-
公开(公告)号：CN110209524A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910527261.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种抗单粒子瞬态效应的ECC译码器加固方法，涉及ECC译码器加固技术。本发明是为了解决传统的三模冗余技术无法避免因校正子向量计算模块或校正子向量比较模块受到SET干扰而引起对码字的错误纠正的问题。本发明首先计算奇偶校验方程得到校正子向量；然后将得到的校正子向量进行或运算，得到信号corr_en；根据输入的校正子向量输出相关的错误模式向量(e1,e2,e3,…,ek)；将信号corr_en与错误模式向量进行与运算；最后将运算果与原始输入码字进行异或运算。本发明主要用于ECC译码器的加固。
-
公开(公告)号：CN110209524B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN201910527261.1
申请日：2019-06-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G06F11/10
Abstract: 一种抗单粒子瞬态效应的ECC译码器加固方法，涉及ECC译码器加固技术。本发明是为了解决传统的三模冗余技术无法避免因校正子向量计算模块或校正子向量比较模块受到SET干扰而引起对码字的错误纠正的问题。本发明首先计算奇偶校验方程得到校正子向量；然后将得到的校正子向量进行或运算，得到信号corr_en；根据输入的校正子向量输出相关的错误模式向量(e1,e2,e3,…,ek)；将信号corr_en与错误模式向量进行与运算；最后将运算果与原始输入码字进行异或运算。本发明主要用于ECC译码器的加固。
-
公开(公告)号：CN107301881B
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201710523101.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/42 , G11C11/413
Abstract: 本发明涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器抗辐射加固方法及存储器系统，本发明为了解决现有技术的编码电路复杂、难以保证存储器可靠性的缺点，而提出一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器加固方法及存储器系统。首先规定设计规则，然后基于传统的递归回溯算法，开发了具有权重限制功能和搜索状态记忆的新算法来查找符合这些规则的编码的矩阵。利用该算法找到了16、32和64位数据位的四位相邻纠错码的矩阵。最后根据提出的编码矩阵利用硬件描述语言实现编码器与解码器电路，完成对存储器的加固设计。本发明中的编码在实现纠正能力扩展的同时具有中等面积和延迟开销。本发明适用于SRAM存储器的加固。
-
公开(公告)号：CN107301881A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710523101.0
申请日：2017-06-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G11C29/42 , G11C11/413
Abstract: 本发明涉及抗辐射加固电路领域，具体涉及一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器抗辐射加固方法及存储器系统，本发明为了解决现有技术的编码电路复杂、难以保证存储器可靠性的缺点，而提出一种基于4位相邻和3位突发纠错码的SRAM存储器加固方法及存储器系统。首先规定设计规则，然后基于传统的递归回溯算法，开发了具有权重限制功能和搜索状态记忆的新算法来查找符合这些规则的编码的矩阵。利用该算法找到了16、32和64位数据位的四位相邻纠错码的矩阵。最后根据提出的编码矩阵利用硬件描述语言实现编码器与解码器电路，完成对存储器的加固设计。本发明中的编码在实现纠正能力扩展的同时具有中等面积和延迟开销。本发明适用于SRAM存储器的加固。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.022 seconds)
