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公开(公告)号：CN114236339B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202111546467.2
申请日：2021-12-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种太阳电池低温量子效率试验装置及其方法，该装置包括：恒温真空舱、光源控制单元、氙灯光源、测试单元和控制模块；方法包括以下步骤：S1.氙灯光源产生入射光；入射光包括单色光和偏置光；S2.将恒温真空舱横向放置，舱头部的光学窗口正对单色光下方，确保单色光和偏置光入射至待测电池表面，通过探针连接待测电池电极，并通过测试线将探针与测试单元相连，确认无断触后关闭舱门；S3.将恒温真空舱抽成真空；S4.达到真空度要求后进行降温；S5.通过测试单元进行量子效率性能测试得到量子效率曲线，根据量子效率曲线获取短路电流密度，以及半导体材料在当前温度下的带隙。本发明为深空太阳电池低温量子效率测试提供了试验条件。
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公开(公告)号：CN109888025B
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN201910219155.7
申请日：2019-03-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L29/868 , H01L21/04 , H01L21/336
Abstract: 本发明一种基于深层离子注入方式的PIN二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服PIN二极管受空间辐照效应，导致本征区的载流子被辐射缺陷俘获造成正向特性的退化的问题，具体方法为：步骤一、通过PIN二极管的结构参数和需注入PIN二极管的离子类型，计算离子注入所述PIN二极管的离子注入深度D和与离子注入深度D所对应的离子能量E；步骤二、计算离子注入量Ф；步骤三、通过所述离子能量E计算离子源电压值V；步骤四、通过所述离子注入量Ф确定离子注入时间t，并计算离子束电流值I；步骤五、根据所述离子注入深度D、离子源电压值V、离子束电流值I和离子注入时间t，向PIN二极管的本征区注入离子。
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公开(公告)号：CN109860033B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201910110228.9
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/872 , H01L29/32
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的肖特基二极管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件的制造或处理领域，目的是为了克服肖特基二极管受到位移辐射造成的缺陷导致正向特性退化的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，对肖特基二极管的有源区进行离子注入。本发明的有益效果是：本发明通过深层离子注入的方式，在肖特基二极管内部的一定深度范围内通过离子注入的方式人为地引入缺陷陷阱，可以对由位移辐射造成的缺陷产生复合作用，使器件内部的位移辐射缺陷保持稳定，不因辐射注量的增大而明显变化，从而提高肖特基二极管的抗辐照能力。
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公开(公告)号：CN110459649B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910774690.9
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
Abstract: 一种基于衬底深层离子注入的单晶Si太阳电池抗位移辐照方法，属于太阳电池微电子技术领域。本发明针对现有太阳电池由于空间带电粒子的辐照会产生辐照缺陷，进而造成太阳电池I‑V特性退化的问题。它根据原单晶Si太阳电池的结构参数，确定离子的欲注入位置，并根据欲注入位置模拟确定离子的能量和射程；然后模拟离子注入过程中的目标I‑V变化曲线，当目标I‑V变化曲线的变化量小于原单晶Si太阳电池I‑V变化曲线的10％时，记录离子注入量；再计算离子注入机的离子源电压、离子束电流和离子注入时间；设置离子注入机，对原单晶Si太阳电池进行离子注入并进行退火处理，实现对原单晶Si太阳电池的抗位移辐照加固。本发明用于单晶Si太阳电池的加固。
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公开(公告)号：CN109712873B
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910110168.0
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04 , H01L23/552
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111651337A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010378931.0
申请日：2020-05-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提出一种SRAM存储器空间服役故障分类失效检测方法，本发明采用故障特征检测诊断空间服役失效故障，通过分析特定核心器件在太空环境或异常环境中的特征参数电源电流的变化，依托神经网络进行故障状态的判断和分类。本发明可用于监控空间服役状态SRAM存储器的特征参数，并在地面计算出SRAM存储器故障失效概率。本发明可结合SRAM存储器空间服役环境，确定故障失效的薄弱环境，可为空间SRAM存储器长寿命服役提供技术支持。
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公开(公告)号：CN110491970A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910775586.1
申请日：2019-08-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/265
Abstract: 基于深层离子注入方式的倒置四结太阳电池抗位移辐照加固方法，属于微电子技术领域，本发明为解决现有倒置四结太阳电池在空间带电粒子的辐照下抗位移辐照能力差，易产生位移辐射损伤，从而严重地影响太阳电池的性能参数的问题。本发明向倒置四结太阳电池的第四结有源区和第三结有源区模拟注入离子，获得离子能量和射程信息，模拟I-V特性，记录与未注入离子时的I-V特性变化量小于10％时的注入离子量，计算注入离子电压和离子束电流，设置注入离子时间，采用设置后的注入离子机进行离子注入，对完成离子注入的倒置四结太阳电池进行退火处理。本发明用于对倒置四结太阳电池进行抗位移辐照加固。
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公开(公告)号：CN109712873A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201910110168.0
申请日：2019-02-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/04 , H01L23/552
Abstract: 本发明的基于深层离子注入方式的MOS场效应管抗位移辐照加固方法涉及半导体器件领域，目的是为了克服MOS型器件易受总剂量辐射损伤导致MOS型器件抗辐照能力低下的问题，具体步骤为计算离子源电压值V、离子束电流值I、离子注入深度D和离子注入时间t，并向MOS场效应管的栅极氧化层注入离子。本发明通过离子注入的方式，在MOS场效应管的栅极氧化层内人为地引入缺陷陷阱，可以对由总剂量辐射效应造成的电子空穴对产生复合作用，并对器件内部由于总剂量辐射缺陷所产生的电场产生补偿作用，从而提高MOS场效应管的抗辐照能力。能大幅度降低总剂量辐照诱导的氧化物俘获正电荷和界面态影响，可以增强MOS器件的抗辐照性能。
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公开(公告)号：CN106501284A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610911409.8
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 模拟不同注量率中子辐照的试验方法，涉及材料和器件的辐照试验。为了解决采用中子辐照产生的位移辐射损伤易形成位移缺陷，进而造成材料和器件性能退化的问题。所述方法为：选择重离子的类型和注量率，利用选择的重离子对材料和器件进行辐照，使所述材料和器件产生的位移损伤程度与待模拟注量率的中子辐照产生的位移损伤程度相同。选择的重离子的射程大于材料的厚度或器件有源区深度的2倍。在满足重离子加速器的要求的前提下，选择的重离子的注量率的范围为104～109ion/cm2·s，在所述范围内选择重离子的类型，使一个重离子产生的位移吸收剂量最小。本发明基于重离子辐照实现不同注量率中子辐照所产生的位移缺陷状态，原位检测性能退。
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公开(公告)号：CN106384716A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610911436.5
申请日：2016-10-19
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/328 , H01L21/263 , H01L21/30
CPC classification number: H01L21/263 , H01L21/30 , H01L29/66227
Abstract: 一种基于降低氢元素含量的双极器件抗辐照加固方法，涉及电子技术领域，具体涉及抗辐照双极器件。所述方法包括用于降低双极器件内部的氢含量的步骤。本发明在现有的双极器件制备工艺基础上，通过控制双极器件内部的氢含量，在相同的辐照剂量条件下，可大大降低双极器件的复合漏电流，降低双极器件的电流增益损伤程度，达到提高双极器件抗辐照能力的目的。本发明适用于抗辐照加固双极器件。
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