公开(公告)号：CN118762985A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410868326.X

申请日：2024-07-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  刘林杰 ,  原小慧

IPC: H01L21/18

Abstract: 本发明提供了一种表面活化键合方法及设备，涉及芯片制造技术领域；该表面活化键合方法包括：将第一样品和第二样品分别进行表面活化处理，得到第一待键合样品和第二待键合样品；将所述第一待键合样品和第二待键合样品对准贴合，得到待键合样品对；在预设真空度下，对待键合样品对施加预设压力，然后在所述第一待键合样品和第二待键合样品之间同时施加偏置电压和脉冲电压进行室温键合，得到键合样品对。对于表面粗糙度较高的样品，采用本发明提供的表面活化键合方法，可以在较低的真空条件下制得的键合强度较高的产品。

公开(公告)号：CN118016567A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202410152415.4

申请日：2024-02-03

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  原小慧 ,  安佰涛 ,  刘林杰 ,  侯哲 ,  牛帆帆

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种原位键合装置及方法。所述装置包括主腔室、副腔室、隔离板、压头组件、真空系统、进气系统、加压系统和等离子体系统。本发明通过在主腔室内设置可移动的隔离板，从而将主腔室分隔为两个独立腔室，由此可对两个待键合样品同时且独立的进行表面活化，一方面，原位键合避免样品在大气中的转运，提高界面质量和可重复性，且缩短表面活化至键合的间隔时间，提高生产效率，另一方面，分别活化处理实现了不同待键合样品的特异性活化，有助于提高键合质量，例如两个独立腔室分别采用不同的气体进行活化，解决了原位活化键合工艺中无法对不同的待键合样品分别进行活化的问题，提高了键合质量和键合效率。

公开(公告)号：CN118073209A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410231575.8

申请日：2024-03-01

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王晨曦 ,  原小慧 ,  戚晓芸 ,  周相宇 ,  许史娇 ,  刘林杰

IPC: H01L21/50 ,  H01J37/18

Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种异质材料的真空原位键合方法及装置；该键合方法包括：将非硅基材料样品和硅基材料样品进行等离子体活化处理；等离子活化处理使用的等离子气体包括含有卤族元素的气体；将经等离子活化处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品在含铵根离子的水溶液蒸气中处理，实现表面软化及官能团修饰；在真空条件下，将经蒸气处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品对准贴合后进行退火处理，得到键合样品对。采用本发明的方法，可以实现非硅基材料与硅基材料的真空原位键合，能够显著提高非硅基材料样品和硅基材料样品之间的键合强度，并且避免了在界面滴加大量键合液对待连接材料表面结构的破坏和填充。