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公开(公告)号：CN114220467A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111525681.X
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: G11C11/413 , G11C11/417 , G11C11/41
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一列相邻两个晶体管单元镜像设置，一列所述晶体管单元中的第一个所述晶体管单元或第二个所述晶体管包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第二共栅互补场效应晶体管、沿第二方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管和第二传输管，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第一传输管堆叠设置且共栅，同一列所述晶体管单元中相邻两个所述第二传输管堆叠设置且共栅，所述第一方向和所述第二方向均平行于所述列的方向，传输管的堆叠设置且共栅减少了阵列面积，提高了电路的集成度，并降低了制造成本。
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公开(公告)号：CN113821111A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202111008994.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , A63F13/214 , A63F13/24 , A61H39/04
Abstract: 本发明属于电脑输入设备技术领域，具体为一种用脚掌移动做位移量的电脑输入装置。本电脑输入装置通过检测脚底位移来记录脚底移动，包括使用脚底驱动的滚球加垂直按压，或者使用摄像头检测脚底纹路移动（类似于光学鼠标器）；脚掌的线位移通过直接接触滚球转换为角位移，再使用软质圆柱驱动的角位移编码器对角位移进行感知，或者通过使用软质圆柱驱动的微型直流电机和电学放大器转换为与角速度成正比的电压、电流信号。位移传感器与压力传感器的输出通过导线连接到单片机，进行信号处理。装置通过USB接口与电脑连接，可被电脑识别为游戏杆或者鼠标器。本电脑输入装置，可手脚并用，在电脑前工作娱乐中得到健身，并提高工作效率。
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公开(公告)号：CN113644907A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202111016423.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0948
Abstract: 本发明提供了一种由共栅互补场效应晶体管构建的D锁存器，包括第一互补场效应晶体管、第二互补场效应晶体管、第三互补场效应晶体管、第四互补场效应晶体管以及第五互补场效应晶体管，增加了D锁存器的电路集成度。
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公开(公告)号：CN119208330B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411732504.2
申请日：2024-11-29
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种CFET的门电路器件结构与工艺，涉及半导体技术领域，包括衬底，所述衬底的顶部通过绝缘层包裹有并联连接的N沟道场效应管#imgabs0#和P沟道场效应管#imgabs1#；N沟道场效应管#imgabs2#与P沟道场效应管#imgabs3#共用相同的源极S，N沟道场效应管#imgabs4#与P沟道场效应管#imgabs5#共用相同的漏极D；N沟道场效应管#imgabs6#的栅极#imgabs7#与P沟道场效应管#imgabs8#的栅极#imgabs9#互相分离，互相分离的栅极#imgabs10#与栅极#imgabs11#构成分离栅结构。本发明通过将原本平面的CMOS单元对折构成向上相互垂直堆叠的立体器件，同时采用介质隔离P型和N型场效应管器件的栅极构成分离栅结构，能够节省CFET集成的平面面积、提高集成密度、缩小沟道进程以及提高芯片精度，有利于保持电路性能和电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN119545816A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411490382.0
申请日：2024-10-24
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明公开了一种基于p‑dipole材料Ga2O3的MOSCAP器件及其制备方法；本发明首先通过热氧化法，在p‑Si衬底上生长SiO2界面层（IL）。通过原子层沉积技术在IL层上生长不同循环数的Ga2O3，并原位生长HfO2薄膜。接着，器件快速退火，以修复介质层间的氧化物缺陷。最后，制备出图形化的W电极，从而得到MOSCAP器件；本发明中，加入Ga2O3偶极子层后的MOSCAP器件表现出较低的回滞曲线，且仅增加了极低的等效氧化物厚度（EOT），同时实现了显著的VFB正向调节。本发明证实了Ga2O3是一种具有潜力的新型p‑dipole材料，在先进工艺节点的多阈值技术发展中展现出广阔的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119421490A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411732499.5
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明公开了一种异质沟道环栅器件及制备方法，包括：相邻设置的NMOS器件和PMOS器件，所述NMOS器件和所述PMOS器件分别设有围合在各自沟道侧面上的栅极结构，所述NMOS器件的沟道材料与所述PMOS器件的沟道材料不同，所述NMOS器件的栅极结构中的功函数层组成及材料与所述PMOS器件的栅极结构中的功函数层组成及材料相同。本发明通过使NMOS和PMOS具有异质沟道，有利于实现PMOS载流子迁移率的提升，进而提高器件的开态电流，并有利于通过异质沟道的组合，实现对NMOS和PMOS采用同一套功函数栅极材料，从而简化了环栅器件的栅极堆垛工艺。
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公开(公告)号：CN113644907B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111016423.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0948
Abstract: 本发明提供了一种由共栅互补场效应晶体管构建的D锁存器，包括第一互补场效应晶体管、第二互补场效应晶体管、第三互补场效应晶体管、第四互补场效应晶体管以及第五互补场效应晶体管，增加了D锁存器的电路集成度。
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公开(公告)号：CN114188326A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111525708.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，晶体管单元包括沿第一方向设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险及成本，连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，第一位线和第二位线垂直于第一方向，字线、第一互连线、第二互连线、第一电源线、第二电源线平行于第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN113972205A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111250092.5
申请日：2021-10-26
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件，该半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程，并制备栅极介质层和金属层，最终形成第一堆叠半导体器件结构。本发明通过在堆叠半导体器件结构的结构制备过程中穿插金属互连线的制备，达到增加电路集成度的目的。
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公开(公告)号：CN113821111B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202111008994.8
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F3/033 , A63F13/214 , A63F13/24 , A61H39/04
Abstract: 本发明属于电脑输入设备技术领域，具体为一种用脚掌移动做位移量的电脑输入装置。本电脑输入装置通过检测脚底位移来记录脚底移动，包括使用脚底驱动的滚球加垂直按压，或者使用摄像头检测脚底纹路移动（类似于光学鼠标器）；脚掌的线位移通过直接接触滚球转换为角位移，再使用软质圆柱驱动的角位移编码器对角位移进行感知，或者通过使用软质圆柱驱动的微型直流电机和电学放大器转换为与角速度成正比的电压、电流信号。位移传感器与压力传感器的输出通过导线连接到单片机，进行信号处理。装置通过USB接口与电脑连接，可被电脑识别为游戏杆或者鼠标器。本电脑输入装置，可手脚并用，在电脑前工作娱乐中得到健身，并提高工作效率。
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