公开(公告)号：CN116895697A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310744230.8

申请日：2023-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 庄宗翰 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄凯麟 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08

Abstract: 在实施例中，半导体器件包括：第一纳米结构；接触第一纳米结构的第一伪区域的第一未掺杂的半导体层；位于第一未掺杂的半导体层上的第一间隔件；位于第一间隔件上的第一源极/漏极区域，第一源极/漏极区域接触第一纳米结构的第一沟道区域；以及环绕第一纳米结构的第一沟道区域和第一伪区域的第一栅极结构。本发明的实施例还提供了形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN115881767A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202210714199.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括在垂直方向上堆叠在衬底上方的多个第一纳米结构。半导体器件结构还包括相邻于第一纳米结构形成的第一底部层，以及在第一底部层上方形成的第一介电层。半导体器件结构还包括形成在第一介电层上方的第一源极/漏极(S/D)结构，并且第一S/D结构通过第一介电层与第一底部层隔离。

公开(公告)号：CN115763519A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202210657449.X

申请日：2022-06-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈仕承 ,  林志昌 ,  张荣宏 ,  姚茜甯 ,  庄宗翰 ,  江国诚

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了半导体结构及其制造方法。半导体结构包括衬底和形成在衬底上方的底部隔离部件。半导体结构还包括形成在底部隔离部件上方的底部半导体层和形成在底部半导体层上方的纳米结构。半导体结构还包括连接到纳米结构并且覆盖底部隔离部件的部分的源极/漏极结构。

公开(公告)号：CN220510037U

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN202321580003.8

申请日：2023-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张荣宏 ,  林志昌 ,  陈仕承 ,  庄宗翰 ,  江国诚 ,  王志豪

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 提供一种集成电路，其包括纳米结构晶体管，纳米结构晶体管包括基底上方的多个第一半导体纳米结构及与每个第一半导体纳米结构接触的源极/漏极区。集成电路包括对源极/漏极区的下部横向连接的鳍状物侧壁间隔物。集成电路亦包括底部隔离结构而将源极/漏极区与半导体基底电性隔离。