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公开(公告)号：CN118473525A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410600856.6
申请日：2024-05-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H04B10/116
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信系统，包括：发射端，用于发射光信号；发射端电源，用于向发射端提供脉冲信号；接收端，用于接收发射端发射的光信号；接收端电源，用于向接收端提供正向电流；电压表，用于测量接收端的电压响应值；所述发射端和接收端为LED，所述发射端的LED主波长小于所述接收端的LED主波长。本发明的可见光通信系统支持信号接收端正常的照明显示功能，不需要专门的探测器，使用LED即可实现对光信号的探测，节约成本；对于双向可见光通信而言，不需要单刀双掷开关或额外的一套发射器和探测器，增大了通信速率和降低了系统成本。
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公开(公告)号：CN116607210A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310369558.6
申请日：2023-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
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公开(公告)号：CN114530535A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210047002.0
申请日：2022-01-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基垂直结构发光二极管及其制造方法，从下至上依次包括：支撑基板、键合金属层、P型电极、P型半导体层、量子阱发光层、N型半导体层、缓冲层及N型电极，其中，缓冲层具有贯穿的V型孔洞结构；N型半导体完全填充缓冲层的V型孔洞；N型电极与V型孔洞内的N型半导体接触，形成欧姆接触。在Si衬底上生长具有V型孔洞贯穿的缓冲层，然后生长高掺杂的N型半导体层，并且缓冲层的V型孔洞被N型半导体完全填充，该结构的组合保证了器件良好的N型欧姆接触特性的同时，保留了高强度的缓冲层，可实现具有超薄外延层的氮化镓基垂直结构发光二极管的制造。
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公开(公告)号：CN113471060A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN120059292A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510456761.6
申请日：2025-04-12
Applicant: 湖南聚味堂食品有限公司 , 南昌大学
Abstract: 本申请公开了一种气凝胶保鲜垫及其制备方法和在新鲜黄贡椒保鲜上的应用，属于食品技术领域，其中，气凝胶保鲜垫的制备方法包括以下步骤：将海藻酸钠溶液与乙酸进行混合得到混合溶液；根据单向冷冻预冻参数和干燥参数对混合溶液依次进行单向冷冻预冻处理、干燥处理，得到具有各向异性的气凝胶；利用原位生长法在气凝胶表面制得金属有机框架，之后经精油浸泡处理后得到具有各向异性的气凝胶保鲜垫，该方法制备的气凝胶保鲜垫应用于新鲜黄贡椒保鲜能够解决现有保藏技术中存在的保鲜效果不佳、不适用于大批量黄贡椒保鲜等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113109415B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202110323804.5
申请日：2021-03-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种适用于二次离子质谱分析的多层膜界面位置表征方法，该表征方法是通过二次离子质谱仪探测器收集包含了界面两侧薄膜中特征元素组成的原子团簇型离子，分析该原子团簇型离子的信号，利用其峰值位置确定样品界面位置。所述原子团簇型离子能与待测的元素离子或待测的原子团簇型离子一起测试或分别测试，通过数据处理比对后实现对该信号的界面定位。本发明在利用二次离子质谱表征薄膜材料时，在不增加测试原材料损耗与仪器运行成本的条件下，无需数据拟合，仅使用实验数据即可直接标定待测样品中多层膜的界面位置，提高表征精度，提高测试效率。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN117986406A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410074406.8
申请日：2024-01-18
Applicant: 南昌大学
IPC: C08B37/16
Abstract: 本发明公开了一种单2‑O‑对甲苯磺酰‑β‑环糊精酯的制备方法及用途，该方法通过以β‑环糊精和对甲苯磺酰氯为原料，硼砂营造碱性环境，1,4‑二氧六环‑水溶液（1:1，v:v）形成均相体系，50℃下区域选择性制备单2‑O‑对甲苯磺酰‑β‑环糊精酯，产率提高至55.95%。本发明所涉及的方法具有简便、条件温和、产率高等特点。本发明还提供以单2‑O‑对甲苯磺酰‑β‑环糊精酯为中间体，与其他试剂反应，区域选择性合成其他具有应用价值的环糊精单衍生物，大口端区域衍生化拓宽了β‑环糊精单衍生化产物的应用范围，为今后开发环糊精产业链奠定基础。
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公开(公告)号：CN116779734A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202211322107.9
申请日：2022-10-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种提高发光效率的GaN基长波长LED器件结构及其生长方法，该GaN基长波长LED器件结构包括有源层结构，其中，所述有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱和InGaN/AlGaN/GaN多量子阱。生长InGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于GaN垒层；生长InGaN/AlGaN/GaN多量子阱时，InGaN阱层生长温度低于AlGaN层和GaN垒层，AlGaN层与GaN垒层保持一致。一种有源层结构从下到上包括InGaN/GaN多量子阱结构以及InGaN/AlGaN/GaN多量子阱结构，可减少电子空穴泄露，改善量子阱质量，提高载流子在有源区的辐射复合速率，进而达到实现去除传统P‑AlGaN电子阻挡层以及提高GaN基长波长LED器件发光效率的目的。
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公开(公告)号：CN114744088A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210236915.7
申请日：2022-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种图形化偏角硅衬底及其制备方法，本发明的制备方法是在偏角硅衬底的表面设有横向隔离带和纵向隔离带，这些相互平行或相互垂直的隔离带把偏角硅衬底分割成多个方块作为生长平台，隔离带的成分为SiO2或SiN，而且隔离带上不易生长GaN层，隔离带的方向与偏角硅衬底的参考边晶向形成设定的夹角，从而减少了氮化镓薄膜受到的应力，使平台内的氮化镓薄膜发光更加均匀，提高了外延可使用面积，从而进一步提高硅基III‑V族外延薄膜的外延良率。
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