公开(公告)号：CN110047765B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201910346433.5

申请日：2019-04-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  王特 ,  方慧 ,  周诗承 ,  牛帆帆 ,  杭春进 ,  田艳红

IPC: H01L21/60 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。

公开(公告)号：CN118016567A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410152415.4

申请日：2024-02-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  原小慧 ,  安佰涛 ,  刘林杰 ,  侯哲 ,  牛帆帆

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种原位键合装置及方法。所述装置包括主腔室、副腔室、隔离板、压头组件、真空系统、进气系统、加压系统和等离子体系统。本发明通过在主腔室内设置可移动的隔离板，从而将主腔室分隔为两个独立腔室，由此可对两个待键合样品同时且独立的进行表面活化，一方面，原位键合避免样品在大气中的转运，提高界面质量和可重复性，且缩短表面活化至键合的间隔时间，提高生产效率，另一方面，分别活化处理实现了不同待键合样品的特异性活化，有助于提高键合质量，例如两个独立腔室分别采用不同的气体进行活化，解决了原位活化键合工艺中无法对不同的待键合样品分别进行活化的问题，提高了键合质量和键合效率。

公开(公告)号：CN116072604A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211730055.9

申请日：2022-12-30

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  马岩 ,  牛帆帆 ,  田艳红

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/18

Abstract: 本发明提供了一种Co/氧化物介质混合键合方法，该方法包括：将含有Co电极和氧化物介质的样品进行多元等离子活化处理，得到待键合样品，其中，所述多元等离子活化处理使用的等离子气体包括至少三种气体；将所述待键合样品对准贴合后进行热压键合，得到Co/氧化物介质混合键合样品。本发明提供的Co/氧化物介质混合键合方法，能够同时实现Co‑Co、氧化物介质‑氧化物介质及Co‑氧化物介质的无凸点混合键合，避免含有机酸的湿法清洗环节及界面有机物的残留，提升界面的可靠性，可实现微小节距下混合键合，为低延迟、低功耗、高带宽、高密度三维集成提供了技术支持。

公开(公告)号：CN116960057A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310933530.0

申请日：2023-07-27

Applicant: 哈尔滨工业大学 ,  华为技术有限公司

Inventor： 王晨曦 ,  牛帆帆 ,  魏潇赟 ,  王敏才 ,  邓抄军

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/603

Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种基于硅和金刚石的三维集成芯片的混合键合方法。该方法包括：制备硅基Cu/SiO2混合键合样品和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品后进行等离子体活化处理；将经等离子体活化处理后Cu/SiO2混合键合样品浸泡于有机酸溶液中，清洗后吹干；在吹干后的硅基和/或金刚石基Cu/SiO2混合键合样品的待键合表面上滴加氢氟酸溶液，将硅基和金刚石基Cu/SiO2混合键合样品对准贴合进行预键合，得到预键合芯片；将预键合芯片进行热压键合，退火处理，得到混合键合样品对。本发明实现了以Cu/SiO2混合键合为基础的硅/金刚石三维异质集成。

公开(公告)号：CN110047765A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910346433.5

申请日：2019-04-26

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  王特 ,  方慧 ,  周诗承 ,  牛帆帆 ,  杭春进 ,  田艳红

IPC: H01L21/60 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。

公开(公告)号：CN221766751U

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202323309240.3

申请日：2023-12-05

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  戚晓芸 ,  牛帆帆 ,  原小慧

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367

Abstract: 本实用新型涉及芯片散热技术领域，并提供种芯片散热结构、芯片及电子器件，所述芯片散热结构包括第一金属焊盘、第二金属焊盘及第一散热板，所述第一散热板由高导热材料制成，多组所述第一金属焊盘阵列设置于所述第一散热板的一面，多组所述第二金属焊盘用于阵列设置于芯片的一面，且所述第一金属焊盘和所述第二金属焊盘一一对应键合连接。使得在芯片与第一散热板通过第一金属焊盘和第二金属焊盘键合连接后，二者之间存有气体间隙通道，在进一步提高散热效率和散热均匀性的同时，可防止二者之间在功率条件下由于热膨胀系数不同而产生的变形开裂等影响到结构可靠性的现象发生，也就是可包容一定的变形量，使得结构更加稳定可靠，以及便于加工制造。