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公开(公告)号：CN108695267A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201711288268.X
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522
Abstract: 封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。
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公开(公告)号：CN110875206B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201910782807.8
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 本公开涉及封装结构形成方法。一种封装结构包括形成在基板上的第一再分布结构，并且第一再分布结构包括第一导电线、第二导电线以及在第一导电线与第二导电线之间的第一重叠导电线。第一导电线具有第一宽度，与第一导电线平行的第二导电线具有第二宽度，并且第一重叠导电线具有大于第一宽度和第二宽度的第三宽度。封装结构包括形成在第一再分布结构上方的第一封装单元，第一封装单元包括第一半导体裸片和第一裸片堆叠，并且第一半导体裸片具有与第一裸片堆叠不同的功能。
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公开(公告)号：CN109216289B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN201810344148.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
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公开(公告)号：CN109216219B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN201810455793.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。
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公开(公告)号：CN109216289A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810344148.5
申请日：2018-04-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种半导体装置封装包括重布线结构、第一半导体装置、多个第二半导体装置、至少一个翘曲调整组件及包封材料。所述第一半导体装置设置在重布线结构上。所述第二半导体装置设置在重布线结构上且环绕第一半导体装置。所述至少一个翘曲调整组件设置在所述多个第二半导体装置中的至少一者上。所述包封材料包封第一半导体装置、第二半导体装置及翘曲调整组件，其中所述翘曲调整组件的杨氏模量大于或等于所述包封材料的杨氏模量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109216219A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810455793.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 方法包括在载体上方形成再分布结构，再分布结构具有位于再分布结构的远离载体的表面上的导电部件；在再分布结构的表面上方形成导电柱；将管芯附接至再分布结构的邻近导电柱的表面，其中，管芯的管芯连接件电连接至再分布结构的导电部件；以及通过导电接头将预制衬底附接至导电柱，其中，导电接头位于导电柱上并且包括与导电柱不同的材料，其中，导电接头和导电柱将再分布结构电连接至预制衬底。本发明的实施例还涉及具有双侧金属布线的半导体封装件。
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公开(公告)号：CN112466861B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202010935246.3
申请日：2020-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开一些实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括封装基板、位于封装基板上方的中介层基板以及位于中介层基板上方的多个半导体装置。中介层基板还具有一或多个凹槽，以收容或容纳不被允许安装在中介层基板表面上的附加的半导体装置。凹槽使得整体封装结构更薄。一些收容在中介层基板的凹槽中的半导体装置也可以电连接到中介层基板及/或中介层基板上方的半导体装置，以改善整体封装结构的电性能。
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公开(公告)号：CN112466862B
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202010939696.X
申请日：2020-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10D80/30 , H01L23/367 , H01L23/488 , H01L21/98 , H01L21/50 , H01L21/60
Abstract: 本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法。封装结构包括封装基板及在封装基板上方的中介层基板。中介层基板具有面向封装基板的第一表面及与第一表面相对的第二表面。封装结构还包括设置在第一表面上的第一半导体装置及设置在第二表面上的第二半导体装置。导电结构设置在中介层基板与封装基板之间。第一半导体装置位于导电结构之间。第一半导体装置的第一侧与最相邻的导电结构相距一第一距离，以及第一半导体装置的第二侧与最相邻的导电结构相距一第二距离，第一侧相对于第二侧，并且第一距离大于第二距离。
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公开(公告)号：CN109216304B
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN201810373380.1
申请日：2018-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体封装及其制造方法。本发明实施例提供一种半导体封装包括至少一个集成电路组件、粘胶材料、绝缘包封体、及重布线路结构。所述粘胶材料包封所述至少一个集成电路组件且具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述至少一个集成电路组件被所述粘胶材料的所述第一表面暴露出，且所述第一表面的面积小于所述第二表面的面积。所述绝缘包封体包封所述粘胶材料，其中在所述粘胶材料与所述绝缘包封体之间具有界面。所述重布线路结构设置在所述至少一个集成电路组件、所述粘胶材料、及所述绝缘包封体上，其中所述重布线路结构电连接到所述至少一个集成电路组件。
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公开(公告)号：CN109216315B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201810360926.X
申请日：2018-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例是有关于一种半导体封装及其制造方法。本发明实施例提供一种半导体封装，所述半导体封装包括绝缘包封体、集成电路组件、及多个导电元件。所述集成电路组件包封在所述绝缘包封体中，其中所述集成电路组件具有从所述集成电路组件突出的至少一个硅穿孔。所述多个导电元件位于所述绝缘包封体上，其中所述多个导电元件中的一者连接到所述至少一个硅穿孔，且所述集成电路组件经由所述至少一个硅穿孔电连接到所述多个导电元件中的所述一者。
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