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公开(公告)号：CN101870472B
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010109835.2
申请日：2010-02-09
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚；抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化；待石墨坩埚内物料全部熔化后，将坩埚上方的石墨通气棒预热；向体系中开始通入惰性气体，待预热充分后将通气棒开始通气搅拌；渣过程中，通过调整中频功率，使反应温度为1550～1850℃；待造渣充分后将通气棒升离坩埚，然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中，静置，冷却后取出硅锭，去除头尾杂质富集部分，得到提纯后的多晶硅锭，测量熔炼后的硼、磷杂质含量。
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公开(公告)号：CN102275932A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110202745.2
申请日：2011-07-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种用激光提纯多晶硅片的方法，涉及多晶硅片。提供一种效率较高、工艺简单、污染较小的用激光提纯多晶硅片的方法。将多晶硅片清洗、烘干后，放置加热平台上进行预热；用激光对预热后的多晶硅片进行辐照；使激光对多晶硅片进行辐照扫描处理；对多晶硅片进行退火处理；刻蚀多晶硅片表层部分，得到目标产品。质谱分析表明，可一次将多晶硅片中部分区域的铁含量降低2～3个数量级；提纯后可直接应用于太阳电池等应用。直接加工低纯度的多晶硅片，减少硅产业中低纯度硅的重新回收加工。可大批量连续生产。通过激光熔化硅片再凝固也可以降低多晶硅片中磷的含量。
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公开(公告)号：CN101671023B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200910112546.5
申请日：2009-09-15
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种多晶硅除硼提纯方法，涉及一种多晶硅的除硼提纯工艺。提供一种高效，低成本，操作简单，适合大规模工业化生产的多晶硅除硼提纯方法。选用金属硅为原料；将原料金属硅放入石墨坩埚中，抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的金属硅熔化；当硅全部熔化后，向体系中通入惰性气体，提高电源功率，使硅液温度保持在1500～1600℃，加入预熔过的第一种助渣剂反应，进一步提高电源功率，使硅液温度保持在1600～1700℃，再加入预熔后的第二种助渣剂；待造渣完成后，将硅液倒入浇注用坩埚中，静置，冷却后取出硅锭，得到提纯后的多晶硅锭。
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公开(公告)号：CN102153090A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110134292.4
申请日：2011-05-19
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 一种冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法，涉及一种多晶硅。提供一种吸杂效果较好、成本较低、操作简单，适合工业化生产的冶金法N型多晶硅片硼吸杂方法。将冶金法N型多晶硅片清洗，烘干；将得到的硅片在700～1200℃的温度下通入气体进行硼扩散吸杂热处理，然后冷却硅片；将得到的硅片浸泡在HF溶液中；将得到的硅片用酸腐蚀液腐蚀吸杂层，清洗后吹干，烘烤，得硼吸杂后的多晶硅片。
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公开(公告)号：CN101698481B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200910112690.9
申请日：2009-10-22
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037 , C30B29/06
Abstract: 太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法，涉及一种多晶硅的提纯方法。提供一种太阳能级多晶硅提纯装置与提纯方法。提纯装置设有主体保温层、感应加热线圈、石墨加热套筒、石墨固定盘、下层保温层、定向升降装置、循环水进出水口、石墨底盘、坩埚、SiN涂层和热电偶测温装置。将多晶硅和铜料放入坩埚中，接通电源使铜和多晶硅融化形成硅铜合金熔体，测定坩埚内竖直方向上各点温度，调节感应加热功率控制器，使坩埚内的合金熔体保持一个温度梯度，从坩埚中部到底部，温度从高到低；启动定向升降装置，带动坩埚连同石墨底盘下拉产生定向凝固；合金熔体凝固后切断电源，冷却后取出合金硅锭，切除上部，剩余部分即为太阳能级多晶硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101858870A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010177770.5
申请日：2010-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪，涉及一种太阳能电池检测仪。提供一种快速有效的太阳能电池电致发光成像缺陷检测仪。设有太阳能电池板、导热平台、稳压电源、控温加热器、滤波片、相机、调节支架、图像采集卡、电脑和底座，太阳能电池板设在导热平台上，导热平台和调节支架安装在底座上，控温加热器设于导热平台下，控温加热器与太阳能电池板连接，控温加热器对设在导热平台上的太阳能电池板进行温度控制，滤波片安装在相机的镜头前，相机设在调节支架上，相机处在太阳能电池板上方，相机经图像采集卡与电脑连接。
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公开(公告)号：CN100471793C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200710105965.7
申请日：2007-06-04
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
Abstract: 多晶硅的除硼方法，涉及一种多晶硅，尤其是涉及一种方法简易、成本低、污染少的去除多晶硅中的硼杂质的方法。提供一种方法简易、成本低、工艺安全和较少污染的多晶硅的除硼方法。步骤为：将多晶硅块粉碎，球磨，筛选得硅粉；将硅粉用有机溶剂去油处理，并去除硅粉中的铁粉；将去油除铁的硅粉放到容器内，再将容器放到高温炉内，进行湿氧氧化，再冷却；将冷却后取出的硅粉放入氢氟酸溶液中腐蚀，去除样品表面的氧化层；用水反复清洗硅粉至流出的水显中性为止，将硅粉去水干燥，得目标产品。经过对硅粉样品的光谱分析表明，可一次将硅粉原料中的硼含量降低1～3倍，与酸洗提纯工艺完全兼容，也可有效地除铝。
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公开(公告)号：CN104993035B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510458720.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种暖白光LED发光装置，包括带有电极和热沉的基座，以及被所述基座包围在内并焊接于所述热沉顶面的LED芯片，所述LED芯片通过金线与所述电极电连接，还包括荧光转换罩，所述荧光转换罩设置在所述基座的上方并罩设住所述LED芯片，所述荧光转换罩由蓝绿红三基色荧光粉和树脂胶体混合固化而成；所述蓝绿红三基色荧光粉的组成成分为：蓝色荧光粉：Sr5(PO4)3Cl:Eu2+；绿色荧光粉：(Ca,Sr)2SiO4:Eu2+；红色荧光粉：CaAlSiN3:Eu2+；所述LED芯片激发波长为220nm～420nm。该暖白光LED发光装置具有色温可调(2500～6000K)、高显色指数(Ra＝80～96)且工艺简单、出光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN106549080A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201710060994.X
申请日：2017-01-25
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0216
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L31/02161
Abstract: 标准硅工艺下的高响应度光电三极管，涉及光电三极管。自下而上设有七层，第一层为轻掺杂的P衬底，第二层为P阱和N阱，第三层为金属Al、N+、P+层，第四层为二氧化硅绝缘介质层、第五层为二氧化硅绝缘介质层、第六层为二氧化硅绝缘介质层，第七层为Si3N4表面钝化层。从低成本角度出发，采用0.25μm Si标准工艺。建立在纵向PNP型三极管基础之上，与商业的Si标准工艺完全兼容的用于光电集成的高响应度光电三极管及其制备方法。设计光电三极管的思路则是建立在纵向PNP型三极管基础之上，基于0.25μmSi标准工艺进行了结构建模和特性仿真，根据仿真结果进行优化设计最终确定流片的光电三极管结构。
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公开(公告)号：CN106185948A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610541809.4
申请日：2016-07-11
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B33/037
CPC classification number: C01B33/037 , C01P2006/80
Abstract: 本发明公开了一种大气中开放式的工业硅造渣除磷工艺，包括钙系造渣处理和造渣后硅的酸洗处理，是将块状硅料装入中频感应熔炼炉中，高温下硅熔化后加入造渣剂熔炼，然后进行硅渣分离先初步去除部分P，再将造渣之后的硅块通过稀王水浸泡形成粉末，然后于氢氟酸中浸泡搅拌去除其余大部分的P，经过这两个步骤处理的硅，杂质P去除95％以上，且工艺简单温和。
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