公开(公告)号：CN104022179B

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201310217778.3

申请日：2013-06-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L31/1828 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02485 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02614 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明公开了形成太阳能电池的缓冲层的方法和由此形成的太阳能电池，其中一种制造光伏器件的缓冲层的方法包括：提供衬底，该衬底具有设置在衬底上方的背接触层和设置在背接触层上方的吸收层；在吸收层上沉积金属层；以及在包括硫、硒或氧的环境中对沉积的金属层实施热处理以形成缓冲层。

公开(公告)号：CN104916735B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410222441.6

申请日：2014-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  B08B3/02

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/67253

Abstract: 一种用于监控制造太阳能电池的工艺的清洗组件和方法，其中该方法包括：将至少一个太阳能电池子结构传递至其中具有清洗液的清洗室，使得太阳能电池子结构至少部分地浸入清洗液。使用清洗液从太阳能电池子结构去除残留材料。在太阳能电池子结构被至少部分地浸入清洗液的同时，经由控制装置自动地检测清洗液的pH值。该方法还包括：经由控制装置，确定所检测的pH值是否处于清洗液的预定阈值pH值水平或者在预定pH值范围内。如果所检测的pH值不同于预定阈值pH值水平或不同于预定pH值范围，则自动地修改清洗液的pH值。

公开(公告)号：CN103811563B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201310150954.6

申请日：2013-04-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  李文钦 ,  严文材 ,  吴忠宪 ,  陈冠竹

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0322 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/03923 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池，其具有钼背电极层和位于钼背电极上方的硒化钼欧姆接触层。硒化钼层包括精确控制的厚度。在钼背电极层和硒化钼之间存在明显的界面。通过在最初形成的钼层上方形成钼层或氮化钼层或钼氧化层来产生硒化钼层从而使得这两层之间存在界面。实施硒化和硫化工艺以选择性地将含钼层转换为硒化钼但并不将保持为钼层的最初的钼背电极转换。本发明还提供了太阳能电池中的具有可控厚度的硒化钼子层及其形成方法。

公开(公告)号：CN103849841B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310052015.8

申请日：2013-02-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 严文材 ,  吴忠宪 ,  陈世伟 ,  吴英信 ,  薛瑞福 ,  陈冠竹

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32651

Abstract: 本发明公开的一种溅射装置包括：腔室，其被配置成包含至少一个溅射靶和至少一个将被涂覆的衬底。该腔室具有限定可调孔的至少一个可调屏蔽元件。该元件设置在至少一个溅射靶和至少一个衬底之间。在面积和形状构成的组的至少一方面来调整孔。本发明还公开了一种溅射方法。

公开(公告)号：CN104253177B

公开(公告)日：2017-01-11

申请号：CN201310398155.0

申请日：2013-09-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/0463 ,  H01L21/6715 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明提供了一种喷嘴组件和制造太阳能电池的方法，该喷嘴组件包括基部、连接至基部的划片器，以及与基部相连接从而被设置成与划片器的尖端相隔预先确定的距离的喷嘴。该方法总体上包括：设置子结构，该子结构包括接近基部的缓冲层和吸收层。使用划片器尖端穿过缓冲层和吸收层划出P2线。当穿过缓冲层和吸收层划出P2线时，使用喷嘴在预定压力下将纳米颗粒溶液喷洒在缓冲层的至少一部分上，从而防止透明导电氧化物（TCO）层在缓冲层的喷洒有纳米颗粒溶液的部分上方形成。

公开(公告)号：CN104051549B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201310236722.2

申请日：2013-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022466 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/1828 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明提供了一种光伏器件，包括：衬底、设置在衬底上方的背接触层、设置在背接触层上方的用于光子吸收的吸收层、设置在吸收层上方的缓冲层、设置在缓冲层上方的导电涂层以及设置在导电涂层上方的透明导电层。导电涂层包括至少一个尺寸在0.5nm至1000nm的范围内的至少一种纳米材料。本发明还提供了具有局部电场分布的透明导电氧化物层及其光伏器件。

公开(公告)号：CN111192858B

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN201910232291.X

申请日：2019-03-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟 ,  陈志华 ,  潘信瑜 ,  蔡豪益 ,  庄立朴 ,  郭庭豪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体封装件包括重布线结构、至少一个半导体装置、散热组件及包封材料。所述至少一个半导体装置设置在所述重布线结构上且电连接到所述重布线结构。所述散热组件设置在所述重布线结构上且包括凹陷部分及延伸部分，所述凹陷部分接纳所述至少一个半导体装置，所述延伸部分连接到所述凹陷部分且接触所述重布线结构，其中所述凹陷部分接触所述至少一个半导体装置。所述包封材料设置在所述重布线结构之上，其中所述包封材料填充所述凹陷部分且包封所述至少一个半导体装置。

公开(公告)号：CN114664669A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210202285.1

申请日：2022-03-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢潍冈 ,  蔡豪益 ,  郭庭豪 ,  陈世伟

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装具有中心区及环绕所述中心区的外围区。所述半导体封装包括多个管芯、包封体及重布线结构。所述多个管芯包括功能性管芯及多个第一虚设管芯。功能性管芯设置在中心区中。多个第一虚设管芯设置在外围区中。重布线结构在所述多个管芯之上设置在包封体上且电连接到功能性管芯。中心区的空位比率介于1.01到3.00的范围内。所述外围区的空位比率介于1.01到3.00的范围内。中心区的空位比率是中心区的总面积对由设置在中心区中的管芯占据的总面积的比率。外围区的空位比率是外围区的总面积对由设置在外围区中的多个第一虚设管芯占据的总面积的比率。

公开(公告)号：CN104851934B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410168649.4

申请日：2014-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/052 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/052 ,  H01L31/0463 ,  H01L31/0465 ,  H01L31/073 ,  H01L31/0749 ,  Y02E10/541 ,  Y02E10/543

Abstract: 本发明描述了太阳能电池器件和制造该器件的方法。制造太阳能电池包括：提供衬底；在衬底上方沉积背面接触件；在背面接触件上方沉积吸收件；在吸收件上方沉积正面接触件；以及将高导热材料嵌入太阳能电池内。高导热材料可以嵌入衬底与背面接触件之间作为高导热层和/或嵌入P3划线内作为高导热填料。

公开(公告)号：CN104916736B

公开(公告)日：2017-09-29

申请号：CN201410392167.7

申请日：2014-08-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世伟

IPC: H01L31/18

CPC classification number: B08B3/044 ,  B08B3/10 ,  H01L31/0322 ,  H01L31/0749 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种用于在清洁工艺期间从多个吸收衬底的吸收层去除非键合化合物的方法包括：设定用于从吸收衬底的吸收层清洁非键合化合物的溶剂槽中的溶液的一个或多个条件。该方法还包括基于清洁工艺期间的溶剂槽中的溶液的水动力学，计算在吸收层上形成的边界层的厚度，以及设定清洁工艺期间吸收衬底之间的一个或多个间隔和溶剂槽中的溶液的循环速度。该方法还包括根据设定条件、间隔和溶液的循环速度，将吸收衬底浸入溶剂槽中并且在溶剂槽中清洁吸收衬底。本发明涉及用于从太阳能电池板上的多晶材料去除非键合化合物的方法。