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公开(公告)号：CN110838446A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910189397.6
申请日：2019-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336
Abstract: 一种半导体装置的制造方法。在半导体装置的制造方法中，第一隔离绝缘层是形成在鳍片之间。虚设氧化层是形成在鳍片及第一隔离绝缘层上。多晶硅层是形成在鳍片上及在鳍片的边缘区域上，其中鳍片的边缘区域是在鳍片的纵向方向的一端上。侧壁间隙壁层是形成在多晶硅层上。鳍片的源极/漏极区域是被蚀刻。源极/漏极区域是未被侧壁间隙壁层所覆盖，借以形成源极/漏极空间。源极/漏极磊晶层是形成在源极/漏极空间内。层间介电层是形成在源极/漏极磊晶层上。多晶硅层是被蚀刻。间隙壁虚设栅极层是形成在多晶硅层上。
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公开(公告)号：CN106158662B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201510766042.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。
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公开(公告)号：CN109427747A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711293943.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
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公开(公告)号：CN106158856A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510187697.2
申请日：2015-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/823814 , H01L21/30604 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/092 , H01L27/0922 , H01L27/0924 , H01L27/0928 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/20 , H01L29/7848
Abstract: 一种半导体器件，包括：具有第一区和第二区的衬底；位于第一区中的n型晶体管，n型晶体管包括第一组源极/漏极部件；以及位于第二区中的p型晶体管，p型晶体管包括第二组源极/漏极部件。第二组源极/漏极部件比第一组源极/漏极部件延伸得更深。本发明涉及非对称源极/漏极深度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106158662A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510766042.0
申请日：2015-11-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：在衬底上方形成鳍结构和在鳍结构的第一部分上方形成第一栅极结构。在鳍结构的第二部分上方形成第一氮化物层。将第一氮化物层曝光于紫外辐射。在鳍结构的第二部分处形成源极/漏极区。本发明实施例涉及用于半导体器件的双氮化物应力源和制造方法。
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公开(公告)号：CN103187261B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210107449.9
申请日：2012-04-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823431 , G03F1/38 , G03F1/70 , G03F7/70425 , G03F7/70466 , H01L21/845
Abstract: 本发明公开了形成单鳍鳍式场效晶体管FinFET的方法。一种示范性的方法包括提供主掩模布局和齐整掩模布局以形成FinFET器件的鳍状件，其中所述主掩模布局包括第一掩蔽部件以及所述齐整掩模布局包括限定至少二个鳍状件的第二掩蔽部件，所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件具有空间关系；基于所述第一掩蔽部件和所述第二掩蔽部件的空间关系更改所述主掩模布局，其中更改所述主掩模布局包括更改第一掩蔽部件使得用所更改的主掩模布局和所述齐整掩模布局形成单鳍FinFET器件。本发明还公开了一种实现单鳍鳍式场效应晶体管器件的芯更改。
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公开(公告)号：CN111081767B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN201910851852.4
申请日：2019-09-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 多个所述的实施例提供具有负电容的晶体管、及其制造方法。晶体管包含具有铁电层的栅极结构。铁电层是通过形成厚铁电膜、退火铁电膜以具有所需相态、以及薄化铁电膜至铁电层的所需厚度而形成。此制程确保在不管铁电层厚度的情况下，铁电层将具有铁电性质。
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公开(公告)号：CN112687545A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010359040.0
申请日：2020-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/51 , H01L29/78
Abstract: 本文描述一种形成铁电半导体元件的方法。该方法包括执行一扩散退火制程以驱动一掺杂剂的元素穿过一非晶硅层且驱动至一鳍片上的一栅极介电层中，以形成具有一掺杂剂浓度的梯度深度分布的一掺杂栅极介电层。该掺杂栅极介电层在封盖后退火制程期间结晶，以在该结晶栅极介电层内形成一铁电性质的梯度深度分布。一金属栅极电极经形成于该结晶栅极介电层上以获得该栅极电极与该通道之间的具有多铁电性质的一铁电晶体管。该铁电晶体管可使用在深度类神经网络(deep neural network；DNN)应用中。
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公开(公告)号：CN109427747B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201711293943.8
申请日：2017-12-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种用于测量接触电阻的半导体测试装置包括：第一鳍结构，第一鳍结构的上部从隔离绝缘层凸出；外延层，分别形成在第一鳍结构的上部上；第一导电层，分别形成在外延层上；第一接触层，在第一点处设置在第一导电层上；第二接触层，在与第一点分开的第二点处设置在第一导电层上；第一焊盘，经由第一布线耦合到第一接触层；以及第二焊盘，经由第二布线耦合到第二接触层。半导体测试装置配置为通过在第一焊盘与第二焊盘之间施加电流来测量第一接触层与第一鳍结构之间的接触电阻。本发明还提供了半导体测试装置制造及使用半导体测试装置测量接触电阻的方法。
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