公开(公告)号：CN103579005A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210430036.4

申请日：2012-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧世匡 ,  朱振樑 ,  陈奕升 ,  陈斐筠 ,  郑光茗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/761 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入区域进行注入。主阱可以包括第一注入区域和第二注入区域，其中第二注入区域的深度小于第一注入区域的深度。可以在第一注入区域和第二注入区域之间的深度处进行反注入。主阱和反注入区域可以包括具有相同导电类型的掺杂物，或都包括p+型掺杂物。可以在漂移漏极的一部分的上方形成栅极。

公开(公告)号：CN103579005B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210430036.4

申请日：2012-10-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萧世匡 ,  朱振樑 ,  陈奕升 ,  陈斐筠 ,  郑光茗

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/66492 ,  H01L21/761 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/7833

Abstract: 采用高电压反注入的功率晶体管。本文提出场效应晶体管器件(可选的是横向功率晶体管)及其形成方法，所述方法包括：提供衬底；形成掺杂的隐埋层；在位于隐埋层上的衬底中形成主阱。可以在主阱中形成漂移漏极，在主阱中以及在漂移漏极和隐埋层之间对反注入区域进行注入。主阱可以包括第一注入区域和第二注入区域，其中第二注入区域的深度小于第一注入区域的深度。可以在第一注入区域和第二注入区域之间的深度处进行反注入。主阱和反注入区域可以包括具有相同导电类型的掺杂物，或都包括p+型掺杂物。可以在漂移漏极的一部分的上方形成栅极。

公开(公告)号：CN102956706A

公开(公告)日：2013-03-06

申请号：CN201210251909.5

申请日：2012-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱振梁 ,  陈斐筠 ,  陈奕升 ,  萧世匡 ,  蔡俊琳 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/41775 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，具有沟道区域和至少一个翼区域，该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。

公开(公告)号：CN103840001B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310051885.3

申请日：2013-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  朱振樑 ,  萧世匡 ,  陈斐筠 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种集成电路包括：具有第一掺杂类型的高压阱，嵌入高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过高压阱中的沟道间隔开；在第一掺杂区和第二掺杂区中形成的源极/漏极区，每个源极/漏极区都具有第二掺杂类型并且比第一掺杂区和第二掺杂区更重度地掺杂；与每个源极/漏极区都间隔开的第一隔离区；和围绕每个源极/漏极区形成环的电阻保护氧化物。本发明公开了具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET。

公开(公告)号：CN102956706B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210251909.5

申请日：2012-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱振梁 ,  陈斐筠 ,  陈奕升 ,  萧世匡 ,  蔡俊琳 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/41775 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种半导体器件包括：有源区域，具有沟道区域和至少一个翼区域，该至少一个翼区域与位于栅极介电层下方的沟道区域相邻。至少一个翼区域可以为在沟道区域两侧的两个对称翼区域。

公开(公告)号：CN103840001A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310051885.3

申请日：2013-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈奕升 ,  朱振樑 ,  萧世匡 ,  陈斐筠 ,  郑光茗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66681 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7823 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/6659

Abstract: 一种集成电路包括：具有第一掺杂类型的高压阱，嵌入高压阱中的第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有第二掺杂类型并且通过高压阱中的沟道间隔开；在第一掺杂区和第二掺杂区中形成的源极/漏极区，每个源极/漏极区都具有第二掺杂类型并且比第一掺杂区和第二掺杂区更重度地掺杂；与每个源极/漏极区都间隔开的第一隔离区；和围绕每个源极/漏极区形成环的电阻保护氧化物。本发明公开了具有额外漏极OD增加的高压漏极延伸MOSFET。