公开(公告)号：CN113707605A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110901625.5

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  沈泽民

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方沉积二维(2D)材料层；形成电连接至半导体结构与二维材料层的源极部件与漏极部件，其中源极部件与漏极部件包括半导体材料；以及在二维材料层上方形成栅极结构，并且栅极结构介于源极部件与漏极部件之间。栅极结构、源极部件、漏极部件、半导体结构和二维材料层配置为形成场效应晶体管。半导体结构和二维材料层分别用作源极部件和漏极部件之间的第一沟道和第二沟道。

公开(公告)号：CN113054027A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110172261.1

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  马哈维 ,  林耕竹 ,  沈泽民

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：沟道构件，包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层；以及栅极结构，在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体，并且第二沟道层包括二维材料。

公开(公告)号：CN103094343A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201210026680.5

申请日：2012-02-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  吴伟豪 ,  余宗兴 ,  刘佳雯 ,  沈泽民 ,  后藤贤一 ,  吴志强

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0653 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/76232 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7833

Abstract: 在浅沟槽隔离(STI)结构之间设置的MOSFET包括在衬底表面上方形成的并在STI结构的向内延伸的突出件上方形成的外延硅层。因此，MOSFET的栅极宽度是外延硅层的宽度并大于STI结构之间的初始衬底表面的宽度。在先前掺杂的沟道上方形成外延硅层，并且该外延硅层在沉积时是未掺杂的。可以采用热活化操作来使掺杂剂杂质进入被外延硅层占据的晶体管沟道区内，但是在外延硅层与栅极电介质相交的沟道位置处掺杂剂浓度是最小的。本发明提供一种具有T形外延硅沟道的MOSFET结构。