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公开(公告)号：CN119233064A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730553.2
申请日：2024-11-29
IPC: H04N23/54 , H04N23/55 , H04N25/70 , H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种传感器矩阵及图像采集方法、封装结构及封装方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底及至少一个图像采集单元，每两个相邻的图像采集单元侧面依次紧密固定连接；依次相邻焊接的图像采集单元分别固定在衬底的一侧并构成图像采集矩阵阵列；各个图像采集单元分别包括至少两个图像传感器，多个图像传感器间的排列方式与图像采集单元的排布方式相同。本发明通过在衬底上焊接固定多个矩阵阵列排布的图像传感器，能够规避传统电子器件机械运动过程中的器件磨损风险，大大降低图像传感器以及与图像传感器所连接的器件损耗，通过降低图像传感器的磨损程度，有利于提高传感器系统的使用寿命和使用可靠性。
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公开(公告)号：CN113394295B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202110650073.5
申请日：2021-06-10
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种用于P型环栅器件的堆叠结构及增强P型环栅器件的沟道应力的方法，通过将堆叠件的牺牲层与沟道层材料的晶格常数设置成牺牲层材料的晶格常数小于沟道层的材料的晶格常数，并且沟道层的材料的晶格常数等于底层结构的材料的晶格常数；以使得初始状态下，沟道层无应变，牺牲层具有初始的张应变；当牺牲层发生弛豫时，沟道层受到牺牲层因弛豫而诱导的压应变，从而巧妙地利用牺牲层来增强P型环栅器件的沟道层应力，从而提高P型环栅器件的空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN114639720A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210224521.X
申请日：2022-03-07
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种垂直堆叠环栅器件局部形成体电介质隔离的方法，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成鳍结构，环绕堆叠件，环绕堆叠件沿横跨鳍结构；对环绕堆叠件沿第二方向的两侧的鳍结构进行刻蚀，以形成源/漏空腔；并刻蚀掉源/漏空腔底部的衬底的表层，形成衬底凹层；对所述鳍结构沿第二方向的端部的牺牲层进行刻蚀，形成刻蚀空隙；在衬底凹层上形成第一电隔离层，以隔离源/漏空腔和鳍结构下方的衬底的表层；并在刻蚀空隙内形成内间隔层；使得鳍结构底端的衬底的表层和源/漏层隔离，从而避免后续工艺形成的源/漏区与寄生沟道相接触，从而减小源/漏区之间的漏电流，实现减小器件能耗，避免器件性能下降的效果。
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公开(公告)号：CN113284806B
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202110538164.X
申请日：2021-05-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件及其源漏制备方法、器件制备方法、电子设备，其中，环栅器件的源漏制备方法，包括：在基底上形成鳍片，以及横跨所述鳍片的伪栅极单元，所述鳍片包括交替层叠的预备沟道层与预备牺牲层；所述伪栅极单元的数量为多个，多个所述伪栅极单元沿所述预备沟道层的沟道方向依次分布；刻蚀掉相邻两个伪栅极单元之间的预备牺牲层部分；对相邻两个伪栅极单元之间的预备沟道层部分进行刻蚀减薄，并保留部分沟道层材料作为种子层；基于所述种子层，外延源漏的锗硅体层，并在所述锗硅体层形成源极与漏极。
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公开(公告)号：CN114188326A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111525708.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，晶体管单元包括沿第一方向设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险及成本，连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，第一位线和第二位线垂直于第一方向，字线、第一互连线、第二互连线、第一电源线、第二电源线平行于第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113972205A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111250092.5
申请日：2021-10-26
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件，该半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程，并制备栅极介质层和金属层，最终形成第一堆叠半导体器件结构。本发明通过在堆叠半导体器件结构的结构制备过程中穿插金属互连线的制备，达到增加电路集成度的目的。
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公开(公告)号：CN113113494A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110381182.1
申请日：2021-04-09
Applicant: 上海集成电路制造创新中心有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种GAA晶体管结构及其制备方法、电子设备，其中的结构包括：晶体管基底、多个器件单元；器件单元包括设于晶体管基底的堆叠层与横跨堆叠层外侧的外金属栅，堆叠层包括交替层叠的多个纳米层与多个金属栅层；多个器件单元包括PMOS器件单元与NMOS器件单元，PMOS器件单元设于衬底的PMOS区，NMOS器件单元设于衬底的NMOS区；沿目标方向，PMOS区上的PMOS器件单元的分布数量多于NMOS区上NMOS器件单元的分布数量，目标方向垂直于纳米层的沟道方向，PMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积大于NMOS器件单元的纳米层中用于载流的表面的总面积，提高了GAA晶体管结构的性能。
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公开(公告)号：CN101860335A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010191621.4
申请日：2010-06-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于集成电路设计中的数据转换器技术领域，具体为一种双输入运算放大器共享的余量增益放大电路。该放大电路包含一个双输入运算放大器，时钟产生电路，子数模转换器，子模数转换器，电容，开关等。本发明采用两组输入差分对的运算放大器，以双向交叠时钟控制的嵌入在运算放大器内部的开关控制两组差分输入对管，在时钟两个相位交替使用，同时输入差分对交替复位至共模输入电压，完全消除了传统电路中存在的记忆效应和级间馈通的影响，在保持相同面积，功耗，电路复杂度的情况下，可以提高信号建立精度，从而提高模数转换的精度。
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公开(公告)号：CN119233065B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411730556.6
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器矩阵、电子设备及成像方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底层和至少一个图像采集单元，所述图像采集单元分别焊接固定在所述衬底层上，各个所述图像采集单元分别包括至少两个图像传感器；各个所述图像传感器的景深范围分别位于互相独立的区域内；相邻所述图像采集单元在同一水平投影面上紧密排布；各个所述图像传感器距离镜头的排列高度依次呈阶梯状递进分布。本发明通过将各个图像传感器间的景深宽度依次进行首尾相接的连续排布，能够获得被摄目标清晰成像的最大景深距离，同时配合图像融合技术，有利于满足对被摄目标物体进行远距离或超远距离的拍摄需求。
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公开(公告)号：CN119233065A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411730556.6
申请日：2024-11-29
Abstract: 本发明提供了一种图像传感器矩阵、电子设备及成像方法，涉及图像采集技术领域，包括衬底层和至少一个图像采集单元，所述图像采集单元分别焊接固定在所述衬底层上，各个所述图像采集单元分别包括至少两个图像传感器；各个所述图像传感器的景深范围分别位于互相独立的区域内；相邻所述图像采集单元在同一水平投影面上紧密排布；各个所述图像传感器距离镜头的排列高度依次呈阶梯状递进分布。本发明通过将各个图像传感器间的景深宽度依次进行首尾相接的连续排布，能够获得被摄目标清晰成像的最大景深距离，同时配合图像融合技术，有利于满足对被摄目标物体进行远距离或超远距离的拍摄需求。
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