公开(公告)号：CN119977592A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510242137.6

申请日：2025-03-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 董顺 ,  董源 ,  夏莲森 ,  张幸红 ,  韩杰才 ,  杜善义

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及一种碳氮比可控的高硬度高弹性模量的高熵碳氮化物陶瓷及其制备方法，属于高熵陶瓷技术领域。为解决现有制备方法难以兼顾碳氮比调控和高熵碳氮化物陶瓷力学性能的问题，本发明将Ti粉体、ZrH2粉体、Hf粉体、Ta粉体、Cr粉体和碳黑进行球磨和干燥后得到混合粉体；将混合粉体置于氮气气氛下进行热处理，得到陶瓷粉体；对陶瓷粉体进行放电等离子烧结，得到高熵碳氮化物陶瓷。本发明通过调整金属粉体与碳黑的摩尔比来调控高熵体系的碳空位浓度，进而实现氮原子的引入，更易于调控陶瓷粉体的碳氮比，放电等离子烧结能有效避免晶粒长大，在较短的时间内获得致密细晶粒的高熵碳氮化物陶瓷，有利于高熵碳氮化物陶瓷力学性能的提升。

公开(公告)号：CN114315370B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202210048287.X

申请日：2022-01-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 董顺 ,  夏莲森 ,  张幸红 ,  韩杰才 ,  杜善义

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/624

Abstract: 一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法，本发明属于高熵超高温陶瓷技术领域，具体涉及一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法。本发明是为了解决目前制备(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体存在的成本高、氧杂质含量较高的问题。本发明中合成方法包括：一、配制葡萄糖混合溶液；二、配制氧化物混合粉体；三、配制混合浆料；四、配制凝胶；五、凝胶热处理。本发明合成的粉体具有成本低、氧杂质含量低、成分分布均匀且适合批量生产等优点。本发明适用于合成(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN117843254A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202410018332.6

申请日：2024-01-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 董顺 ,  夏莲森 ,  周帆 ,  王本章 ,  张宇鹏 ,  张幸红

IPC: C03C25/106 ,  C03C25/16

Abstract: 一种石英光纤表面碳涂层的简易制备方法，本发明属于光纤表面改性技术领域，具体涉及一种石英光纤表面碳涂层的简易制备方法。本发明是为了解决现有方法制备石英光纤表面碳涂层存在的对设备要求较高，反应条件要求比较苛刻，如需要加压以及得到的碳涂层质量差的技术问题。一、前驱体溶液的配制；二、石英光纤浸渍前驱体溶液；三、固化处理；四、前驱体裂解制备石英光纤表面碳涂层。本发明以成本低廉的酚醛树脂为前驱体，采用前驱体浸渍裂解法在石英光纤表面制备碳涂层，得到的碳涂层的厚度可以在1μm至5μm的范围内进行调控，且得到的碳涂层具有致密均匀的特点。本发明用于制备表面具有碳涂层的石英光纤。

公开(公告)号：CN114315370A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210048287.X

申请日：2022-01-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 董顺 ,  夏莲森 ,  张幸红 ,  韩杰才 ,  杜善义

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/626 ,  C04B35/624

Abstract: 一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法，本发明属于高熵超高温陶瓷技术领域，具体涉及一种(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体的合成方法。本发明是为了解决目前制备(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体存在的成本高、氧杂质含量较高的问题。本发明中合成方法包括：一、配制葡萄糖混合溶液；二、配制氧化物混合粉体；三、配制混合浆料；四、配制凝胶；五、凝胶热处理。本发明合成的粉体具有成本低、氧杂质含量低、成分分布均匀且适合批量生产等优点。本发明适用于合成(TiZrHfNbTa)CN高熵超高温碳氮化物陶瓷粉体。