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公开(公告)号：CN116873908A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311004561.4
申请日：2023-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 一种利用糖类物质中的碳宏量获取高质量石墨烯的方法，它涉及一种制备高质量石墨烯的方法。本发明的目的是为解决以往用天然石墨作为原料采用自上而下的方法和以小分子碳源作为原料采用自下而上的方法制备石墨烯存在的制备工艺复杂，制备成本高昂，难以制备高质量的石墨烯的问题。方法：一、配制水溶性糖类镍粉悬浮液和不溶性糖类镍粉悬浮液；二、制备糖/镍复合粉体；三、放电等离子烧结处理；四、刻蚀金属镍，得到高质量石墨烯。本发明通过放电等离子烧结系统制备的石墨烯，在800℃时即可得到晶型完美、缺陷较少，石墨化度极高的石墨烯材料，低温短时制备节约了能源，符合绿色化学的要求。本发明可获得高质量石墨烯。
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公开(公告)号：CN114632434B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210277617.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法，本发明涉及纳米材料领域，具体涉及一种纳米SiO2粉体‑糖溶液的制备方法。本发明要解决目前较难或无法制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液且制备工艺繁杂的问题。本发明的制备步骤：一、配制糖混合溶液；二、调控溶液的pH值；三、配制纳米SiO2粉体‑糖溶液。本发明可制备出具有高固相含量、良好分散性和稳定性的纳米SiO2粉体‑糖溶液并且具有制备工艺简单的优点。本发明用于制备纳米SiO2粉体‑糖溶液。
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公开(公告)号：CN109485449A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201910030896.0
申请日：2019-01-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B38/00 , C04B35/83 , C04B35/622 , C04B41/87
Abstract: 一种基于毛细作用制备密度梯度防热材料的方法，本发明涉及密度梯度防热材料的制备方法领域。本发明要解决现有引入超高温陶瓷组分操作过程复杂且所制复合材料成本高、设备要求高的技术问题。方法：一、碳纤维编织体浸泡于含酚醛树脂的料浆中，经固化后进行热处理获得多孔C/C复合材料；二、将多孔C/C复合材料上表面浸于含超高温陶瓷组分的料浆中，经振动、超声以及干燥工艺，再进行热处理；三、重复步骤二工艺，获得表面超高温陶瓷改性的密度梯度C/C防热材料。本发明制备的复合材料兼具可调密度梯度、抗烧蚀和抗氧化性能好的特点，操作过程简单、设备要求低、安全系数高且可制备大尺寸部件。本发明制备的防热材料适用于飞行器的防热材料。
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公开(公告)号：CN105752952B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201610060591.0
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN104495849A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410675593.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119977592A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510242137.6
申请日：2025-03-03
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明涉及一种碳氮比可控的高硬度高弹性模量的高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域。为解决现有制备方法难以兼顾碳氮比调控和高熵碳氮化物陶瓷力学性能的问题，本发明将Ti粉体、ZrH2粉体、Hf粉体、Ta粉体、Cr粉体和碳黑进行球磨和干燥后得到混合粉体；将混合粉体置于氮气气氛下进行热处理，得到陶瓷粉体；对陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到高熵碳氮化物陶瓷。本发明通过调整金属粉体与碳黑的摩尔比来调控高熵体系的碳空位浓度，进而实现氮原子的引入，更易于调控陶瓷粉体的碳氮比，放电等离子烧结能有效避免晶粒长大，在较短的时间内获得致密细晶粒的高熵碳氮化物陶瓷，有利于高熵碳氮化物陶瓷力学性能的提升。
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公开(公告)号：CN117601472A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202410018334.5
申请日：2024-01-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种向隔热材料内部集成光纤温度传感组元的方法，本发明涉及复合材料机构技术/智能复合材料领域，具体涉及一种向隔热材料内部集成光纤温度传感组元的方法。本发明为解决现有技术向隔热材料内部集成光纤面临的界面结合强度偏高、显著影响材料隔热性能的技术问题。方法：一、光纤的预埋集成；二、配制低浓度聚合物溶液；三、弱界面的构筑。本发明对材料的破坏程度更小，具有更广的应用范围；实现了“测点精准固定‑高测温精度”协同；热材料内部的孔隙结构，对材料隔热性能的影响不显著，更好地保留了隔热材料内部的孔隙结构。本发明用于制备温度传感组元。
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公开(公告)号：CN114315370B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210048287.X
申请日：2022-01-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/626 , C04B35/624
Abstract: 一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法，本发明属于高熵超高温陶瓷技术领域，具体涉及一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法。本发明是为了解决目前制备(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体存在的成本高、氧杂质含量较高的问题。本发明中合成方法包括：一、配制葡萄糖混合溶液；二、配制氧化物混合粉体；三、配制混合浆料；四、配制凝胶；五、凝胶热处理。本发明合成的粉体具有成本低、氧杂质含量低、成分分布均匀且适合批量生产等优点。本发明适用于合成(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN115849362A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211477635.1
申请日：2022-11-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B32/205 , C01B32/05
Abstract: 基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法，涉及石墨材料制备技术领域。本发明的目的是为了降低碳材料制备领域对石油煤矿等不可再生资源的依赖的问题。本发明首先通过反应釜以溶剂热的方式提升了粉体原料的塑变性能，促进了成型阶段颗粒的挤压与变形，使原料本身在保持稳定的情况下，保留有相当程度的烧结性；其次，在成型过程中引入了温度场，促进原料分子的热运动，有利于塑性变形的发生，实现预烧结的同时缓解内部应力，避免了后续炭化过程的开裂，解决了所得自烧结性碳源粉体烧结过程中的开裂问题，成品率高，且具备大尺寸制品的生产潜力。本发明可获得基于糖类小分子的块体炭/石墨材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN104495849B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410675593.1
申请日：2014-11-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 有机无机杂化制备碳化硅纳米线的方法，它涉及一种以有机酚醛树脂和无机硅粉体为原料制备超长碳化硅纳米线的方法。本发明为了解决现有方法制备超长SiC纳米线设备要求高、成本高、安全性低、操作过程复杂的技术问题。本方法如下：称取原料；将原料机械混合，然后装入瓷方舟中，将瓷方舟推至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下保温，降温，即得。本发明主要是有机酚醛树脂粉体和无机硅粉体为原料，采用简单的制备方法在常压条件下就制备出了长达数毫米甚至是厘米的超长碳化硅纳米线。成本低、安全系数高、操作简单。该纳米线可以应用于纳米电子元器件、激光器、场发射和光催化等领域。本发明属于纳米线的制备领域。
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