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公开(公告)号：CN113644907B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202111016423.9
申请日：2021-08-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K19/0948
Abstract: 本发明提供了一种由共栅互补场效应晶体管构建的D锁存器，包括第一互补场效应晶体管、第二互补场效应晶体管、第三互补场效应晶体管、第四互补场效应晶体管以及第五互补场效应晶体管，增加了D锁存器的电路集成度。
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公开(公告)号：CN114188326A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111525708.5
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , G11C5/02 , G11C11/412
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括相互连接的晶体管单元和连接单元，晶体管单元包括沿第一方向设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险及成本，连接单元包括字线、第一位线、第二位线、第一互连线、第二互连线、第一电源线和第二电源线，第一位线和第二位线垂直于第一方向，字线、第一互连线、第二互连线、第一电源线、第二电源线平行于第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN113972205A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111250092.5
申请日：2021-10-26
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L21/768 , H01L23/535
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构、形成方法及半导体器件，该半导体器件结构的形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成K层沟道材料与K+1层沟道隔离材料交替堆叠的第一鳍型结构；在所述第一鳍型结构底部的第一层沟道材料上形成1_1场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_1场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_1金属互连线；在所述鳍型结构底部的第二层沟道材料上形成1_2场效应晶体管的源区和漏区；形成与所述1_2场效应晶体管的源区或漏区相接触的1_2金属互连线。按需重复执行上述过程，并制备栅极介质层和金属层，最终形成第一堆叠半导体器件结构。本发明通过在堆叠半导体器件结构的结构制备过程中穿插金属互连线的制备，达到增加电路集成度的目的。
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公开(公告)号：CN117811571A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211163788.9
申请日：2022-09-23
IPC: H03K19/094
Abstract: 本申请提供了一种逻辑电路、数字电路和电子设备，通过处理模块中的第一共栅互补场效应晶体管和第二共栅互补场效应晶体管，减小了逻辑电路制造工艺的难度，且大大降低了逻辑电路的制造成本。逻辑电路可以包括控制模块、处理模块和输出模块。控制模块可以用于根据第一输入信号确定第一控制信号并传输给处理模块。处理模块可以用于输出第二控制信号，第二控制信号可以用于指示处理模块的输出信号。输出模块可以用于根据第二控制信号输出第三控制信号，第三控制信号用于指示逻辑电路的输出信号。
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公开(公告)号：CN114300456A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111528254.7
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道和所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道均由第一鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道均由第二鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布，降低了所占面积，节约制造成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN114300455A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111528228.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管和第一共栅互补场效应晶体管，所述晶体管单元还包括沿第二方向依次设置的第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道由第一鳍式结构形成，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道由第二鳍式结构形成，所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道由第三鳍式结构形成，所述第二传输管的沟道由第四鳍式结构形成，所述第一方向平行于所述第二方向，紧凑的器件排布，降低了所占面积，节约制造成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN114203706A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111528268.9
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，使得静态随机存取存储器的存储单元结构在制造时能够使用连续的鳍式结构，无需切断鳍式结构工艺，降低了工艺风险，降低了成本，并且所述第一位线、所述第二位线、所述第一互连线、所述第二互连线、所述第一电源线和所述第二电源线平行于所述第一方向，所述字线垂直于所述第一方向，结合场效应晶体管，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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公开(公告)号：CN117766002A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211175101.3
申请日：2022-09-26
IPC: G11C11/412 , G11C11/419 , G11C5/02
Abstract: 本申请提供了一种静态随机存储器、处理电路芯片及电子设备，包括：第一上拉管、第二上拉管、第一下拉管、第二下拉管、第一选通管以及第二选通管；第一上拉管与第一下拉管作为第一互补场效应晶体管，第二上拉管与第二下拉管作为第二互补场效应晶体管，第一互补场效应晶体管在第一平面上的正投影、第一选通管在第一平面上的正投影、第二选通管在第一平面上的正投影以及第二互补场效应晶体管在第一平面上的正投影沿第一方向依次间隔排列；第一互补场效应晶体管、第一选通管在第二平面上的正投影与第二互补场效应晶体管、第二选通管在第二平面上的正投影间隔排列，提供新型结构的存储单元，提高存储单元的性能。
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公开(公告)号：CN114203705A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111528267.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器结构，包括多个呈阵列分布的晶体管单元，同一行所述晶体管单元沿第一方向依次设置，所述晶体管单元包括沿所述第一方向依次设置的第一传输管、第一共栅互补场效应晶体管、第二共栅互补场效应晶体管和第二传输管，所述第一传输管的沟道方向、第一共栅互补场效应晶体管沟道方向、第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向和第二传输管的沟道方向均平行于所述第一方向，所述晶体管单元的第二传输管与在所述第一方向上相邻的所述晶体管单元的第一传输管堆叠设置在一起形成共栅结构，能够减少第一传输管和所述第二传输管所占的面积，提高电路集成度，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN114203704A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111525682.4
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
Abstract: 本发明提供了一种静态随机存取存储器的存储单元结构，包括晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第一方向依次设置的第一共栅互补场效应晶体管、传输单元和第二共栅互补场效应晶体管，所述传输单元包括堆叠设置的第一传输管和第二传输管，所述第一共栅互补场效应晶体管的沟道方向、所述传输管单元的沟道方向和所述第二共栅互补场效应晶体管的沟道方向均平行于所述第一方向，堆叠设置的第一传输管和第二传输管，能够极大减少单个第一传输管和单个第二传输管所占面积，极大的降低了所占用的面积，提高了电路集成度，进一步降低了成本。本发明还提供了一种存储器。
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