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公开(公告)号：CN1721319A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成I型镜面结构；形成间隙壁层于I型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
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公开(公告)号：CN100420621C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200510093268.5
申请日：2005-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C23F4/00 , B81B2201/04 , G02B26/0833
Abstract: 本发明揭示一种镜面制程，其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接，并改善镜面结构的曲率，其步骤包含：在一基底上的第一牺牲层之上，图形化一镜面结构；毯覆性地沉积一钨保护层，以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面；形成第二牺牲层于上述钨保护层上；以及使用含二氟化氙的一蚀刻剂施以一释出的步骤，以同时移除上述第二牺牲层、上述钨保护层、与上述第一牺牲层。
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公开(公告)号：CN100402414C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成具有I型剖面的镜面结构；形成间隙壁层于具有I型剖面的镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着具有I型剖面的镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一具有I型剖面的镜面结构形成于该基材上；以及沿着该具有I型剖面的镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
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公开(公告)号：CN1740088A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510093268.5
申请日：2005-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C23F4/00 , B81B2201/04 , G02B26/0833
Abstract: 本发明揭示一种镜面制程，其是使用钨保护层来防止因金属突穿造成镜面结构的桥接，并改善镜面结构的曲率，其步骤包含：在一基底上的第一牺牲层之上，图形化一镜面结构；毯覆性地沉积一钨保护层，以覆盖上述镜面结构的侧壁及上表面；形成第二牺牲层于上述钨保护层上；以及使用含二氟化氙的一蚀刻剂施以一释出的步骤，以同时移除上述第二牺牲层、上述钨保护层、与上述第一牺牲层。
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