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公开(公告)号：CN112263716A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011143238.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明提供一种在金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的方法，包括如下步骤：步骤S1、用氧‑氮混合等离子体对金属表面进行活化处理，得到表面活化的金属；步骤S2、采用超声雾化喷涂方法在所述金属表面制备纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层，得到中间产物；步骤S3、用氧等离子体对所述中间产物的表面进行活化，得到表面包覆纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层的金属。本发明不仅能提高金属和纳米羟基磷灰石‑丝素蛋白复合涂层之间的界面粘附强度，实现金属与涂层材料之间的无中间过渡层直接连接，还能提高复合涂层的耐腐蚀性能和自修复性能。本发明还提供了一种超声雾化喷涂装置。
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公开(公告)号：CN113314451B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110645471.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
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公开(公告)号：CN111243972B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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公开(公告)号：CN111243972A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu-Cu、SiO2-SiO2以及Cu-SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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公开(公告)号：CN109166793B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811005392.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/18 , H01L21/268
Abstract: 一种利用先真空紫外光再氮等离子体两步活化直接键合铌酸锂和硅晶片的方法，属于晶圆键合技术领域。所述方法如下：将待键合的铌酸锂晶片和硅晶片置于真空紫外光光源下，在20~80%的湿度条件下活化；将真空紫外光活化后的晶片置于N2等离子体下，在10~80 Pa的压强下活化；将经两步活化后的晶片在室温下相互贴合，并将贴合后的晶片置于大气环境下存储；将存储后的晶片置于100~180°C的温度条件下保温，即完成铌酸锂和硅的直接键合。本发明的优点是：无需化学试剂对待键合晶片表面进行清洗，键合工艺简单，键合流程少；在低温下即可实现二者之间稳定可靠的高强度的直接键合，避免因二者之间巨大的热膨胀系数差异而使得键合界面开裂以及键合材料断裂现象的发生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112387563A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202011227585.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/06 , C09D179/04 , C08G73/06
Abstract: 本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
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公开(公告)号：CN109371503A
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201811198317.5
申请日：2018-10-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝进行氧化锌纳米线低温制备的方法，所述方法以锌氨/聚乙烯醇混合溶液作为纺丝液，采用静电纺丝方法制备氢氧化锌/聚乙烯醇混合纳米线，将得到的氢氧化锌/聚乙烯醇混合纳米线放入炉中加热，得到氧化锌纳米线。本发明以锌氨/聚乙烯醇混合溶液作为纺丝液，锌氨络合物在纺丝过程中水和氨气挥发，最终形成了氢氧化锌/聚乙烯醇混合纳米线。氢氧化锌的热分解温度仅为125℃，因此可以在不损伤有机柔性基板的条件下制得氧化锌纳米线。相比传统方法，本发明使得静电纺丝后样品的热处理温度可以大幅降低，减小了对有机柔性基板的热损伤，从而达到直接在柔性基板上基于静电纺丝法制备氧化锌纳米线的目的。
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公开(公告)号：CN112387563B
公开(公告)日：2022-11-01
申请号：CN202011227585.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B05D7/14 , B05D7/24 , B05D3/06 , C09D179/04 , C08G73/06
Abstract: 本发明提供一种在可降解金属表面制备聚多巴胺涂层的方法，包括如下步骤：将可降解金属浸泡于多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中，持续向所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中通入空气，并用真空紫外光照射所述多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液，照射完后，将所述可降解金属取出，经清洗和干燥后，得到表面包覆聚多巴胺涂层的可降解金属。采用本发明的方法在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中产生大量的活性氧基团，加速了多巴胺的氧化聚合反应，从而实现了聚多巴胺涂层在可降解金属表面的快速聚合沉积，大大降低了可降解金属在多巴胺‑三羟甲基氨基甲烷溶液中浸泡的时间，解决了在可降解金属表面难以直接沉积聚多巴胺涂层的问题。
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公开(公告)号：CN110433804A
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910750842.1
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝制备掺杂氧化银的氧化锰纳米线网络的方法及其在催化分解甲醛中的应用，所述方法包括如下步骤：步骤一：将Mn(CH3COO)2溶液加入室温状态的PVA溶液中，在室温下磁力搅拌，得到静电纺丝前驱体溶液；步骤二：利用静电纺丝前驱体溶液通过注射泵推动注射器活塞，进行静电纺丝；步骤三：将纺成样品先置于高温空气中进行高温煅烧，再采用KMnO4溶液浸泡法浸泡所得的纳米线网络；步骤四：将银纳米线分散液滴在纳米线网络上，随后进行烘干，利用氧等离子体处理滴加银纳米线后的样品，进而实现氧化银纳米线的掺杂。本发明所需设备简单，连接过程安全便捷，制备周期短，实现了氧化银的掺杂，提高了催化效果。
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公开(公告)号：CN110047765A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910346433.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。
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