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公开(公告)号：CN103579005A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201210430036.4
申请日：2012-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/66492 , H01L21/761 , H01L29/1083 , H01L29/66575 , H01L29/7833
Abstract: 采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入区域进行注入。主阱可以包括第一注入区域和第二注入区域，其中第二注入区域的深度小于第一注入区域的深度。可以在第一注入区域和第二注入区域之间的深度处进行反注入。主阱和反注入区域可以包括具有相同导电类型的掺杂物，或都包括p+型掺杂物。可以在漂移漏极的一部分的上方形成栅极。
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公开(公告)号：CN101814524B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200910136498.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明是有关于一种具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件。在本发明的一具体实施例中，此元件包含一基板和一形成于基板上的晶体管。晶体管包含一栅结构、一源区和一漏区。漏区包含一交替掺杂形态区域。交替掺杂形态区域包含高低掺杂浓度的交替区域。在本发明的一实施例中，晶体管为一高电压晶体管。
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公开(公告)号：CN100539001C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
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公开(公告)号：CN100480429C
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200610064861.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23F1/24
CPC classification number: C03C15/00 , B81B2201/042 , B81C1/00476 , H01L21/0206 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。
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公开(公告)号：CN1834292A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610064861.1
申请日：2006-03-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C23F1/24
CPC classification number: C03C15/00 , B81B2201/042 , B81C1/00476 , H01L21/0206 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供一种蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法。本发明的蚀刻含硅材料的物质的方法，包括：对一硅材料提供一含胺蚀刻剂；以及蚀刻该硅材料。本发明的形成微机械结构的方法包括：提供至少一微机械结构层于一基底上方，微机械结构层是被一牺牲硅层所支撑着；利用一含胺蚀刻剂同时地蚀刻牺牲硅层以及前段步骤所造成的聚合物残留物。也就是说，本发明在使用含胺蚀刻剂的后段清洁程序中，一并去除牺牲层以及聚合物残留物，而不需增加额外的蚀刻制程。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103840001B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201310051885.3
申请日：2013-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/417 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66681 , H01L29/0619 , H01L29/41758 , H01L29/7823 , H01L29/7833
Abstract: 一种集成电路包括：具有第一掺杂类型的高压阱，嵌入高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过高压阱中的沟道间隔开；在第一掺杂区和第二掺杂区中形成的源极/漏极区，每个源极/漏极区都具有第二掺杂类型并且比第一掺杂区和第二掺杂区更重度地掺杂；与每个源极/漏极区都间隔开的第一隔离区；和围绕每个源极/漏极区形成环的电阻保护氧化物。本发明公开了具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET。
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公开(公告)号：CN101752365B
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN200910138200.2
申请日：2009-05-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/49 , H01L21/822 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7833 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/4933 , H01L29/665 , H01L29/66621 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 一种集成电路结构，包括：一高压阱区(high-voltage well，HVW)于一半导体基底中；一第一双重扩散(double diffusion，DD)区于该高压阱区中；以及一第二双重扩散区于该高压阱区中。该第一双重扩散区与该第二双重扩散区通过该高压阱区的一中间部分互相分离。一凹口自该半导体基底的顶部表面延伸进入该高压阱区的该中间部分与该第二双重扩散区。一栅极介电层延伸进入该凹口且覆盖该凹口的底部。一栅极于该栅极介电层上。一第一源/漏极区于该第一双重扩散区中。一第二源/漏极区于该第二双重扩散区中。本发明可减少高压金属氧化物半导体元件所占据的芯片面积与减少漏电流；且不需额外的掩模与工艺步骤。
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公开(公告)号：CN101814524A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200910136498.3
申请日：2009-05-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/66659 , H01L29/7835
Abstract: 本发明是有关于一种具有交替掺杂源/漏形态的半导体元件。在本发明的一具体实施例中，此元件包含一基板和一形成于基板上的晶体管。晶体管包含一栅结构、一源区和一漏区。漏区包含一交替掺杂形态区域。交替掺杂形态区域包含高低掺杂浓度的交替区域。在本发明的一实施例中，晶体管为一高电压晶体管。
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公开(公告)号：CN100402414C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成具有I型剖面的镜面结构；形成间隙壁层于具有I型剖面的镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着具有I型剖面的镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一具有I型剖面的镜面结构形成于该基材上；以及沿着该具有I型剖面的镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
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公开(公告)号：CN1817782A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200510127725.8
申请日：2005-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00 , B81B2201/047
Abstract: 本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止在前端制造线时前端机械线因第一材料所造成的污染。本发明所述的微机电透明基底与其制程，可使得不透明层与第二层在前段线处理时保护基底背面，且避免因不透明层的第一材料在制程设备中产生污染，增加在预防性的维护操作间的生产片数，再者，可减少在现有前段线处理中的额外的Ti/OX移除步骤，且可减少因Ti/OX移除对循环时间与生产力所造成的负面影响，从而减少成本。
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