公开(公告)号：CN118073209A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410231575.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  原小慧 ,  戚晓芸 ,  周相宇 ,  许史娇 ,  刘林杰

IPC: H01L21/50 ,  H01J37/18

Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种异质材料的真空原位键合方法及装置；该键合方法包括：将非硅基材料样品和硅基材料样品进行等离子体活化处理；等离子活化处理使用的等离子气体包括含有卤族元素的气体；将经等离子活化处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品在含铵根离子的水溶液蒸气中处理，实现表面软化及官能团修饰；在真空条件下，将经蒸气处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品对准贴合后进行退火处理，得到键合样品对。采用本发明的方法，可以实现非硅基材料与硅基材料的真空原位键合，能够显著提高非硅基材料样品和硅基材料样品之间的键合强度，并且避免了在界面滴加大量键合液对待连接材料表面结构的破坏和填充。

公开(公告)号：CN113314451B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202110645471.8

申请日：2021-06-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  闫寒 ,  周诗承 ,  陈航 ,  康秋实 ,  田艳红

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。

公开(公告)号：CN111243972B

公开(公告)日：2022-06-10

申请号：CN202010113428.2

申请日：2020-02-24

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 王晨曦 ,  康秋实 ,  周诗承 ,  鲁添 ,  何洪文 ,  李珩 ,  戚晓芸 ,  胡天麒

IPC: H01L21/603

Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。

公开(公告)号：CN109045351B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201810667795.X

申请日：2018-06-26

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  哈尔滨医科大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  孙亚汝 ,  鲁添 ,  王岩松

IPC: A61L27/06 ,  A61L27/22 ,  A61L27/58 ,  C23F3/03

Abstract: 本发明公开了一种基于表面处理的镁合金与丝素蛋白连接方法，所示方法按照以下步骤实现镁合金与丝素蛋白之间的连接：镁合金表面机械抛光→镁合金表面化学抛光及清洗→镁合金表面等离子体或短波长光处理→丝素蛋白溶液涂覆于镁合金表面→干燥处理。本发明在不引入生物毒性物质及不改变镁合金性能的情况下，实现丝素蛋白与镁合金的牢固结合，有效减缓镁合金降解速率，在众多镁合金表面改性以及采用硅烷偶联剂连接丝素蛋白与镁合金的方法中具有很大优势。

公开(公告)号：CN111243972A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010113428.2

申请日：2020-02-24

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 王晨曦 ,  康秋实 ,  周诗承 ,  鲁添 ,  何洪文 ,  李珩 ,  戚晓芸 ,  胡天麒

IPC: H01L21/603

Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu-Cu、SiO2-SiO2以及Cu-SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。

公开(公告)号：CN221766751U

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202323309240.3

申请日：2023-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  牛帆帆 ,  原小慧

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型涉及芯片散热技术领域，并提供种芯片散热结构、芯片及电子器件，所述芯片散热结构包括第一金属焊盘、第二金属焊盘及第一散热板，所述第一散热板由高导热材料制成，多组所述第一金属焊盘阵列设置于所述第一散热板的一面，多组所述第二金属焊盘用于阵列设置于芯片的一面，且所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘一一对应键合连接。使得在芯片与第一散热板通过第一金属焊盘和第二金属焊盘键合连接后，二者之间存有气体间隙通道，在进一步提高散热效率和散热均匀性的同时，可防止二者之间在功率条件下由于热膨胀系数不同而产生的变形开裂等影响到结构可靠性的现象发生，也就是可包容一定的变形量，使得结构更加稳定可靠，以及便于加工制造。