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公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN118496516B
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410970304.4
申请日：2024-07-19
Applicant: 南昌大学
Abstract: 本发明属于手性分离材料领域，具体涉及一种二氯苯双脲基‑β‑环糊精固定相及其制备方法和应用。该反应先将单‑6‑乙二胺基‑β‑环糊精、二氯苯异氰酸酯和N,N‑二甲基甲酰胺混匀，反应，得到二氯苯双脲基‑β‑环糊精；然后与3‑异氰酸基丙基三乙氧基硅烷溶于N,N‑二甲基甲酰胺中进行反应，最后加入硅胶，在高温下反应，最终得到二氯苯双脲基‑β‑环糊精固定相产品。本发明所制备的固定相是一类多模式固定相，同时适用于高效液相色谱的正相、反相和极性有机分离模式；同时，二氯苯双脲基‑β‑环糊精固定相分离选择性好，色谱性质稳定，不易水解，在高酸性和较高温条件下仍有手性分离能力，具有较高的实际应用性价值。
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公开(公告)号：CN116298400A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310220433.7
申请日：2023-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种检测p型Ⅲ族氮化物激活效果的表征方法，本发明基于开尔文探针力显微镜，通过在p型Ⅲ族氮化物的表面制备金属电极层形成欧姆接触，并将金属电极层与开尔文探针力显微镜的样品台形成导电连接，从而减弱除p型Ⅲ族氮化物外的其他外延层对测试结果的影响，根据p型Ⅲ族氮化物与金属电极层表面电势的差值或结合霍尔测试系统测试对表面电势进行换算，实现了p型Ⅲ族氮化物激活效果的较为准确的测量。本发明方法简单且快捷有效，能够精准的测定p型Ⅲ族氮化物表面电势激活前后的改变，对于研究p型Ⅲ族氮化物激活方法将发挥重要作用。
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公开(公告)号：CN113471060B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202110583269.7
申请日：2021-05-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
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公开(公告)号：CN114822378A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210309920.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G09G3/32
Abstract: 本发明公开了一种全彩LED器件控制方法，该器件由多个像素点构成，每个像素点由单颗无颜色转换材料的芯片构成。该单颗芯片在大电流密度下发光为蓝色，在中电流密度下发光为绿色，在小电流密度下发光为红色。通过脉冲宽度调制方法（PWM）调节电流大小来实现不同颜色，调节占空比来实现不同亮度，最终实现每个像素点单芯片全彩显示。本发明在单颗无颜色转换材料的芯片上实现了全彩发光，相对于不同颜色LED芯片多次转移，本发明只需要单次转移即可，避免了多次转移工艺复杂性和高成本问题，提高了显示的空间像素，有益于批量化实现Micro LED芯片的集成。另一方面本发明LED器件发光性能稳定、可靠性高，不存在颜色转换材料不稳定性和有毒等问题。
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公开(公告)号：CN108444891A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810425095.X
申请日：2018-05-07
Applicant: 南昌大学
IPC: G01N15/08
Abstract: 一种测定粉末渗透系数的装置，其特征是包括主玻璃管、侧玻璃管Ⅰ、侧玻璃管Ⅱ、注粉管、孔层、微孔过滤层，侧玻璃管Ⅰ连接在主玻璃管左侧上部，且侧玻璃管Ⅱ连接在主玻璃管左侧下部；主玻璃管顶端设有入水口，主玻璃管底端设有出水口；注粉管位于侧玻璃管Ⅰ与侧玻璃管Ⅱ之间且位于主玻璃管的右侧；孔层设置在主玻璃管中且位于侧玻璃管Ⅰ和注粉管之间；微孔过滤层设置在主玻璃管中且位于侧玻璃管Ⅱ的下方。本发明结构简单，制造上不会增加成本，且装置的测量效果很好。
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公开(公告)号：CN119789629A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411942329.X
申请日：2024-12-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/816 , H10H20/00 , H10H20/812 , H10H20/824
Abstract: 本发明公开了单片多PN结RGB全彩LED，包括衬底、及通过一次外延形成于衬底之上的蓝光第一发光单元、绿光第二发光单元和红光第三发光单元，蓝光第一发光单元和绿光第二发光单元之间沿着生长方向依次设有第一阻挡层和第一隧道层，绿光第二发光单元和红光第三发光单元之间沿着生长方向依次设有第二阻挡层和第二隧道层，其中：第一阻挡层和第二阻挡层的材料为InyGa1‑yN。第一阻挡层和第二阻挡层阻挡了Mg原子向隧道层的扩散，减少了PN结杂质补偿效应，提高了PN结之间的隧穿效率。
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公开(公告)号：CN119560397A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411653929.4
申请日：2024-11-19
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明公开了一种判定GaN基材料掺杂碳元素形成高阻的非破坏性表征方法，涉及半导体器件技术领域，包括：通过光致发光设备获得参考GaN基外延片和目标GaN基外延片的光谱图；根据光谱图，确定参考GaN基外延片、目标GaN基外延片中GaN本征发光峰、黄带发光峰分别对应的第一参考PL强度、第二参考PL强度、第一目标PL强度和第二目标PL强度；第一目标PL强度≤第一参考PL强度的10％且第二目标PL强度≤第二参考PL强度的10％，判定目标GaN基外延片形成高阻。该表征方法简便快捷，减少了芯片制造的工序，加快生产和研发的反馈速度，减少了试错和制造成本，判定结果直观，无需复杂的数据处理，属于非破坏性测试。
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