公开(公告)号：CN113013087A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011476748.0

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王菘豊 ,  梁顺鑫 ,  彭羽筠 ,  李芳苇 ,  朱家宏 ,  卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  林耕竹

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种形成多层互连结构的方法，包括形成穿过层间介电层、蚀刻终止层以及接触结构的介层孔，通过金属卤化物来预清洁介层孔，在通过金属卤化物对介层孔的预清洁期间在接触结构上原位形成阻障结构，以及在阻障结构的顶部上的介层孔中沉积第二金属。

公开(公告)号：CN113054027B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202110172261.1

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  马哈维 ,  林耕竹 ,  沈泽民

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：沟道构件，包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层；以及栅极结构，在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体，并且第二沟道层包括二维材料。

公开(公告)号：CN113707605A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110901625.5

申请日：2021-08-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 马哈维 ,  卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  沈泽民

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。方法包括提供具有半导体结构的工件；在半导体结构上方沉积二维(2D)材料层；形成电连接至半导体结构与二维材料层的源极部件与漏极部件，其中源极部件与漏极部件包括半导体材料；以及在二维材料层上方形成栅极结构，并且栅极结构介于源极部件与漏极部件之间。栅极结构、源极部件、漏极部件、半导体结构和二维材料层配置为形成场效应晶体管。半导体结构和二维材料层分别用作源极部件和漏极部件之间的第一沟道和第二沟道。

公开(公告)号：CN113054027A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110172261.1

申请日：2021-02-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 卡迪尔巴德·姆鲁尼尔·阿必吉斯 ,  马哈维 ,  林耕竹 ,  沈泽民

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/26 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件及其形成方法。根据本发明的半导体器件包括：沟道构件，包括第一沟道层和第一沟道层上方的第二沟道层；以及栅极结构，在沟道构件上方。该第一沟道层包括硅、锗、III‑V族半导体或II‑VI族半导体，并且第二沟道层包括二维材料。