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公开(公告)号：CN109658962B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201811554118.3
申请日：2018-12-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C7/24
Abstract: 一种抗单粒子多节点翻转的近阈值SRAM存储单元，它涉及一种SRAM存储单元，本发明要解决目前没有既能在近阈值或亚阈值电压区域工作，又能有效抵抗单粒子多节点翻转效应的SRAM存储单元结构的问题，本发明通过设计冗余加固技术以及合理的结构设计，增加了电路的内部节点数量从而达到抗单粒子翻转的目的；通过极性加固技术，对电路结构中的特定节点进行了抗单粒子翻转加固保护；此外，还通过版图加固技术，实现了对可能发生多节点翻转的节点对的隔离。在电路级和版图级加固的联合作用下，所提出的近阈值SRAM存储单元具备抵抗单粒子多节点翻转的能力。满足了低电压应用领域对抗单粒子多节点翻转近阈值SRAM存储单元的设计需求。
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公开(公告)号：CN103778954B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201410062259.9
申请日：2014-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413
Abstract: 抗多节点翻转的存储器，涉及集成电路领域。本发明是为了降低甚至消除SEU效应在存储器中的影响。它具有对存储单元发生单节点翻转和多节点翻转时的容错保护功能，它包括两个PMOS存取晶体管以及一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构。所述的一个上拉网络和一个下拉网络构成的堆栈结构（stacked structure），由PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5和P6同NMOS晶体管N1、N2、N3和N4共同组成。它的一个作用是来降低存储单元的功耗。本发明可以对于存储器中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而不依赖于存储器所存储的值。
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公开(公告)号：CN101639497B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200910072733.5
申请日：2009-08-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R19/00 , H03K19/003
Abstract: 分布式休眠晶体管功率门控电路中最大翻转电流的静态估算方法，涉及功率门控电路，它解决了现有计算功率门控电路翻转电流时耗费时间长，并且得到的数值不准确的问题，其方法为：选择数字集成电路版图，对所述数字集成电路版图的每行中的多个标准单元设置为一簇，将每一簇分配一个休眠晶体管，根据数字集成电路中单个反相器的翻转特性，对一个标准单元进行计算，获得峰值电流，采用静态时序分析工具对每个标准单元进行时序分析；根据时序分析报告的结果可得到每一簇中的多个标准单元的总电流，将同一簇中的标准单元的电流值进行叠加，获得每一簇的最大翻转电流。本发明适用于以标准单元为基础的半定制数字电路中分簇式功率门控休眠晶体管的设计。
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公开(公告)号：CN101252513B
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN200810064248.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04L12/56
Abstract: 保障服务质量的片上网络带宽资源调度方法，它涉及一种基于片上网络的面向连接的能够保障服务质量的资源调度方法，以解决现有的片上网络提供保障质量服务存在的共享同一物理链路的不同GS连接之间的传输冲突、网络资源利用率低、影响BE服务质量的问题。本发明由以下步骤实现：步骤一、建立并设定GS虚连接优先级；步骤二、同步GS虚连接通过路由器中的优先级计数器；步骤三、设定BE通路的初始优先级；步骤四、DSD调度输出；步骤五、GS虚连接撤销。本方法解决了共享同一物理链路的不同GS连接之间的传输冲突问题，实现了为IP提供多样化的带宽硬保障服务，解决了采用面向连接保障GS服务带来的网络资源利用率低、影响BE服务质量的缺点。
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公开(公告)号：CN101252513A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200810064248.9
申请日：2008-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H04L12/56
Abstract: 保障服务质量的片上网络带宽资源调度方法，它涉及一种基于片上网络的面向连接的能够保障服务质量的资源调度方法，以解决现有的片上网络提供保障质量服务存在的共享同一物理链路的不同GS连接之间的传输冲突、网络资源利用率低、影响BE服务质量的问题。本发明由以下步骤实现：步骤一、建立并设定GS虚连接优先级；步骤二、同步GS虚连接通过路由器中的优先级计数器；步骤三、设定BE通路的初始优先级；步骤四、DSD调度输出；步骤五、GS虚连接撤销。本方法解决了共享同一物理链路的不同GS连接之间的传输冲突问题，实现了为IP提供多样化的带宽硬保障服务，解决了采用面向连接保障GS服务带来的网络资源利用率低、影响BE服务质量的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110209524B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910527261.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种抗单粒子瞬态效应的ECC译码器加固方法，涉及ECC译码器加固技术。本发明是为了解决传统的三模冗余技术无法避免因校正子向量计算模块或校正子向量比较模块受到SET干扰而引起对码字的错误纠正的问题。本发明首先计算奇偶校验方程得到校正子向量；然后将得到的校正子向量进行或运算，得到信号corr_en；根据输入的校正子向量输出相关的错误模式向量(e1,e2,e3,…,ek)；将信号corr_en与错误模式向量进行与运算；最后将运算果与原始输入码字进行异或运算。本发明主要用于ECC译码器的加固。
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公开(公告)号：CN107301881B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710523101.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/42 , G11C11/413
Abstract: 本发明涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器抗辐射加固方法及存储器系统，本发明为了解决现有技术的编码电路复杂、难以保证存储器可靠性的缺点，而提出一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器加固方法及存储器系统。首先规定设计规则，然后基于传统的递归回溯算法，开发了具有权重限制功能和搜索状态记忆的新算法来查找符合这些规则的编码的矩阵。利用该算法找到了16、32和64位数据位的四位相邻纠错码的矩阵。最后根据提出的编码矩阵利用硬件描述语言实现编码器与解码器电路，完成对存储器的加固设计。本发明中的编码在实现纠正能力扩展的同时具有中等面积和延迟开销。本发明适用于SRAM存储器的加固。
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公开(公告)号：CN106383303A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610751802.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/28
CPC classification number: G01R31/287
Abstract: 本发明涉及一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法及装置，属于集成电路故障注入模拟方法领域，为了解决现有技术的故障注入模拟方法使用单一观察点、单进程，导致模拟时间过长的缺点，进而提供了一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法，包括：从目标电路描述代码获得测试数据；设置故障注入参数；针对测试数据设置预设个观察点，使用并行方式进行故障注入，并生成输出文件；在每段的故障注入后，在下一个观察点检测所述目标电路是否正常运行，若是，则进行下一段注入，若否，则回到上一个观察点开始下一段故障注入；分析所述输出文件，得到故障分析结果。本发明还包括一种基于观察点与并行的故障注入模拟装置。本发明适用于集成电路抗辐射性能评估。
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公开(公告)号：CN105448327A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786303.5
申请日：2015-11-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C11/413 , G11C11/419
CPC classification number: G11C11/413 , G11C11/419
Abstract: 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。
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公开(公告)号：CN102298973B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110147557.4
申请日：2011-06-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 抗辐射故障保护型存储装置及其抗辐射故障保护方法，它涉及一种抗故障保护型存储装置及其保护方法；它为解决现有存储阵列中出现的多位翻转又可以抑制编码器、译码器等组合电路中出现的单粒子瞬态效应，及现有EG-LDPC码因需要较多的冗余位存放编码信息而带来庞大的面积开销，增加芯片成本的问题而提出。方法：1、选择EG-LDPC码和汉明码；2、将EG-LDPC码分割成M个部分：3、把汉明码均匀地插入M个部分的间隔中；4、通过约束算法来确保混合码的故障保护特性；它具有低面积和延迟开销的特性，适用于同时抑制存储阵列中的多位翻转与编码器、译码器等组合电路中的单粒子瞬态效应。
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