公开(公告)号：CN108947534B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201811045318.6

申请日：2018-09-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  潘锐群 ,  张幸红 ,  檀铭一 ,  候臣霖 ,  王艳会

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

Abstract: 一种批量合成钽铪碳陶瓷粉体的制备方法，本发明涉及无机材料制备领域。本发明要解决现有制备Ta4HfC5陶瓷粉体方法无法控制粉体粒径的均匀性，并且粉体纯度易受影响的技术问题。方法：一、HfCl4粉体加入到乙酰丙酮，加热搅拌；二、加入TaCl5粉体和正丁醇混合液，加热搅拌；三、加入酚醛树脂，加热搅拌；四、移入反应釜中进行溶剂热处理；五、干燥，煅烧。本发明制备得到的粉体为Ta4HfC5单相固溶体，粉体纯度≥98.5％，粉体粒径≤1μm。本发明用于批量合成Ta4HfC5陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN109400165B

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN201811390592.7

申请日：2018-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  潘锐群 ,  张幸红 ,  吴诗琪 ,  陈思彤 ,  刘大钊

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

Abstract: 一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法，涉及一种合成五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法。目的是解决现有能够得到高纯Ta4HfC5陶瓷粉体的化学法存在危险性大的问题。制备方法：将HfCl4粉体加入到乙酰丙酮中并加热搅拌得到前驱体溶液A；正丁醇加入到前驱体溶液A中得到前驱体溶液B，加入TaCl5粉体得到前驱体溶液C；酚醛树脂加入到前驱体溶液C中并加热搅拌得到前驱体溶液D；氨水加入到前驱体溶液D中并搅拌均匀，得到前驱体产物，最后干燥和煅烧。本发明在常温常压下进行，对设备要求低，实验方法简单，危险性低，适合批量生产制备的粉体纯度≥98.5％，粒径均匀。本发明适用于制备高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN105752952A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610060591.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  董顺 ,  潘锐群 ,  张东洋

IPC: C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/16

Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅?聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。

公开(公告)号：CN109400165A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201811390592.7

申请日：2018-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  潘锐群 ,  张幸红 ,  吴诗琪 ,  陈思彤 ,  刘大钊

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

Abstract: 一种简易批量合成高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法，涉及一种合成五碳化四钽铪陶瓷粉体的方法。目的是解决现有能够得到高纯Ta4HfC5陶瓷粉体的化学法存在危险性大的问题。制备方法：将HfCl4粉体加入到乙酰丙酮中并加热搅拌得到前驱体溶液A；正丁醇加入到前驱体溶液A中得到前驱体溶液B，加入TaCl5粉体得到前驱体溶液C；酚醛树脂加入到前驱体溶液C中并加热搅拌得到前驱体溶液D；氨水加入到前驱体溶液D中并搅拌均匀，得到前驱体产物，最后干燥和煅烧。本发明在常温常压下进行，对设备要求低，实验方法简单，危险性低，适合批量生产制备的粉体纯度≥98.5％，粒径均匀。本发明适用于制备高纯五碳化四钽铪陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN108947534A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201811045318.6

申请日：2018-09-07

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 韩文波 ,  潘锐群 ,  张幸红 ,  檀铭一 ,  候臣霖 ,  王艳会

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/626

CPC classification number: C04B35/5622 ,  C04B35/62605 ,  C04B2235/444 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96

Abstract: 一种批量合成钽铪碳陶瓷粉体的制备方法，本发明涉及无机材料制备领域。本发明要解决现有制备Ta4HfC5陶瓷粉体方法无法控制粉体粒径的均匀性，并且粉体纯度易受影响的技术问题。方法：一、HfCl4粉体加入到乙酰丙酮，加热搅拌；二、加入TaCl5粉体和正丁醇混合液，加热搅拌；三、加入酚醛树脂，加热搅拌；四、移入反应釜中进行溶剂热处理；五、干燥，煅烧。本发明制备得到的粉体为Ta4HfC5单相固溶体，粉体纯度≥98.5％，粉体粒径≤1μm。本发明用于批量合成Ta4HfC5陶瓷粉体。

公开(公告)号：CN105752952B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201610060591.0

申请日：2016-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张幸红 ,  董顺 ,  潘锐群 ,  张东洋

IPC: C01B21/068 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 一种在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及非原位制备超长氮化硅纳米线的方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。本发明的目的是要解决现有制备超长氮化硅纳米材料存在反应条件较为苛刻，导致安全性低，需要催化剂，导致纯度低，设备要求高、工艺复杂、成本高的技术问题。方法：一、制备多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷；二、热处理，即完成在多孔坯体或粉体状碳化硅‑聚碳硅烷表面原位及瓷方舟四壁非原位制备超长氮化硅纳米线的方法。优点：一、于常压下就可以制备出长达数毫米甚至是厘米级级别的超长氮化硅纳米线，且超长氮化硅纳米线呈现直线状；二、操作过程较为简单、安全系数高。本发明主要用于制备超长氮化硅纳米线。