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公开(公告)号：CN101975794A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010276530.0
申请日：2010-09-09
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N25/20
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体为一种适用于金属性薄膜材料的3omega热导测量方法。该方法基于改进的解析模型，利用3omega测试结构与频率相关的热学响应特性，通过实验拟合手段得到与一组频率相关的热流比值。从该值推导出实验材料的热阻，并最终得到被测样品的热导值。利用本发明的热导测量方法，可以提供快速准确的金属薄膜热导信息，大大扩展了3omega电学测量技术的适用范围。本发明适用于纳米量级薄膜的测量，样品结构简单，避免原有电学测试方法中的复杂工艺结构，因此可作为金属薄膜材料热学参量的快速表征手段，在微电子工业领域中有其应用前景。
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公开(公告)号：CN101699617A
公开(公告)日：2010-04-28
申请号：CN200910197859.5
申请日：2009-10-29
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种隧穿场效应晶体管(TFET)的制备方法。本发明使用自对准工艺形成隧穿场效应晶体管。这种隧穿场效应晶体管的制备方法工艺简单，形成这种隧穿场效应晶体管的工艺拥有自对准特性，而且其源极和漏极的形成过程可以被分离，从而可以很容易地形成拥有和衬底材料不同的源极结构。
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公开(公告)号：CN116916733A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310805947.9
申请日：2023-07-03
Applicant: 复旦大学义乌研究院
Abstract: 本发明属于柔性传感电子制备技术领域，具体为一种高灵敏度二维异质结柔性压力传感器及其制备方法。本发明柔性压力传感器由柔性衬底、过渡金属硫化物、具有压电性质的二维半导体材料以及源电极和漏电极组成；二维压电材料置于TMD顶层与其形成异质结接触；源电极和漏电极与WSe2层形成欧姆接触。制备方法包括：通过干法转移技术将具有压电性质的二维半导体材料与WSe2材料组合，并转移至柔性基底；通过光刻技术在SiO2/Si衬底上制备金属电极，并转移至柔性基底，实现高灵敏度和良好耐久性的柔性压力传感器。本发明将二维压电材料的压电效应与TMD材料高迁移率的特征有效结合，器件在多次弯折后仍具有高灵敏度。
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公开(公告)号：CN107238648A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710440266.1
申请日：2017-06-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电化学传感器件制造技术领域，具体为一种低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法。本发明中，以柔性材料作为衬底，其上沉积图形化金属层作为背电极，在背电极上生长绝缘氧化层，在绝缘介质层上转移二维半导体薄膜，作为器件的导电沟道；在二维半导体薄膜上形成图形化金属层作为该器件的源、漏区；在沟道区域上方沉积功能层材料。本发明利用微波退火工艺低温处理，一方面改善器件各层之间的界面特性，消除测试中由于界面缺陷造成的迟滞、漂移等现象；另一方面，借助功能层材料对微波的吸收作用，与在二维半导体薄膜界面处形成纳米结构的功能层，可应用于不同场景的传感检测。微波退火工艺具有快速，低热预算，制造周期短，成本低廉等优点。
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公开(公告)号：CN105067012A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510387408.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 复旦大学
IPC: G01D3/036
Abstract: 本发明涉及电子器件技术领域，公开了一种稳定薄膜晶体管传感器性能的测试方法。本发明通过在薄膜晶体管结构的一类电子器件的栅极上施加极性交变的脉冲激励，以消除晶体管转移特性曲线中的迟滞现象。所施加的交变脉冲信号极性交替，这种正负电压激励，可以消除恒定极性栅极电压偏置下栅介质层或沟道敏感层的电荷积累，从而消除迟滞。当使用栅控晶体管结构的传感器时，通过这种交变脉冲激励方法，可以使得背景电流更加稳定，测量结果更加可靠，精确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102945801B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210476623.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
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公开(公告)号：CN104224198A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410521823.9
申请日：2014-10-07
Applicant: 复旦大学
IPC: A61B5/1455
Abstract: 本发明属于医疗检测技术领域，具体涉及一种基于拉曼散射的多功能无创便携医疗检测装置及检测方法。本发明装置包括激光发生、光信号处理、光电信号转换以及数据处理等系统；激光发生系统将固定波长的激光照射到人体皮肤，由人体皮肤返回的散射光送至光信号处理系统；光信号处理系统可以通过能够表征某一物质的特定波长的散射光，滤除其他波长的散射光；光电信号转换系统将特定波长的散射光信号转换成相应的数字电信号；数字信号处理系统对数字电信号进行处理，得到相对应的表征某一物质体征的物质含量。整个系统集成在很小的装置中，可用于无创检测人体血糖、血红素等各体征指标，具有无创、便携、功能多样的特点。
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公开(公告)号：CN102945801A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210476623.7
申请日：2012-11-22
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/283
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种石墨烯金属氧化物栅介质的集成方法。本发明首先利用金属醇盐水解机理，采用浸渍或旋覆工艺在石墨烯表面生成一层超薄金属氢氧化物薄膜；以该超薄金属氢氧化物薄膜作为成核层，采用常规原子层沉积工艺在所述石墨烯表面制备出均匀、高质量高k栅介质薄膜。本发明通过金属醇盐水解引入的金属氢氧化物薄膜，金属醇盐水解过程不会破坏石墨烯晶体结构，同时金属氢氧化物薄膜在后续原子层沉积工艺中能够逐渐脱水形成介电常数更高的金属氧化物薄膜，不会降低总体栅介质层的性能，这些都有利于提高由所述石墨烯制备的产品（例如石墨烯基场效应晶体管）的器件性能。
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公开(公告)号：CN102044433B
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN200910196982.5
申请日：2009-10-10
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L27/02
Abstract: 本发明属微电子领域，涉及一种混合源漏场效应晶体管及其制备方法。该晶体管可以用来作为集成电路的基本单元。本发明提供的晶体管具有混合源漏，源极是由常规的pn结构成，漏极为肖特基结。同时，源极和漏极可以互换，即源极为肖特基结，而漏极是常规的pn结。当源漏互换时，器件所表现出来的电性行为不同。同常规的pn结相比，本发明具有低的寄生电阻和良好的按比例缩小的特性。本发明能缓解若干与纯粹肖特基源漏晶体管有关的潜在问题。而且，本发明混合源漏晶体管源漏结构适合不同电路模块中晶体管的要求，该源漏结构的易互换性能增加电路设计的灵活性。
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公开(公告)号：CN101777586B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201010023067.9
申请日：2010-01-21
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/80 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66643 , H01L29/7839
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，具体公开了一种混合结型源漏的场效应晶体管及其制备方法。该混合结型源漏场效应晶体管包括半导体衬底、栅极结构、侧墙、具有混合结的源区和漏区，所述混合结由肖特基结和PN结混合构成。同具有肖特基结的金属源漏场效应晶体管相比，本发明所述的场效应晶体管具有较低的漏电流特性，同时该种场效应晶体管的源漏串联电阻比PN结型源漏场效应晶体管的源漏串联电阻小。
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