-
公开(公告)号：CN114334804A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202110656489.8
申请日：2021-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 一种形成半导体器件的方法，包括：在第一电介质层中形成第一导电特征，第一电介质层设置在衬底之上；在第一电介质层之上形成第二电介质层；使用经图案化的掩模层来蚀刻第二电介质层，以在第二电介质层中形成开口，其中，该开口使第一导电特征暴露；在蚀刻后，执行灰化工艺以去除经图案化的掩模层；在灰化工艺之后对开口进行湿法清洁，其中，该湿法清洁使开口的底部部分扩大；以及用第一导电材料来填充开口。
-
公开(公告)号：CN101414058A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810173239.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
-
公开(公告)号：CN111128732B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910523563.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构；在第一虚设栅极结构周围和第二虚设栅极结构周围形成第一电介质层；移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在第一电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第一凹槽和第二凹槽中的栅极电介质层上方形成第一功函数层；从第一凹槽中移除第一功函数层；将第二凹槽中的第一功函数层的表面层转换为氧化物；以及在第一凹槽中在栅极电介质层上方并且第二凹槽中在氧化物上方形成第二功函数层。
-
公开(公告)号：CN1721319A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成I型镜面结构；形成间隙壁层于I型镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着I型镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一I型镜面结构形成于该基材上；以及沿着该I型镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013197B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200710007514.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上对准标记形成方法，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
-
公开(公告)号：CN101013197A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710007514.X
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
-
公开(公告)号：CN111128732A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201910523563.1
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及鳍式场效应晶体管器件和方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在鳍上方形成第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构；在第一虚设栅极结构周围和第二虚设栅极结构周围形成第一电介质层；移除第一虚设栅极结构和第二虚设栅极结构以在第一电介质层中分别形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽和第二凹槽中形成栅极电介质层；在第一凹槽和第二凹槽中的栅极电介质层上方形成第一功函数层；从第一凹槽中移除第一功函数层；将第二凹槽中的第一功函数层的表面层转换为氧化物；以及在第一凹槽中在栅极电介质层上方并且第二凹槽中在氧化物上方形成第二功函数层。
-
公开(公告)号：CN101414058B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200810173239.3
申请日：2007-01-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0841
Abstract: 本发明揭示一种透明基底上的装置与微机电系统装置，特别涉及一种在透明基底上形成对准标记的方法及系统。在一晶圆的光学透明基底上沉积一光反射层。在光学透明基底上定义围绕一对准标记的一区域。去除透明基底上该区域以外绝大部分的光反射层。另外，本发明所揭示的微机电系统装置，包括一光学透明基底、位于光学透明基底上至少一部分光学透明对准标记以及多个反射元件或影像像素贴附于光学透明基底上。本发明所提供的透明基底上的装置及对准标记形成方法与微机电系统装置，可提供更准确的晶圆对准，在光学透明基底的对准结合时提供更坚固的反射元件，且使镜面投影器具有平稳的对比率及灰阶。
-
公开(公告)号：CN100402414C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200510077540.0
申请日：2005-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G02B26/0833
Abstract: 本发明是有关于一种制造反射式隐藏镜面及其它微机电元件的间隙壁的方法。一种用于制造微机电系统，例如反射式隐藏镜面的制造方法，包括下列步骤：形成具有I型剖面的镜面结构；形成间隙壁层于具有I型剖面的镜面结构上；以及图案化间隙壁层，以沿着具有I型剖面的镜面结构的一侧形成至少一间隙壁。一微机电系统，至少包含：一基材；一具有I型剖面的镜面结构形成于该基材上；以及沿着该具有I型剖面的镜面结构的一侧设有至少一间隙壁。本发明提供了一种用于制造反射式隐藏镜面及其它微机电系统元件的坚固耐用的间隙壁制程，并且避免了镜桥的产生。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.025 seconds)
