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公开(公告)号：CN109045351A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201810667795.X
申请日：2018-06-26
CPC classification number: A61L27/06 , A61L27/227 , A61L27/58 , A61L2420/02 , C23F3/03 , C08L89/00
Abstract: 本发明公开了一种基于表面处理的镁合金与丝素蛋白连接方法，所示方法按照以下步骤实现镁合金与丝素蛋白之间的连接：镁合金表面机械抛光→镁合金表面化学抛光及清洗→镁合金表面等离子体或短波长光处理→丝素蛋白溶液涂覆于镁合金表面→干燥处理。本发明在不引入生物毒性物质及不改变镁合金性能的情况下，实现丝素蛋白与镁合金的牢固结合，有效减缓镁合金降解速率，在众多镁合金表面改性以及采用硅烷偶联剂连接丝素蛋白与镁合金的方法中具有很大优势。
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公开(公告)号：CN109045351B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201810667795.X
申请日：2018-06-26
Abstract: 本发明公开了一种基于表面处理的镁合金与丝素蛋白连接方法，所示方法按照以下步骤实现镁合金与丝素蛋白之间的连接：镁合金表面机械抛光→镁合金表面化学抛光及清洗→镁合金表面等离子体或短波长光处理→丝素蛋白溶液涂覆于镁合金表面→干燥处理。本发明在不引入生物毒性物质及不改变镁合金性能的情况下，实现丝素蛋白与镁合金的牢固结合，有效减缓镁合金降解速率，在众多镁合金表面改性以及采用硅烷偶联剂连接丝素蛋白与镁合金的方法中具有很大优势。
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公开(公告)号：CN111243972B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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公开(公告)号：CN111243972A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu-Cu、SiO2-SiO2以及Cu-SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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