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公开(公告)号：CN115020971A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210615307.7
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/22 , H01L23/66 , H01L23/552
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，具体地，涉及一种用于芯片间无线互连的集成天线及其制造方法。该用于芯片间无线互连的集成天线包括：介质层和位于介质层内的锥形天线。锥形天线的顶部直径小于底部直径，锥形天线是通过在介质层内的锥形通孔里填充导电物质形成的。本公开提供的技术方案，利用在介质层的锥形通孔内填充导电物质作为发射天线和/或接收天线，电磁波在介质层中传播，实现了芯片与芯片之间无线互连，替代金属有线互连，解决了采用金属有线互连造成的导致芯片功耗、串扰以及平面内和平面外导体布线相关的复杂程度明显增加及限制芯片间高速通信的问题。并且，该锥形天线，相对圆柱形的天线，发射的信号更强，传输距离更远。
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公开(公告)号：CN113192928A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110450323.0
申请日：2021-04-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/528 , H01L23/552
Abstract: 本公开涉及一种硅通孔阵列，属于半导体器件领域，能够抑制信号的耦合，提高信号的完整性。一种硅通孔阵列，该硅通孔阵列包括信号硅通孔和屏蔽接地硅通孔，其中，所述信号硅通孔和所述屏蔽接地硅通孔交错排布成正N边形，N≥5。
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公开(公告)号：CN111769096A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010561677.8
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体封装技术领域，具体为一种基于三维电容电感的通用基板及制备方法。本发明的通用基板，具备同时集成在硅通孔内的三维电容电感，且三维电容电感值可以调节。由于，电容电感的电极是分开制备的，可以通过引线键合或再布线对基板上的电容电感进行串联或并联，获得不同电感和电容布局。本发明提供的带有无源器件的通用型基板，不需要每种系统集成时都单独设计基板和无源器件。此外，此种基板有效增大集成系统中电容和电感的值，同时能够在三维集成中将电容电感集成在芯片附近，也能提高三维集成中TSV的功能密度，提高系统集成中硅的利用率。与其他有机PCB板上的离散电容电感相比，集成度大大提高。
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公开(公告)号：CN119905413A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202510093829.9
申请日：2025-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L21/603 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了一种混合键合结构及键合方法，所述混合键合方法包括：提供待键合的第一半导体结构及第二半导体结构，形成第一半导体结构和/或第二半导体结构的方法包括：提供待键合的半导体基底，在半导体基底上形成多个凸起的金属连接件，形成聚合物介质层覆盖半导体基底表面且暴露金属连接件，对聚合物介质层执行第一固化，第一固化的固化温度小于聚合物介质层的玻璃化转变温度，且第一固化后的聚合物介质层的顶面高于或等于金属连接件的顶面；执行热压键合使第一半导体结构及第二半导体结构连接，热压键合的工艺温度大于聚合物介质层的玻璃化转变温度使聚合物介质层进行第二固化。本发明可优化混合键合工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119133127A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411248908.4
申请日：2024-09-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/473
Abstract: 本发明提供了一种面向大功率密度封装的低阻力微流道结构，所述微流道结构包括：载板，其上设有芯片堆叠体；壳体，盖设于所述载板上且容纳所述芯片堆叠体；散热微流道，由所述载板、所述芯片堆叠体及所述壳体围成且环绕所述芯片堆叠体，包括设于所述壳体远离所述载板一侧的供冷却液进出的入口及出口，所述微流道的内壁具有亲水表面。本发明可在保证散热效果的前提下降低泵送冷却液的功率。
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公开(公告)号：CN117806137A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202410143709.0
申请日：2024-02-01
Applicant: 复旦大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明提供了一种微米级厚度光刻胶的光刻仿真方法、仿真装置及调整方法，所述光刻仿真方法包括：获取光刻仿真参数，其包括曝光工艺参数、烘烤工艺参数及显影工艺参数；基于曝光工艺参数，采用Dill模型进行模拟曝光获得曝光后光刻胶中光敏混合物的分布，其计算过程包括将曝光剂量按曝光时间进行离散化计算光刻胶中不同厚度处光敏混合物的分布；基于烘烤工艺参数，对曝光后的光刻胶进行模拟烘烤，获得烘烤后光刻胶中光敏混合物的分布；基于显影工艺参数，对烘烤后的光刻胶进行模拟显影，获得显影后光刻胶的形貌尺寸数据。本发明从光刻全过程进行工艺仿真，可实现较为精准的关键尺寸仿真预测，而且还可提供更多的调试方案。
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公开(公告)号：CN115020970A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210615304.3
申请日：2022-05-31
Applicant: 复旦大学
IPC: H01Q1/38 , H01Q1/52 , H05K3/10 , H01L23/552 , H01L23/66
Abstract: 本公开涉及半导体器件技术领域，具体地，涉及一种芯片间无线互连的天线系统及其制造方法。本公开提供的技术方案，利用在第一介质层和第二介质层的第一通孔内填充导电物质作为发射天线和/或接收天线，电磁波在第一介质层和第二介质层中传播，实现了芯片与芯片之间无线互连，替代金属有线互连，以解决采用金属有线互连造成的导致芯片功耗、串扰以及平面内和平面外导体布线相关的复杂程度明显增加及限制芯片间高速通信的问题。并且，通过设置第一屏蔽层、第二屏蔽层和第三屏蔽层，可以屏蔽外界信号对天线信号的干扰，及提高天线的信号方向性。
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公开(公告)号：CN112530813A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011383320.1
申请日：2020-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/50
Abstract: 本公开涉及一种临时键合方法，属于半导体技术领域，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。一种临时键合方法，包括：在衬底上形成嵌套结构的第一类型子嵌套结构，其中所述嵌套结构包括能够相互嵌套的所述第一类型子嵌套结构和第二类型子嵌套结构；在所述衬底的未形成所述第一类型子嵌套结构的区域中制备各种图形和器件；在所述第一类型子嵌套结构和所述图形和器件上形成保护层；在用于临时键合的载板上形成所述第二类型子嵌套结构；以及将所述第一类型子嵌套结构与所述第二类型子嵌套结构进行嵌套互锁。
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公开(公告)号：CN111769095A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010561660.2
申请日：2020-06-18
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于高功能密度硅通孔结构的三维电容电感及制备方法。本发明三维电容电感包括：衬底，形成有硅通孔；三维电容，形成在所述硅通孔的侧壁上，依次包括第一金属层、第二绝缘层和第二金属层；三维电感，由所述硅通孔的中心填充金属和平面厚金属再布线构成；其中，所述硅通孔的侧壁与所述三维电容之间设有第一绝缘层，所述三维电容与所述三维电感之间设有第三绝缘层。本发明能够有效增加集成系统中电容和电感的值，同时能够在三维集成中将电容电感集成在芯片附近，也能提高三维集成中硅通孔的功能密度，提高系统集成中硅的利用率。与其他有机基板上的离散电容电感相比，集成度大大提高。
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