漏扩展区；淀积绝缘层，形成紧贴栅极边缘的侧墙；进行第二型体杂质离子注入，形成第二型体场效应晶体管的源漏区，形成源漏区和硅衬底之间的PN结界面；进行微波退火，激活注入的离子。本发明提出的这种新的场效应晶体管的工艺，可以在较低的温度下对源漏区的杂质进行激活，可以减小源漏退火对高K栅介质/金属栅电极的影响。