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公开(公告)号：CN109666913A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910139644.1
申请日：2019-02-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种氮化镁(Mg3N2)薄膜及其制备方法，属于无机非金属材料领域。其是将高纯Mg靶和清洗后的衬底(硅、蓝宝石、石英、以六方氮化硼为缓冲层的硅、以六方氮化硼为缓冲层的蓝宝石等)放入射频磁控溅射生长室内，采用反应射频磁控溅射技术，利用高纯N2在强电场下电离形成等离子体与溅射出来的Mg反应，生成Mg3N2沉积在衬底上形成薄膜。本发明方法简单，成本低廉，安全可靠，无毒无害；同时可以通过调节Mg靶的靶距、溅射功率、溅射时间以及衬底温度等参数来控制薄膜的生长速率和薄膜厚度，可获得大面积、高质量的Mg3N2薄膜，实现薄膜的可控性以及重复性生长。
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公开(公告)号：CN102435789A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110442564.7
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于电光检测技术领域，具体涉及一种电光固浸探头，该探头可用于电子器件的外部电学特性和内部节点电信号的在片测量，且具有很高的空间分辨率和电压灵敏度。电光固浸探头由外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针组成；外圆筒底端为“倒置的正四棱台状”漏斗，内圆筒的底端为“倒置的圆台状”漏斗；电光探针的针头为尖顶或平顶结构，由半球型电光固浸透镜沿半径或平行于半径方向切割而成，其尖顶或平顶的中心为半球型电光固浸透镜的球心；外圆筒、内圆筒、显微物镜和电光探针均轴对称，且它们的对称轴重合在一起；通过螺纹控制显微物镜相对于电光探针的距离，使用时显微物镜的焦点位于电光探针的尖顶或平顶的中心，该电光固浸探头可以使电光检测系统的空间分辨率可以提高n倍。
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公开(公告)号：CN114664967A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210222190.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 一种嵌入式MSM结构的六方氮化硼深紫外光电探测器及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域。本发明所述六方氮化硼深紫外光电探测器，自下而上由c轴蓝宝石衬底层、六方氮化硼层、嵌入式MSM电极结构层和六方氮化硼包层组成，其中嵌入式MSM电极结构层为叉指电极结构。本发明将MSM电极嵌入在六方氮化硼层内，并且在电极上方再覆盖一层六方氮化硼包层，相当于增大了曝光面积，可以最大程度增加光生载流子的收集范围；而六方氮化硼层内的载流子迁移率远高于层间迁移率，因而这种嵌入式MSM结构有利于提高器件的响应度和响应速度；同时电极嵌入在六方氮化硼薄膜中，也可以防止电极的脱落与沾污，从而保证器件的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113053732A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110273352.4
申请日：2021-03-15
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种以金刚石为衬底生长的高质量六方氮化硼薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。具体是以金刚石为衬底，将金刚石高温加热，使其表面充分石墨化，形成石墨缓冲层，然后再利用化学气相沉积、脉冲激光沉积或磁控溅射技术，在表面充分石墨化后的金刚石衬底上外延生长hBN薄膜。在相同的hBN薄膜生长工艺条件下，高温石墨化后的金刚石衬底上生长的hBN薄膜质量优于未经石墨化过程的金刚石衬底上生长的hBN薄膜，hBN薄膜的结晶质量和平整度均有提高，进一步可以直接用于垂直结构器件的电极的制备。
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公开(公告)号：CN112962082A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110273353.9
申请日：2021-03-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种以磁控溅射Cu薄膜为缓冲层的二维hBN薄膜及其制备方法，属于半导体材料外延生长技术领域。本发明利用磁控溅射技术在蓝宝石或石英等衬底上生长一层Cu薄膜作为缓冲层，然后再采用低压化学气相沉积技术在Cu缓冲层上外延生长二维hBN薄膜。与现在技术中使用的金属箔片相比，Cu缓冲层表面更加平整光滑，并且是Cu(111)晶面，与hBN晶格十分匹配，更适合于二维hBN薄膜的生长，Cu缓冲层的厚度可由Cu靶材的溅射工艺参数进行调节。采用本发明方法制得的二维hBN薄膜尺寸较大、质量较高，且Cu薄膜缓冲层可以作为垂直结构的hBN器件的底电极直接使用。
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公开(公告)号：CN111106202B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010030275.5
申请日：2020-01-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/032 , H01L31/18 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58
Abstract: 一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。
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公开(公告)号：CN110323130A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910629571.4
申请日：2019-07-12
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/225 , H01L21/268 , H01L31/0288
Abstract: 一种铬掺杂黑硅材料及其制备方法，属于半导体光电材料技术领域。本发明通过在单晶硅衬底上采用射频磁控溅射技术沉积铬薄膜，将金属铬作为掺杂剂，采用飞秒激光脉冲辐照镀铬的单晶硅表面，从而制备铬掺杂黑硅材料。本发明方法制得的铬掺杂黑硅材料铬浓度为1020～1021cm-3，载流子浓度低于1017cm-3，该黑硅材料在紫外至近红外波段(0.25～2.2μm)具有吸收增强特性，且在红外区的吸收率具有良好的热稳定性，该发明方法制备的黑硅材料可应用于红外光电探测领域。
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公开(公告)号：CN102540408A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110442511.5
申请日：2011-12-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属电光检测技术领域，具体涉及一种超半球型电光固浸透镜。理论上这种超半球型电光固浸透镜可以使得电光检测系统的空间分辨率提高n2倍，n为电光固浸透镜的折射率。超半球型电光固浸透镜是一个球体沿平行于赤道面方向去除一小部分形成的超半球，超半球底面的中心到球面顶点的距离为(1+1/n)r，其中n为超半球材料的折射率，r为超半球球体的半径；超半球材料为折射率n＞2，电光系数γ＞0.5pm/V，对探测光透明的III-V族电光材料、II-VI族电光材料或铁电体电光材料。超半球型电光固浸透镜与合适的显微物镜搭配使用，应用于外部电光检测系统中，可以获得亚微米的空间分辨率，因而具有重要的实际应用价值。
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