-
公开(公告)号：CN105957866B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201610290858.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 上海小海龟科技有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L27/10 , H01L27/102 , H01L27/105 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体生物传感器及其制备方法。半导体生物传感器包含衬底，形成在衬底之上的外延层，形成在外延层中的离子敏感场效应晶体管的源区、漏区以及双极型晶体管的基区和发射区，形成在外延层上离子敏场效应晶体管的源区、漏区之间的栅氧化层，形成在栅氧化层之上的离子敏感场效应晶体管的栅区；离子敏感场效应晶体管的衬底，作为双极型晶体管的集电区；集电区、发射区、源区和栅区均通过金属互连线引出，作为半导体生物传感器的集电极、发射极、源极和栅极。本发明半导体生物传感器结构简化，从而使其便于集成和封装。
-
公开(公告)号：CN105957866A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610290858.5
申请日：2016-05-04
Applicant: 上海小海龟科技有限公司 , 复旦大学
IPC: H01L27/10 , H01L27/102 , H01L27/105 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/10 , H01L21/77 , H01L27/1022 , H01L27/105
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体生物传感器及其制备方法。半导体生物传感器包含衬底，形成在衬底之上的外延层，形成在外延层中的离子敏感场效应晶体管的源区、漏区以及双极型晶体管的基区和发射区，形成在外延层上离子敏场效应晶体管的源区、漏区之间的栅氧化层，形成在栅氧化层之上的离子敏感场效应晶体管的栅区；离子敏感场效应晶体管的衬底，作为双极型晶体管的集电区；集电区、发射区、源区和栅区均通过金属互连线引出，作为半导体生物传感器的集电极、发射极、源极和栅极。本发明半导体生物传感器结构简化，从而使其便于集成和封装。
-
公开(公告)号：CN105070823A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510469367.2
申请日：2015-08-03
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于半导体传感器技术领域，具体为一种压力传感器件及其制备方法。本发明的压力传感器件包括至少一个场效应晶体管、一个压电控制栅；所述场效应晶体管为NMOS晶体管或PMOS晶体管；所述压电控制栅包括压电薄膜、压电薄膜的上表面电极、压电薄膜的下表面电极、介于所述场效应晶体管栅极与压电薄膜的下表面电极之间的连接电极。本发明所提出的压力传感器件用作压力信号的感知，具有制作工艺简单、单元面积小、芯片集成度高、对压力的灵敏度高等特点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103940884A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410100281.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。
-
公开(公告)号：CN103940885B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201410100698.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN103940884B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410100281.8
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备方法。该离子敏感场效应晶体管包含半导体衬底，场氧化层，位于半导体衬底上通过掺杂形成的源极和漏极，源极和漏极之间被刻蚀到半导体衬底内部的凹槽结构，位于凹槽外围并与源极和漏极掺杂类型相同的凹形掺杂区域，该凹形掺杂区域中掺杂浓度峰值处的区域为埋层凹槽，该埋层凹槽与凹槽互不接触，上述场氧化层位于半导体衬底上除源极、漏极和凹槽之外的所有区域，凹槽表面有离子敏感膜。与现有技术相比，本发明中的晶体管能够在测量时免遭周围环境中电磁场的干扰，而且测量时电流密度更大，还能够避免凹槽的表面缺陷或表面固态电荷在测量时对电流灵敏度的影响。
-
公开(公告)号：CN103940885A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410100698.4
申请日：2014-03-18
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414
Abstract: 本发明涉及晶体管，公开了一种离子敏感场效应晶体管及其制备工艺。包含半导体衬底，栅绝缘层，通过掺杂形成的源极和漏极以及与所述源极和所述漏极掺杂类型相同的埋设沟道，埋设沟道位于半导体衬底内靠近上表面处，且埋设沟道与半导体衬底上表面不接触，源极和漏极分别位于埋设沟道两侧，栅绝缘层位于埋设沟道之上的半导体衬底上。与现有技术相比，本发明中当源极和漏极之间产生电流时，电流优先从埋设沟道流过，而不是从栅绝缘层与半导体衬底的接触界面通过，这样就避免了由于上述接触界面存在的表面缺陷而产生的测量电流的噪声，避免了因表面载流子散射降低器件的信噪比和离子测量的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN107238648A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710440266.1
申请日：2017-06-13
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N27/414 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于电化学传感器件制造技术领域，具体为一种低温制备二维柔性离子敏场效应晶体管的方法。本发明中，以柔性材料作为衬底，其上沉积图形化金属层作为背电极，在背电极上生长绝缘氧化层，在绝缘介质层上转移二维半导体薄膜，作为器件的导电沟道；在二维半导体薄膜上形成图形化金属层作为该器件的源、漏区；在沟道区域上方沉积功能层材料。本发明利用微波退火工艺低温处理，一方面改善器件各层之间的界面特性，消除测试中由于界面缺陷造成的迟滞、漂移等现象；另一方面，借助功能层材料对微波的吸收作用，与在二维半导体薄膜界面处形成纳米结构的功能层，可应用于不同场景的传感检测。微波退火工艺具有快速，低热预算，制造周期短，成本低廉等优点。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
