公开(公告)号：CN105448327B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510786303.5

申请日：2015-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 肖立伊 ,  齐春华 ,  李安龙 ,  王天琦 ,  柳姗姗

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/419

Abstract: 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。

公开(公告)号：CN106383303A

公开(公告)日：2017-02-08

申请号：CN201610751802.5

申请日：2016-08-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 肖立伊 ,  李安龙 ,  赵强 ,  齐春华 ,  曹雪兵

IPC: G01R31/28

CPC classification number: G01R31/287

Abstract: 本发明涉及一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法及装置，属于集成电路故障注入模拟方法领域，为了解决现有技术的故障注入模拟方法使用单一观察点、单进程，导致模拟时间过长的缺点，进而提供了一种基于观察点与并行的故障注入模拟方法，包括：从目标电路描述代码获得测试数据；设置故障注入参数；针对测试数据设置预设个观察点，使用并行方式进行故障注入，并生成输出文件；在每段的故障注入后，在下一个观察点检测所述目标电路是否正常运行，若是，则进行下一段注入，若否，则回到上一个观察点开始下一段故障注入；分析所述输出文件，得到故障分析结果。本发明还包括一种基于观察点与并行的故障注入模拟装置。本发明适用于集成电路抗辐射性能评估。

公开(公告)号：CN105448327A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510786303.5

申请日：2015-11-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 肖立伊 ,  齐春华 ,  李安龙 ,  王天琦 ,  柳姗姗

IPC: G11C11/413 ,  G11C11/419

CPC classification number: G11C11/413 ,  G11C11/419

Abstract: 抗多节点翻转的存储单元，涉及集成电路技术领域。为了解决现有存储单元在辐射环境下不具备抵抗单粒子多节点翻转的能力，从而引起存储单元的存储状态改变的问题。该存储单元包括一号PMOS晶体管、二号PMOS晶体管、三号PMOS晶体管、四号PMOS晶体管、一号NMOS晶体管、二号NMOS晶体管、三号NMOS晶体管、四号NMOS晶体管、五号NMOS晶体管、六号NMOS晶体管、七号NMOS晶体管、八号NMOS晶体管，字线WL、位线BL和位线BLN。本发明所述的存储单元能够抵抗单粒子单一节点的翻转和单粒子多节点的翻转，防止SEU效应改变存储单元的存储状态，提高了系统的可靠性。适用于集成电路中。